TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法技术

技术编号:21374963 阅读:25 留言:0更新日期:2019-06-15 12:30
TFT基板(105)具有:栅极金属层(3),其包含TFT(10)的栅极电极(3G)和贴片电极(3PE);栅极绝缘层(4),其形成于栅极金属层上,具有到达贴片电极的第1开口部(4a);源极金属层(7),其形成于栅极绝缘层上,包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极(7D)以及从漏极电极延伸设置的漏极延设部(7de);层间绝缘层(11),其形成于源极金属层上,具有在从电介质基板(1)的法线方向观看时与第1开口部重叠的第2开口部(11a)和到达漏极延设部的第3开口部(11b);以及导电层(19),其形成于层间绝缘层上,包含贴片漏极连接部(19a)。贴片漏极连接部在第1开口部内与贴片电极接触,在第3开口部内与漏极延设部接触。

Manufacturing Method of TFT Substrate, Scanning Antenna with TFT Substrate and TFT Substrate

The TFT substrate (105) has: a gate metal layer (3), which comprises a gate electrode (3G) and a patch electrode (3PE) of TFT (10); a gate insulating layer (4), which is formed on the gate metal layer and has a first opening (4a) reaching the patch electrode; a source metal layer (7), which is formed on the gate insulating layer, and a source electrode (7S), a drain electrode (7D) containing TFT and a drain extension from the drain electrode. A second opening (11a) overlapping the first opening (11a) and a third opening (11b) reaching the drain extension part (11b) when viewed from the normal direction of the dielectric substrate (1) and a conductive layer (19) formed on the interlayer insulation layer, comprising a patch drain connection (19a). The patch drain connection part contacts the patch electrode in the first opening part and the drain extension part in the third opening part.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法
本专利技术涉及扫描天线,特别是涉及天线单位(有时也称为“元件天线”。)具有液晶电容的扫描天线(有时也称为“液晶阵列天线”。),这种扫描天线所使用的TFT基板以及这种TFT基板的制造方法。
技术介绍
移动体通信或卫星广播用天线需要能改变波束的方向(被称为“波束扫描”或者“波束定向(beamsteering)”。)的功能。作为具有这种功能的天线(以下称为“扫描天线(scannedantenna)”。),已知具备天线单位的相控阵列天线。但是,现有的相控阵天线的价格高,这成为向消费品普及的障碍。特别是,当天线单位的数量增加时,成本会显著上升。因此,已提出利用了液晶材料(包括向列液晶、高分子分散液晶)的大的介电各向异性(双折射率)的扫描天线(专利文献1~5和非专利文献1)。液晶材料的介电常数具有频率分散性,因此在本说明书中将微波的频带中的介电常数(有时也称为“相对于微波的介电常数”。)特别标记为“介电常数M(εM)”。在专利文献3和非专利文献1中,记载了通过利用液晶显示装置(以下称为“LCD”。)的技术能得到价格低的扫描天线。现有技术文献专利文献专利文献1:特开2007-116573号公报专利文献2:特开2007-295044号公报专利文献3:特表2009-538565号公报专利文献4:特表2013-539949号公报专利文献5:国际公开第2015/126550号非专利文献非专利文献1:R.A.Stevensonetal.,“RethinkingWirelessCommunications:AdvancedAntennaDesignusingLCDTechnology”,SID2015DIGEST,pp.827-830.非专利文献2:M.ANDOetal.,“ARadialLineSlotAntennafor12GHzSatelliteTVReception”,IEEETransactionsofAntennasandPropagation,Vol.AP-33,No.12,pp.1347-1353(1985)。
技术实现思路
专利技术要解决的问题如上所述,虽然已知通过应用LCD技术来实现价格低的扫描天线这样的想法,但是没有具体地记载了利用LCD技术的扫描天线的结构、其制造方法以及其驱动方法的文献。因此,本专利技术的目的在于提供能利用现有的LCD的制造技术批量生产的扫描天线、这种扫描天线所使用的TFT基板以及这种TFT基板的制造方法。用于解决问题的方案本专利技术的实施方式的TFT基板具有电介质基板和在上述电介质基板上排列的多个天线单位区域,上述多个天线单位区域各自具有TFT和连接到上述TFT的漏极电极的贴片电极,上述TFT基板具备包含上述多个天线单位区域的发送接收区域和位于上述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域,上述TFT基板的特征在于,具有:栅极金属层,其支撑于上述电介质基板,包含上述TFT的栅极电极、连接到上述栅极电极的栅极总线以及上述贴片电极;栅极绝缘层,其形成于上述栅极金属层上,具有到达上述贴片电极的第1开口部;源极金属层,其形成于上述栅极绝缘层上,包含上述TFT的源极电极、上述漏极电极、从上述漏极电极延伸设置的漏极延设部以及连接到上述源极电极的源极总线;层间绝缘层,其形成于上述源极金属层上,具有在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第1开口部重叠的第2开口部和到达上述漏极延设部的第3开口部;以及导电层,其形成于上述层间绝缘层上,包含贴片漏极连接部,上述贴片漏极连接部在上述第1开口部内与上述贴片电极接触,在上述第3开口部内与上述漏极延设部接触。在某实施方式中,上述贴片电极中的位于上述第1开口部内的部分被上述贴片漏极连接部覆盖。在某实施方式中,上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的栅极端子部,上述栅极端子部具有:栅极端子用下部连接部,其包含于上述栅极金属层,连接到上述栅极总线;第4开口部,其形成于上述栅极绝缘层,到达上述栅极端子用下部连接部;第5开口部,其形成于上述层间绝缘层,在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第4开口部重叠;以及栅极端子用上部连接部,其形成于上述层间绝缘层上,包含于上述导电层,上述栅极端子用上部连接部在上述第4开口部内与上述栅极端子用下部连接部接触。在某实施方式中,上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的源极端子部,上述源极端子部具有:源极端子用下部连接部,其包含于上述栅极金属层;第6开口部,其形成于上述栅极绝缘层,到达上述源极端子用下部连接部;第7开口部,其形成于上述层间绝缘层,在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第6开口部重叠;以及源极端子用上部连接部,其形成于上述层间绝缘层上,包含于上述导电层,上述源极端子用上部连接部在上述第6开口部内与上述源极端子用下部连接部接触。在某实施方式中,上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的源极栅极连接部,上述源极栅极连接部具有:源极下部连接配线,其包含于上述栅极金属层,连接到上述源极端子用下部连接部;第8开口部,其形成于上述栅极绝缘层,到达上述源极下部连接配线;源极总线延设部,其包含于上述源极金属层,从上述源极总线延伸设置;第9开口部,其形成于上述层间绝缘层,在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第8开口部重叠;第10开口部,其形成于上述层间绝缘层,到达上述源极总线延设部;以及源极上部连接部,其形成于上述层间绝缘层上,包含于上述导电层,上述源极上部连接部在上述第8开口部内与上述源极下部连接配线接触,在上述第10开口部内与上述源极总线延设部接触。在某实施方式中,上述TFT基板在上述源极金属层和上述导电层之间以及上述导电层上不具有另外的导电层。在某实施方式中,上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的传输端子部,上述传输端子部具有:传输端子用下部连接部,其包含于上述栅极金属层;第11开口部,其形成于上述栅极绝缘层,到达上述传输端子用下部连接部;第12开口部,其形成于上述层间绝缘层,在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第11开口部重叠;以及传输端子用上部连接部,其形成于上述层间绝缘层上,包含于上述导电层,上述传输端子用上部连接部在上述第11开口部内与上述传输端子用下部连接部接触。在某实施方式中,在从上述电介质基板的法线方向观看时,上述第11开口部位于上述传输端子用下部连接部的内侧。在某实施方式中,在从上述电介质基板的法线方向观看时,上述传输端子用上部连接部在上述第11开口部内包含与上述传输端子用下部连接部不重叠的部分。在某实施方式中,上述传输端子用下部连接部中的、位于上述第11开口部内的部分被上述传输端子用上部连接部覆盖。在某实施方式中,上述导电层包含透明导电层。在某实施方式中,上述第1开口部的侧面与上述第2开口部的侧面是对齐的。在某实施方式中,配置于上述非发送接收区域的端子部不包括上述源极金属层所包含的导电部。本专利技术的实施方式的扫描天线具备:上述的任意一种TFT基板;缝隙基板,其以与上述TFT基板相对的方式配置;液晶层,其设置于上述TFT基板与上述缝隙基板之间;以及反射导电板,其以隔着电介质层与上述缝隙基板的与上述液晶层相反的一侧的表面相对的方式配置,上述缝隙基本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种TFT基板,具有电介质基板和在上述电介质基板上排列的多个天线单位区域,上述多个天线单位区域各自具有TFT和连接到上述TFT的漏极电极的贴片电极,上述TFT基板具备包含上述多个天线单位区域的发送接收区域和位于上述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域,上述TFT基板的特征在于,具有:栅极金属层,其支撑于上述电介质基板,包含上述TFT的栅极电极、连接到上述栅极电极的栅极总线以及上述贴片电极;栅极绝缘层,其形成于上述栅极金属层上,具有到达上述贴片电极的第1开口部;源极金属层,其形成于上述栅极绝缘层上,包含上述TFT的源极电极、上述漏极电极、从上述漏极电极延伸设置的漏极延设部以及连接到上述源极电极的源极总线;层间绝缘层,其形成于上述源极金属层上,具有在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第1开口部重叠的第2开口部和到达上述漏极延设部的第3开口部;以及导电层,其形成于上述层间绝缘层上,包含贴片漏极连接部,上述贴片漏极连接部在上述第1开口部内与上述贴片电极接触,在上述第3开口部内与上述漏极延设部接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.27 JP 2016-2104811.一种TFT基板,具有电介质基板和在上述电介质基板上排列的多个天线单位区域,上述多个天线单位区域各自具有TFT和连接到上述TFT的漏极电极的贴片电极,上述TFT基板具备包含上述多个天线单位区域的发送接收区域和位于上述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域,上述TFT基板的特征在于,具有:栅极金属层,其支撑于上述电介质基板,包含上述TFT的栅极电极、连接到上述栅极电极的栅极总线以及上述贴片电极;栅极绝缘层,其形成于上述栅极金属层上,具有到达上述贴片电极的第1开口部;源极金属层,其形成于上述栅极绝缘层上,包含上述TFT的源极电极、上述漏极电极、从上述漏极电极延伸设置的漏极延设部以及连接到上述源极电极的源极总线;层间绝缘层,其形成于上述源极金属层上,具有在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第1开口部重叠的第2开口部和到达上述漏极延设部的第3开口部;以及导电层,其形成于上述层间绝缘层上,包含贴片漏极连接部,上述贴片漏极连接部在上述第1开口部内与上述贴片电极接触,在上述第3开口部内与上述漏极延设部接触。2.根据权利要求1所述的TFT基板,上述贴片电极中的位于上述第1开口部内的部分被上述贴片漏极连接部覆盖。3.根据权利要求1或2所述的TFT基板,上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的栅极端子部,上述栅极端子部具有:栅极端子用下部连接部,其包含于上述栅极金属层,连接到上述栅极总线;第4开口部,其形成于上述栅极绝缘层,到达上述栅极端子用下部连接部;第5开口部,其形成于上述层间绝缘层,在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第4开口部重叠;以及栅极端子用上部连接部,其形成于上述层间绝缘层上,包含于上述导电层,上述栅极端子用上部连接部在上述第4开口部内与上述栅极端子用下部连接部接触。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的TFT基板,上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的源极端子部,上述源极端子部具有:源极端子用下部连接部,其包含于上述栅极金属层;第6开口部,其形成于上述栅极绝缘层,到达上述源极端子用下部连接部;第7开口部,其形成于上述层间绝缘层,在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第6开口部重叠;以及源极端子用上部连接部,其形成于上述层间绝缘层上,包含于上述导电层,上述源极端子用上部连接部在上述第6开口部内与上述源极端子用下部连接部接触。5.根据权利要求4所述的TFT基板,上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的源极栅极连接部,上述源极栅极连接部具有:源极下部连接配线,其包含于上述栅极金属层,连接到上述源极端子用下部连接部;第8开口部,其形成于上述栅极绝缘层,到达上述源极下部连接配线;源极总线延设部,其包含于上述源极金属层,从上述源极总线延伸设置;第9开口部,其形成于上述层间绝缘层,在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第8开口部重叠;第10开口部,其形成于上述层间绝缘层,到达上述源极总线延设部;以及源极上部连接部,其形成于...

【专利技术属性】
技术研发人员:美崎克纪
申请(专利权)人:夏普株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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