The invention provides an AlGaN/GaN heterojunction vertical field effect transistor with a P-type shielding layer and its fabrication method. The main characteristics of the device are that the P-type shielding layer is adopted, and the two-dimensional electronic gas of the AlGaN/GaN heterojunction and the special drift region are used to form a low resistance conductive channel of the current. Because of the effect of P-shielding layer, the channel concentration can be reduced to obtain the appropriate threshold voltage. When the device is turned off, the P-shielding layer effectively reduces the peak electric field in the gate dielectric layer and improves the reliability of the device. The two-dimensional electron gas introduces new charges, changes the electric field distribution in the device, improves the breakdown voltage, and weakens the contradiction between the breakdown voltage and the drift zone concentration. When the device is turned on, the current distribution of the traditional vertical field effect transistor is changed by the new conductive channel, so that the lower on resistance can be achieved at the lower drift concentration.
【技术实现步骤摘要】
具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法
本专利技术涉及功率半导体器件领域,尤其涉及一种具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管。
技术介绍
氮化镓材料作为第三代半导体材料的核心之一,相比Si和碳化硅(SiC)特殊之处在于其所具有极化效应。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气(twodimensionalelectrongas,2DEG),这种二维电子气在异质结导电沟道中具有很高的迁移率,从而使AlGaN/GaNHEMTs具有很低的导通电阻。然而肖特基栅AlGaN/GaNHEMT器件的反向漏电较大,导致器件的击穿电压、效率、增益等关键性能恶化。在宽带隙半导体中杂质扩散速率很低,即使在高温情况下也是如此,因此一般采用双注入工艺,注入结较浅,当P型基区的耗尽区达到源区,会出现源漏穿通现象,导致击穿电压受到限制。宽带隙材料器件中为了避免基区穿通效应,需要高掺杂浓度的P型基区,由于宽带隙材料特性会导致极高的阈值电压。此外在器件关断时,由于较高的电压,栅介质层中内会产生高电场,很容易导致氧化层破裂甚至击穿,器件的寿命和可靠性也会大大降低。
技术实现思路
本专利技术提出一种具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管,旨在进一步提高垂直型场效应晶体管的击穿电压,降低其导通电阻,改善器件的性能。本专利技术的技术方案如下:该具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直场效应晶体管,包括:半导体材料的衬底,兼作漏区;在衬底上外延生长形成的N型GaN外延层,作为漂移区;分 ...
【技术保护点】
1.具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直场效应晶体管,包括:半导体材料的衬底,兼作漏区(12);在衬底上外延生长形成的N型GaN外延层,作为漂移区;分别在漂移区上部的左、右两端区域形成的两处P型基区(3)以及相应的N+型源区(2)和P+沟道衬底接触(1);每一处P型基区(3)中形成沟道,其中N+型源区(2)与沟道邻接,P+沟道衬底接触(1)相对于N+型源区(2)位于沟道远端;栅介质层(4),覆盖两处P型基区(3)相应的沟道部分;栅极(8),位于栅介质层上表面;源极(9),覆盖两处P+沟道衬底接触(1)与相应N+型源区(2)相接区域的上表面;漏极(13),位于衬底(12)下表面;其特征在于:所述漂移区分为:a、在衬底上外延生长的轻掺杂漂移区(11);b、在轻掺杂漂移区(11)中部通过离子注入形成的重掺杂漂移区(14);对应于器件中部,在重掺杂漂移区(13)及其两侧邻接的轻掺杂漂移区(11)部分的表面异质外延生长有AlGaN层(5),使得AlGaN/GaN异质结能够产生二维电子气,形成器件的横向低阻导电通道,并且在漂移区中引入纵向低阻导电通道;AlGaN层表面设置有源介质层(7), ...
【技术特征摘要】
1.具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直场效应晶体管,包括:半导体材料的衬底,兼作漏区(12);在衬底上外延生长形成的N型GaN外延层,作为漂移区;分别在漂移区上部的左、右两端区域形成的两处P型基区(3)以及相应的N+型源区(2)和P+沟道衬底接触(1);每一处P型基区(3)中形成沟道,其中N+型源区(2)与沟道邻接,P+沟道衬底接触(1)相对于N+型源区(2)位于沟道远端;栅介质层(4),覆盖两处P型基区(3)相应的沟道部分;栅极(8),位于栅介质层上表面;源极(9),覆盖两处P+沟道衬底接触(1)与相应N+型源区(2)相接区域的上表面;漏极(13),位于衬底(12)下表面;其特征在于:所述漂移区分为:a、在衬底上外延生长的轻掺杂漂移区(11);b、在轻掺杂漂移区(11)中部通过离子注入形成的重掺杂漂移区(14);对应于器件中部,在重掺杂漂移区(13)及其两侧邻接的轻掺杂漂移区(11)部分的表面异质外延生长有AlGaN层(5),使得AlGaN/GaN异质结能够产生二维电子气,形成器件的横向低阻导电通道,并且在漂移区中引入纵向低阻导电通道;AlGaN层表面设置有源介质层(7),满足覆盖二维电子气的界面,源介质层(7)设置有第三处源极(6),三处源极(6、9)共接;两处P型基区(3)以及相应的N+型源区(2)和P+沟道衬底接触(1)的下方通过离子注入还形成有P型屏蔽层(10)。2.根据权利要求1所述的具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管,其特征在于:所述轻掺杂漂移区(11)的掺杂浓度比重掺杂漂移区(14)的掺杂浓度小1-3个数量级。3.根据权利要求1所述的具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管,其特征在于:所述重掺杂漂移区(14)的掺杂浓度典型值为1×1016cm-3~1×1018cm-3;轻掺杂漂移区(11)的掺杂浓度典型值为1×10...
【专利技术属性】
技术研发人员:段宝兴,王彦东,杨珞云,杨银堂,
申请(专利权)人:西安电子科技大学,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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