过压保护电路及供电总线从机电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种过压保护电路及供电总线从机电路。过压保护电路包括NMOS管，第一二极管和npn型三极管；NMOS管串联在负载电路上，NMOS管分别与电源负极、负载电路的负端以及电源正极连接；第一二极管分别与电源正极和电源负极连接，第一二极管为稳压二极管；npn型三极管的基极连接在第一二极管的正极与电源负极之间，npn型三极管的集电极与电源正极连接，npn型三极管的发射极与电源负极连接；本实用新型专利技术在电路过压时，第一二极管导通，npn型三极管开启，使NMOS管栅极电压拉低，从而使NMOS管关断，实现负载电路保护，且负载电路保护响应速度快，电路中元器件温升小。

Overvoltage Protection Circuit and Power Bus Slave Circuit

The utility model provides an overvoltage protection circuit and a power supply bus slave circuit. Overvoltage protection circuit includes NMOS transistor, first diode and NPN triode; NMOS transistor is connected in series with load circuit, and NMOS transistor is connected with power supply negative pole, load circuit negative pole and power supply positive pole respectively; first diode is connected with power supply positive pole and power supply negative pole respectively, and the first diode is regulated diode; the base of NPN triode is connected with the first diode positive pole and power supply negative pole respectively. Among the poles, the collector of NPN transistor is connected with the positive pole of power supply, and the emitter of NPN transistor is connected with the negative pole of power supply; when the circuit is overvoltage, the first diode is turned on and the NPN transistor is turned on, which makes the gate voltage of NMOS transistor lower, thus turning off the NMOS transistor and realizing the protection of load circuit, and the protection response speed of load circuit is fast, and the temperature rise of components in the circuit is small.

【技术实现步骤摘要】
过压保护电路及供电总线从机电路
本技术涉及一种供电总线，尤其涉及一种过压保护电路及供电总线从机电路。
技术介绍
近年来，电子技术的快速发展，供电总线技术也得当广泛应用，随之也带来一些问题。由于现场施工环境的复杂性，在安装调试过程中时常出现供电总线误接入其它供电系统的情况，使供电总线过压，造成供电总线上大量从机烧坏。现有从机过压保护方式为从机输入回路串联热敏电阻同时负载并联瞬态二极管的保护方式。在供电总线过压时，热敏电阻升温过热限流，瞬态二极管钳位限压实现对负载电路保护，但是，该保护方式的电路存在提供的额定工作电流小、保护响应速度慢、保护时电路温升高等问题。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种过压保护电路及供电总线从机电路，以至少解决或缓解现有技术中的一个或多个技术问题，或至少提供一种有益的选择。本技术的第一方面，提供了一种过压保护电路，包括：NMOS管，所述NMOS管串联在负载电路上，所述NMOS管的源极与电源负极连接，所述NMOS管的漏极与所述负载电路的负端连接，所述NMOS管的栅极与电源正极连接；第一二极管，所述第一二极管的负极与所述电源正极连接，所述第一二极管的正极与所述电源负极连接，第一二极管为稳压二极管；npn型三极管，所述npn型三极管的基极连接在所述第一二极管的正极与所述电源负极之间，所述npn型三极管的集电极与所述电源正极连接，所述npn型三极管的发射极与所述电源负极连接；当电路过压时，第一二极管反向击穿导通，所述npn型三极管开启。在一可实施方式中，还包括：第二二极管，所述第二二极管的负极与所述电源正极连接，所述第二二极管的正极与所述电源负极连接，第二二极管为稳压二极管。在一可实施方式中，还包括：第一限流单元，所述第一限流单元连接在所述第一二极管与所述电源正极之间；第二限流单元，所述第二限流单元一端与所述电源正极连接，所述第二限流单元另一端分别与所述npn型三极管的集电极、所述第二二极管的负极和所述NMOS管的栅极连接。在一可实施方式中，还包括：第一电容，所述第一电容一端连接在所述第一二极管的正极与所述npn型三极管的基极连接线之间，所述第一电容的另一端与所述电源负极连接。在一可实施方式中，还包括第二电容，所述第二电容一端连接在所述第二限流单元与所述npn型三极管的集电极之间，所述第二电容的另一端与所述电源负极连接。在一可实施方式中，还包括：第三二极管，所述第三二极管的正极与所述电源正极连接，所述第三二极管的负极分别与所述第一限流单元和所述第二限流单元连接。在一可实施方式中，所述第一限流单元和所述第二限流单元均包括两个串联的限流电阻。在一可实施方式中，所述NMOS管为600V耐压NMOS管。在一可实施方式中，所述第一二极管用于改变稳压值调整过压保护门限参数，所述第二二极管用于：当第一二极管反向截止和所述npn型三极管关断时，使所述NMOS管的栅极电压达到导通电压。本技术的第二方面，提供了一种供电总线从机电路，包括如上述实施方式中任一所述的过压保护电路。本技术的过压保护电路在电压高于过压保护门限时，第一二极管导通，npn型三极管开启，NMOS管关断，实现负载保护，且电路负载保护响应速度快，电路中元器件温升小。上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本技术进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。附图说明在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本技术公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本技术范围的限制。图1为本技术实施例中过压保护电路的电路图。图2为本技术实施例中另一过压保护电路的电路图。图3为本技术实施例中又一过压保护电路的电路图。附图标记：101NMOS管；102电源负极；103负载电路的负端；104电源正极；105第一二极管；106npn型三极管；107第二二极管；108第一限流单元；109第二限流单元；110第一电容；111第二电容；112第三二极管；113限流电阻。具体实施方式在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本技术的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。本技术第一方面提供了一种过压保护电路。参照图1所示，过压保护电路包括NMOS管101、第一二极管105以及npn型三极管106。NMOS管101串联在负载电路上，NMOS管101的源极与电源负极(GND)102连接，NMOS管101的漏极与负载电路的负端(GND1)103连接，NMOS管101的栅极与电源正极(VCC)104连接。第一二极管105的负极与电源正极104连接，第一二极管105的正极与电源负极102连接，第一二极管105为稳压二极管；第一二极管105在电路正常工作时反向截止关断，在电路过压时，反向击穿导通。npn型三极管106的基极连接在第一二极管105的正极与电源负极102之间，npn型三极管106的集电极与电源正极104连接，npn型三极管106的发射极与电源负极102连接；npn型三极管106在电路正常工作时关断，在电路过压时导通。当电路过压时，第一二极管105反向击穿导通，npn型三极管导通，NMOS管101的栅极电压拉低至0V，使NMOS管101关断，从而使负载得到保护，且电路负载保护响应速度快，电路中元器件温升小。进一步地，NMOS管101为600V耐压NMOS管101。高耐压值的NMOS管101可实现更宽的保护电压。参照图1所示，在一种实施例中，过压保护电路还包括第二二极管107。第二二极管107的负极与电源正极104连接，第二二极管107的正极与电源负极102连接，第二二极管107为稳压二极管；在电路正常工作时，第一二极管105反向截止，npn型三极管关断，第二二极管107使NMOS管101的栅极电压达到导通电压，从而使NMOS管101导通给负载供电。进一步地，第一二极管105用于改变稳压值调整过压保护门限参数。这样，可实现过压保护门限参数的灵活调整。参照图2所示，在一种实施例中，过压保护电路还包括第一限流单元108和第二限流单元109。第一限流单元108连接在第一二极管105与电源正极104之间。第二限流单元109一端与电源正极104连接，第二限流单元109另一端分别与npn型三极管106的集电极、第二二极管107的负极和NMOS管101的栅极连接。第一限流单元108和第二限流单元109用于使第一二极管105、npn型三极管106以及第二二极管107工作时处于正常电流范围内。进一步地，第一限流单元108和第二限流单元109均包括两个串联的限流电阻113。限流电阻113的阻值为150KΩ。限流电阻113的阻值的阻值和数量可以自由设定，具体需要可根据电路确定。参照图3所示，在一种实施例中，过压保护电路还包括第一电容110和第二电容111。第一电容110一端连接在第一二极管105的正极与npn型三极管106的基极连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：第三二极管，所述第三二极管的正极与电源正极连接；第一限流单元，所述第一限流单元一端与所述第三二极管的负极连接；第二限流单元，所述第二限流单元一端与所述第三二极管的负极连接；NMOS管，所述NMOS管串联在负载电路上，所述NMOS管的源极与电源负极连接，所述NMOS管的漏极与所述负载电路的负端连接，所述NMOS管的栅极与所述第二限流单元另一端连接；第一二极管，所述第一二极管的负极与所述第一限流单元另一端连接，第一二极管为稳压二极管；npn型三极管，所述npn型三极管的基极与所述第一二极管的正极连接，所述npn型三极管的集电极与所述第二限流单元另一端连接，所述npn型三极管的发射极与所述电源负极连接；第二二极管，所述第二二极管的负极与所述第二限流单元另一端连接，所述第二二极管的正极与所述电源负极连接，第二二极管为稳压二极管；第二电容，所述第二电容一端连接在所述第二限流单元与所述npn型三极管的集电极之间，所述第二电容的另一端与所述电源负极连接；当电路过压时，第一二极管反向击穿导通，所述npn型三极管开启。

【技术特征摘要】
1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：第三二极管，所述第三二极管的正极与电源正极连接；第一限流单元，所述第一限流单元一端与所述第三二极管的负极连接；第二限流单元，所述第二限流单元一端与所述第三二极管的负极连接；NMOS管，所述NMOS管串联在负载电路上，所述NMOS管的源极与电源负极连接，所述NMOS管的漏极与所述负载电路的负端连接，所述NMOS管的栅极与所述第二限流单元另一端连接；第一二极管，所述第一二极管的负极与所述第一限流单元另一端连接，第一二极管为稳压二极管；npn型三极管，所述npn型三极管的基极与所述第一二极管的正极连接，所述npn型三极管的集电极与所述第二限流单元另一端连接，所述npn型三极管的发射极与所述电源负极连接；第二二极管，所述第二二极管的负极与所述第二限流单元另一端连接，所述第二二极管的正极与所述电源负极连接，第二二极管为稳压二极管；第二电容，所述第二电容一端连接在所述第二限流单元与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：范双林，李飞，
申请(专利权)人：北京强联通讯技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11