过零开关制造技术

本发明专利技术是一种过零开关，该过零开关有四个引脚(J1、J2、J3、J4)，其中引脚J3既与发光二极管VL1负极相连又与发光二极管VL2正极相连，引脚J4既与发光二极管VL1正极相连又与发光二极管VL2负极相连，在既与引脚J1相连又与可控硅S01的控制极相连的电路上串联了二极管VD1、电阻R1和光敏二极管VP1，可控硅S01的阳极与引脚J1相连，可控硅S01的阴极与引脚J2相连，在既与引脚J2相连又与可控硅S02的控制极相连的电路上串联了二极管VD2、电阻R2和光敏二极管VP2，可控硅S02的阳极与引脚J2相连，可控硅S02的阴极与引脚J1相连，发光二极管VL1、VL2发出的光线分别照射光敏二极管VP1、VP2。

【技术实现步骤摘要】
过零开关
本专利技术属于电子开关；
技术介绍
现有过零开关结构复杂、成本高、反应慢，为此提出本专利技术；
技术实现思路
参见图1，这就是本文提出的过零开关的原理图，该过零开关由四个引脚(J1、J2、J3、J4)、两个可控硅(S01、S02)、两个二极管(VD1、VD2)、两个电阻(R1、R2)、两个光敏二极管(VP1、VP2)、两个发光二极管(VL1、VL2)以及连接这些元件的线路所构成；该过零开关的连接方法是：将该过零开关的引脚J1和J2接入交流电路中，并将该过零开关的引脚J3和J4连接到控制器；该过零开关被连接到好以后，如果控制器始终不给引脚J3和引脚J4之间施加电压，这时与引脚J3和J4相连的两个发光二极管VL1和VL2都不会发光，两个光敏二极管VP1和VP2都是关断的，两个可控硅S01、S02也都是关断的，此时两个引脚J1和J2中没有电流通过；如果在引脚J1比引脚J2电势高时，控制器给引脚J3和J4之间施加一个正向电压(即引脚J3的电势比引脚J4的电势高)，使发光二极管VL2通电发光，发光二极管VL2发出的光线照射光敏二极管VP2，此时光敏二极管VP2因被光照射而逆向电阻减小，但由于二极管VD2和光敏二极管VP1的阻挡该过零开关仍无电流通过，前面已提到引脚J1和引脚J2被连接在接入交流电路中，因此引脚J1和引脚J2之间的电压是交替变化的，当引脚J1和引脚J2这两者之间电压反转时，即从引脚J1比引脚J2电势高变成引脚J1与引脚J2之间电压为零，然后再变成引脚J1比引脚J2电势低时，电流就会依次流过引脚J2、二极管VD2、电阻R2、光敏二极管VP2，可控硅S02的控制极、引脚J1，当可控硅S02的控制极中有足够电流通过时，可控硅S02就会接通；如果在引脚J1比引脚J2电势低时，控制器给引脚J3和J4之间施加一个反向电压(即引脚J3的电势比引脚J4的电势低)，使发光二极管VL1通电发光，发光二极管VL1发出的光线照射光敏二极管VP1，此时光敏二极管VP1因被光照射而逆向电阻减小，但由于二极管VD1和光敏二极管VP2的阻挡该过零开关仍无电流通过，但当引脚J1和引脚J2这两者之间电压反转使引脚J1比引脚J2电势高时，就会有电流从引脚J1流入依次经过二极管VD1、电阻R1、光敏二极管VP1、可控硅S01的控制极、引脚J2，当有足够的电流流过可控硅S01的控制极时就会触发可控硅S01接通；该过零开关的关闭方法是控制器关闭引脚J3和J4之间的电流，则当引脚J1和引脚J2之间的电压反转时该过零开关就会关闭；在实际应用中过零开关中的两个光敏二极管VP1和VP2可用光敏三极管(光敏晶体管)代替以获取更大的电流，但反应时间会延长；在实际应用中我们可根据实际情况将过零开关中的两个可控硅S01和S02用功率开关管替换，本文所述功率开关管包括可关断的功率元件、智能功率管，本段所述可关断的功率元件包括：三极管(BJT)，达林顿功率晶体管，功率场效应管(MOSFET)，绝缘栅晶体管(IGBT)、可关断晶闸管(GTO)、MOS控制型晶闸管(MCT)和静态感应晶体管(SIT)；附图说明图1：过零开关电路原理图图2：在引脚J3和J4之间加了电阻的过零开关电路原理图具体实施方式本专利技术第一个实施例为过零开关：参见图1，这就是本例提出的过零开关的原理图，该过零开关由四个引脚(J1、J2、J3、J4)、两个可控硅(S01、S02)、两个二极管(VD1、VD2)、两个电阻(R1、R2)、两个光敏二极管(VP1、VP2)、两个发光二极管(VL1、VL2)以及连接这些元件的线路所构成；该过零开关的连接方法是：将该过零开关的引脚J1和J2接入交流电路中，并将该过零开关的引脚J3和J4连接到控制器；该过零开关被连接到好以后，如果控制器始终不给引脚J3和引脚J4之间施加电压，这时与引脚J3和J4相连的两个发光二极管VL1和VL2都不会发光，两个光敏二极管VP1和VP2都是关断的，两个可控硅S01、S02也都是关断的，此时两个引脚J1和J2中没有电流通过；如果在引脚J1比引脚J2电势高时，控制器给引脚J3和J4之间施加一个正向电压(即引脚J3的电势比引脚J4的电势高)，使发光二极管VL2通电发光，发光二极管VL2发出的光线照射光敏二极管VP2，此时光敏二极管VP2因被光照射而逆向电阻减小，但由于二极管VD2和光敏二极管VP1的阻挡该过零开关仍无电流通过，前面已提到引脚J1和引脚J2被连接在接入交流电路中，因此引脚J1和引脚J2之间的电压是交替变化的，当引脚J1和引脚J2这两者之间电压反转时，即从引脚J1比引脚J2电势高变成引脚J1与引脚J2之间电压为零，然后再变成引脚J1比引脚J2电势低时，电流就会依次流过引脚J2、二极管VD2、电阻R2、光敏二极管VP2，可控硅S02的控制极、引脚J1，当可控硅S02的控制极中有足够电流通过时，可控硅S02就会接通；如果在引脚J1比引脚J2电势低时，控制器给引脚J3和J4之间施加一个反向电压(即引脚J3的电势比引脚J4的电势低)，使发光二极管VL1通电发光，发光二极管VL1发出的光线照射光敏二极管VP1，此时光敏二极管VP1因被光照射而逆向电阻减小，但由于二极管VD1和光敏二极管VP2的阻挡该过零开关仍无电流通过，但当引脚J1和引脚J2这两者之间电压反转使引脚J1比引脚J2电势高时，就会有电流从引脚J1流入依次经过二极管VD1、电阻R1、光敏二极管VP1、可控硅S01的控制极、引脚J2，当有足够的电流流过可控硅S01的控制极时就会触发可控硅S01接通；该过零开关的关闭方法是控制器关闭引脚J3和J4之间的电流，则当引脚J1和引脚J2之间的电压反转时该过零开关就会关闭；该过零开关的实物可以为以下三者之一：①将各个元件焊接在电路板；②采用集成制造技术制造而成；③将各个元件在绝缘的盒子中连接固定好并焊接；在实际制造中两个二极管(VD1、VD2)可用功率场效应管(MOSFET)代替，这样该过零开关的电阻会更小，为了便于制造，我们可以将发光二极管VL1和光敏二极管VP1这两者替换为一个光耦合器，将发光二极管VL2和光敏二极管VP2这两者也替换为一个光耦合器；参见图2，为了防止流过发光二极管中的电流过大烧毁发光二极管，我们可以采用在引脚J3和J4之间的电路上添加电阻R3的方法限制电流保护发光二极管；尽管已经参照本专利技术的给定优选实施例示出并描述了本专利技术，但是本领域的技术人员应当理解，在不脱离如所附权利要求所限定的本专利技术的精神和范围的条件下，可以在这里进行形式和细节上的各种变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过零开关，其特征是：该过零开关有四个引脚(J1、J2、J3、J4)，其中引脚J3与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端既与发光二极管VL1负极相连又与发光二极管VL2正极相连，引脚J4既与发光二极管VL1正极相连又与发光二极管VL2负极相连，在既与引脚J1相连又与可控硅S01的控制极相连的电路上串联了二极管VD1、电阻R1和光敏二极管VP1，可控硅S01的阳极与引脚J1相连，可控硅S01的阴极与引脚J2相连，在既与引脚J2相连又与可控硅S02的控制极相连的电路上串联了二极管VD2、电阻R2和光敏二极管VP2，可控硅S02的阳极与引脚J2相连，可控硅S02的阴极与引脚J1相连，发光二极管VL1发出的光线照射光敏二极管VP1，发光二极管VL2发出的光线照射光敏二极管VP2；其中：所述在既与引脚J1相连又与可控硅S01的控制极相连的电路上串联了二极管VD1、电阻R1和光敏二极管VP1为以下六者之一：①引脚J1与二极管VD1的正极相连，二极管VD1的负极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与光敏二极管VP1的负极相连，光敏二极管VP1的正极与可控硅S01的控制极相连；②引脚J1与二极管VD1的正极相连，二极管VD1的负极与光敏二极管VP1的负极相连，光敏二极管VP1的正极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与可控硅S01的控制极相连；③引脚J1与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与二极管VD1的正极相连，二极管VD1的负极与光敏二极管VP1的负极相连，光敏二极管VP1的正极与可控硅S01的控制极相连；④引脚J1与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与光敏二极管VP1的负极相连，光敏二极管VP1的正极与二极管VD1的正极相连，二极管VD1的负极与可控硅S01的控制极相连；⑤引脚J1与光敏二极管VP1的负极相连，光敏二极管VP1的正极与二极管VD1的正极相连，二极管VD1的负极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与可控硅S01的控制极相连；⑥引脚J1与光敏二极管VP1的负极相连，光敏二极管VP1的正极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与二极管VD1的正极相连，二极管VD1的负极与可控硅S01的控制极相连；所述在既与引脚J2相连又与可控硅S02的控制极相连的电路上串联了二极管VD2、电阻R2和光敏二极管VP2为以下六者之一：①引脚J2与二极管VD2的正极相连，二极管VD2的负极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与光敏二极管VP2的负极相连，光敏二极管VP2的正极与可控硅S02的控制极相连；②引脚J2与二极管VD2的正极相连，二极管VD2的负极与光敏二极管VP2的负极相连，光敏二极管VP2的正极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与可控硅S02的控制极相连；③引脚J2与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与二极管VD2的正极相连，二极管VD2的负极与光敏二极管VP2的负极相连，光敏二极管VP2的正极与可控硅S02的控制极相连；④引脚J2与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与光敏二极管VP2的负极相连，光敏二极管VP2的正极与二极管VD2的正极相连，二极管VD2的负极与可控硅S02的控制极相连；⑤引脚J2与光敏二极管VP2的负极相连，光敏二极管VP2的正极与二极管VD2的正极相连，二极管VD2的负极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与可控硅S02的控制极相连；⑥引脚J2与光敏二极管VP2的负极相连，光敏二极管VP2的正极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与二极管VD2的正极相连，二极管VD2的负极与可控硅S02的控制极相连。...

【技术特征摘要】
1.一种过零开关，其特征是：该过零开关有四个引脚(J1、J2、J3、J4)，其中引脚J3与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端既与发光二极管VL1负极相连又与发光二极管VL2正极相连，引脚J4既与发光二极管VL1正极相连又与发光二极管VL2负极相连，在既与引脚J1相连又与可控硅S01的控制极相连的电路上串联了二极管VD1、电阻R1和光敏二极管VP1，可控硅S01的阳极与引脚J1相连，可控硅S01的阴极与引脚J2相连，在既与引脚J2相连又与可控硅S02的控制极相连的电路上串联了二极管VD2、电阻R2和光敏二极管VP2，可控硅S02的阳极与引脚J2相连，可控硅S02的阴极与引脚J1相连，发光二极管VL1发出的光线照射光敏二极管VP1，发光二极管VL2发出的光线照射光敏二极管VP2；其中：所述在既与引脚J1相连又与可控硅S01的控制极相连的电路上串联了二极管VD1、电阻R1和光敏二极管VP1为以下六者之一：①引脚J1与二极管VD1的正极相连，二极管VD1的负极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与光敏二极管VP1的负极相连，光敏二极管VP1的正极与可控硅S01的控制极相连；②引脚J1与二极管VD1的正极相连，二极管VD1的负极与光敏二极管VP1的负极相连，光敏二极管VP1的正极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与可控硅S01的控制极相连；③引脚J1与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与二极管VD1的正极相连，二极管VD1的负极与光敏二极管VP1的负极相连，光敏二极管VP1的正极与可控硅S01的控制极相连；④引脚J1与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与光敏二极管VP1的负极相连，光敏二极管VP1的正极与二极管VD1的正极相连，二极管VD1的负极与可控硅S01的控制极相连；⑤引脚J1与光敏二极管VP1的负极相连，光敏二极管VP1的正极与二极管VD1的正极相连，二极管VD1的负极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与可控硅S01的控制极相连；⑥引脚J1与光敏二极管VP1的负极相连，光敏二极管VP1的正极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与二极管VD1的正极相连，二极管VD1的负极与可控硅S01的控制极相连；所述在既与引脚J2相连又与可控硅S02的控制极相连的电路上串联了二极管VD2、电阻R2和光敏二极管VP2为以下六者之一：①引脚J2与二极管VD2的正极相连，二极管VD2的负极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海云，
申请(专利权)人：刘海云，
类型：发明
国别省市：广东,44