检查发光元件的方法及用于检查发光元件的装置制造方法及图纸

技术编号:21396232 阅读:44 留言:0更新日期:2019-06-19 06:18
本申请涉及检查发光元件的方法和用于检查发光元件的装置,该方法和装置可确定发光二极管的密度、形状缺陷和对齐状态,该方法包括:准备其上设置有第一电极和第二电极的衬底;将包括多个发光元件的溶液施加至第一电极和第二电极上;向第一电极和第二电极施加第一电压,以使得多个发光元件发光;拍摄从多个发光元件发射的光以生成第一图像数据;以及利用第一图像数据确定多个发光元件的密度和形状缺陷中至少之一。

Method for checking luminous elements and devices for checking luminous elements

The present application relates to a method for checking the light emitting elements and a device for checking the light emitting elements. The method and the device can determine the density, shape defects and alignment state of the light emitting diodes. The method includes preparing a substrate on which the first and second electrodes are arranged; applying a solution comprising a plurality of light emitting elements to the first and second electrodes; and applying a solution to the first and second electrodes. A first voltage is applied to the pole to make the plurality of light emitting elements luminous; light emitted from the plurality of light emitting elements is photographed to generate the first image data; and at least one of the density and shape defects of the plurality of light emitting elements is determined by using the first image data.

【技术实现步骤摘要】
检查发光元件的方法及用于检查发光元件的装置相关申请的交叉引用本申请要求于2017年12月11日提交至韩国知识产权局(KIPO)的第10-2017-0169363号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。
本专利技术的示例性实施方式涉及检查发光元件(例如发光二极管)的方法并且涉及用于检查发光元件的装置。
技术介绍
显示设备利用发光的元件来显示图像。显示设备基于其发光机制可分为液晶显示器(LCD)设备、有机发光二极管(OLED)显示设备、等离子显示面板(PDP)设备、电泳显示设备等。此外,近年来,已经研究并开发了包括极小纳米尺寸的发光元件(例如,发光二极管)的显示设备。极小尺寸的发光元件是这样的半导体元件,该半导体元件具有n型半导体晶体和p型半导体晶体彼此结合的结构并且将电信号转换成具有期望范围的波长带宽的光并且发射所述光。难以将极小尺寸的发光元件单独地设置在电极上并且难以将它们电连接至电极。此外,当极小尺寸的发光元件在溶液状态下自对齐时,可能频繁出现各种缺陷,例如,发光元件密集地布置在某些位置处或彼此短路。要理解,该
技术介绍
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【技术保护点】
1.检查发光元件的方法,所述方法包括:准备衬底,在所述衬底上设置有第一电极和第二电极;将包括多个发光元件的溶液施加至所述第一电极和所述第二电极上;向所述第一电极和所述第二电极施加第一电压,以使得所述多个发光元件发光;拍摄从所述多个发光元件发射的所述光以生成第一图像数据;以及利用所述第一图像数据确定所述多个发光元件的密度和形状缺陷中至少之一。

【技术特征摘要】
2017.12.11 KR 10-2017-01693631.检查发光元件的方法,所述方法包括:准备衬底,在所述衬底上设置有第一电极和第二电极;将包括多个发光元件的溶液施加至所述第一电极和所述第二电极上;向所述第一电极和所述第二电极施加第一电压,以使得所述多个发光元件发光;拍摄从所述多个发光元件发射的所述光以生成第一图像数据;以及利用所述第一图像数据确定所述多个发光元件的密度和形状缺陷中至少之一。2.如权利要求1所述的方法,其中,所述发光元件包括:第一半导体层;有源层,位于所述第一半导体层上;以及第二半导体层,位于所述有源层上。3.如权利要求1所述的方法,其中,所述发光元件具有棒形状,并且所述发光元件的直径在100nm至1μm的范围中。4.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一电压是直流电压,以及所述第一电压在0.1V至10V的范围中。5.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一电压是交流电压,以及所述第一电压具有在0.1...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱成培
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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