二维材料生长的定位观测方法技术

本发明专利技术提供一种二维材料生长的定位观测方法，包括如下步骤：1)获取标记石墨烯；2)提供生长衬底，并将标记石墨烯转移到生长衬底的上表面；3)于生长衬底的上表面生长二维材料；4)以标记石墨烯为标记对二维材料进行定位观测。本发明专利技术的二维材料生长的定位观测方法可以实现对二维材料的生长情况进行精确地定位观测；本发明专利技术中使用原子力显微镜定位观测二维材料的生长情况，对二维材料层的生长条件没有严格的要求，操作简单易行，测试成本较低；在生长衬底的上表面进行二维材料的多次生长时，二维材料每次生长的生长条件可以不同，可以实现对二维材料在不同生长条件下于同一区域的生长情况进行定位观测。

【技术实现步骤摘要】
二维材料生长的定位观测方法
本专利技术属于测试技术专利技术，特别是涉及一种二维材料生长的定位观测方法。
技术介绍
石墨烯作为一种具有优异物理化学性能的二维材料，一直以来深受工业界和学术界的广泛关注。通过化学气相淀积法制备石墨烯可主要分为两种机制：(1)溶解析出机制：主要衬底有镍、钴等这种碳容量很高的金属，碳氢化合物在高温下分解成碳原子融入衬底内部，快速降温时，碳的溶解度急剧下降，内部碳在衬底表面析出，从而形成石墨烯。(2)表面催化机制：主要有铜、铂和锗等碳容量低的衬底，在高温加热情况下，碳氢化合物脱氢形成大量活性碳基团，经催化型衬底表面后分解形成石墨烯晶畴。除上述讨论的不同物质衬底上石墨烯生长形核的机制存在差异外，同一物质不同晶向或多晶衬底上石墨烯生长表现形式也截然不同。因此，定位观测不同衬底上石墨烯形核及生长对研究石墨烯生长机制有着极其重要的意义。同时，现有工艺中对石墨烯等二维材料在生长过程中进行观测的方法均存在观测成本较高、对石墨烯等二维材料的生长条件要求苛刻等问题，从而难以得到普及。为此，开发一种低成本定位观测石墨烯形核及生长的测试手段具有非常重要的意义。专利
技术实现思路
鉴于以上所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，所述二维材料生长的定位观测方法包括如下步骤：1)获取标记石墨烯；2)提供生长衬底，并将所述标记石墨烯转移到所述生长衬底的上表面；3)于所述生长衬底的上表面生长二维材料；4)以所述标记石墨烯为标记对所述二维材料进行定位观测。

【技术特征摘要】
1.一种二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，所述二维材料生长的定位观测方法包括如下步骤：1)获取标记石墨烯；2)提供生长衬底，并将所述标记石墨烯转移到所述生长衬底的上表面；3)于所述生长衬底的上表面生长二维材料；4)以所述标记石墨烯为标记对所述二维材料进行定位观测。2.根据权利要求1所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，步骤1)中，采用机械剥离法从高定向热解石墨烯获取所述标记石墨烯。3.根据权利要求1所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，所述标记石墨烯包括多层石墨烯。4.根据权利要求1所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，所述生长衬底的材料包括单晶硅、多晶硅、锗、铜、镍或铂。5.根据权利要求1所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，步骤2)与步骤3)之间还包括对所述生长衬底进行退火处理的步骤。6.根据权利要求5所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，对所述生长衬底退火的方法包括真空退火或常压保护气氛下退火。7.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：狄增峰，李攀林，王天波，薛忠营，张苗，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31