一种增强型的LED光源制造技术

本发明专利技术涉及一种增强型的LED光源，包括基底层，基底层上方设置有反光层，反光层的上方设置有第一介质层，第一介质层的上方设置有透光层，透光层的上方设置有第二介质层，第二介质层的上方设置有第一透光导电层，第一透光导电层的上方设置有发光介质层，发光介质层的上方设置有第二透光导电层；该增强型的LED光源，通过共振腔将LED光源发出的光进行共振反射，从而使得所有的光能够集中向光源的一侧，提高了光的利用率，而且该共振腔相比于现有技术中的普通光反射结构，达到同样距离的反射效果可以设计的更薄，另外，使用厚度可调的介质层，可以对反射光的相位进行调节，达到削弱或者增强LED光源发出的光的效果。

An Enhanced LED Light Source

The invention relates to an enhanced LED light source, which comprises a base layer, a reflective layer above the base layer, a first dielectric layer above the reflective layer, a light transmission layer above the first dielectric layer, a second dielectric layer above the light transmission layer, a first light transmission conductive layer above the second dielectric layer, and a light emitting dielectric layer above the first light transmission conductive layer. A second transparent conductive layer is arranged above the luminous medium layer; the enhanced LED light source reflects the light emitted by the LED light source through a resonant cavity, so that all the light can be concentrated to one side of the light source, thus improving the utilization of light. Moreover, the resonant cavity can achieve the same distance reflection effect compared with the common light reflection structure in the existing technology. Thin, in addition, the use of adjustable thickness of the dielectric layer can adjust the phase of the reflected light, to weaken or enhance the effect of the light emitted by the LED light source.

【技术实现步骤摘要】
一种增强型的LED光源
本专利技术属于LED光源
，具体涉及一种增强型的LED光源。
技术介绍
LED光源(LED指的是LightEmittingDiode)为发光二极管光源。LED的发光原理与白炽灯和气体放电灯的发光原理都不同，LED光源的能量转化效率非常高，理论上可以达到白炽灯10％的能耗，LED相比荧光灯也可以达到50％的节能效果。光效为75lm/W的LED较同等亮度的白炽灯耗电减少约80％，节能效果显著，这对能源十分紧张的中国来说，无疑具有十分重要的意义。LED还可以与太阳能电池结合起来应用，节能又环保。其本身不含有毒有害物质(如：汞)，避免了荧光灯管破裂溢出汞的二次污染，同时又没有干扰辐射。LED光源的不但更加环保节能，而且LED光源的光机色域更宽，色彩饱和度更高，更为关键的是，LED灯饰光源的使用寿命长达60000小时，能彻底解决传统灯泡光源寿命短的问题。未来，LED光源的应用会成为主流。因此，如何提高LED光源发出光的利用率，就显得尤为重要。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的目的是提供一种提高LED光源发出的光的利用率的光源。为此，本专利技术提供了一种增强型的LED光源，包括基底层，所述基底层上方设置有反光层，所述反光层的上方设置有第一介质层，所述第一介质层的上方设置有透光层，所述透光层的上方设置有第二介质层，所述第二介质层的上方设置有第一透光导电层，所述第一透光导电层的上方设置有发光介质层，所述发光介质层的上方设置有第二透光导电层。所述透光层上设置有多个透光缝隙。所述基底层是由二氧化硅制成。所述反光层、透光层均由金制成。所述第一介质层、第二介质层均由二氧化硅制成。所述第一介质层、第二介质层均由聚甲基丙烯酸甲酯制成。所述第一透光导电层、第二透光导电层均由透光导电材料制成。所述第一透光导电层、第二透光导电层均由石墨烯制成。所述第一透光导电层、第二透光导电层均由金属氧化物透光导电材料制成。所述发光介质为GaAs或InGaAs制成。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的这种增强型的LED光源，由反光层、第一介质层、透光层组成一个共振腔，将LED光源发出的光进行共振反射，从而使得所有的光能够集中向光源的一侧，提高了光的利用率，而且该共振腔相比于现有技术中的普通光反射结构，达到同样距离的反射效果可以设计的更薄，另外，使用厚度可调的介质层，可以对反射光的相位进行调节，达到削弱或者增强LED光源发出的光的效果。并且利用石墨烯作为透明导电层作为电极可以使反射回来的光透过电极，另一方面体提供更多的载流子增强发光层的发光效率。以下将结合附图对本专利技术做进一步详细说明。附图说明图1是增强型的LED光源的结构示意图。图中：1、基底层；2、反光层；3、第一介质层；4、透光层；5、第二介质层；6、第一透光导电层；7、发光介质层；8、第二透光导电层；9、透光缝隙。具体实施方式为进一步阐述本专利技术达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及实施例对本专利技术的具体实施方式、结构特征及其功效，详细说明如下。实施例1本实施例提供了一种如图1所示的增强型的LED光源，包括基底层1，基底层1具有支撑的作用，所述基底层1上方设置有反光层2，所述反光层2的上方设置有第一介质层3，所述第一介质层3的上方设置有透光层4，反光层2、第一介质层3、透光层4形成一个共振腔；所述透光层4的上方设置有第二介质层5，所述第二介质层5的上方设置有第一透光导电层6，所述第一透光导电层6的上方设置有发光介质层7，所述发光介质层7的上方设置有第二透光导电层8，第一透光导电层6、第二透光导电层8可以作为两个电极，其中，第二透光导电层8作为正极，第一透光导电层6作为正极作为负极，分别于外接电源的正负极电连接，这样就可以在发光介质层7上加载电源，使得发光介质层7能够发光，这样，就组成发光源；由于发光源发出的光会同时向哥哥方向传播，因此，第一透光导电层6、第二透光导电层8均选用透光率比较高的材料制成；而且在发光介质层7的下方设计一个共振腔，可以将向下传播的光进行共振反射，使得向下传播的光，能够在较小的距离反射，从而与向上传播的光进行相位叠加，提高光源发出的光的利用。进一步的，所述透光层4上设置有多个透光缝隙9；这样反光层2、第一介质层3、透光层4形成的共振腔，就是法布里-珀罗腔；第一介质层3的厚度需满足法布里-珀罗腔内发生共振的要求，其中，n为第一介质层3的折射率，L为第一介质层3与第二介质层5的厚度之和，λ为光源发出的光的波长，m为整数，一般第一介质层3的厚度范围可在20～60nm之间；透光缝隙9宽度为50～130nm，优先的选择为60nm、65nm、70nm等。进一步的，所述反光层2、透光层4均由金制成，为了确保光能够顺利透过透光层4,透光层4的厚度为10～30nm,透光层4厚度优先的选择10nm；其次是15nm、25nm、20nm其他的厚度，透光层4不仅具有反射共振波长的光的作用，还有透射共振波长的光的作用，因此，既要考虑透射率也要考虑反射率，在对透光层4进行选择的时候，根据实际需要检测的光的波长范围，选择相适应的透光层4。进一步的，所述基底层1的主要作用是支撑设置在其上的其他部件，因此，基底层1考虑的主要因素是坚固性，可以是由二氧化硅或者二氧化锰等制成。进一步的，所述第一介质层3、第二介质层5主要考虑的是透光特性要好，因此第一介质层3、第二介质层均由二氧化硅制成。进一步的，所述第一透光导电层6、第二透光导电层8均由透光导电材料制成，因此，第一透光导电层6、第二透光导电层8可以均由石墨烯制成或者第一透光导电层6、第二透光导电层8均由金属氧化物透光导电材料制成；金属氧化物透光导电材料可以为TCO，还可以是其他的材料，例如FTO、ZAO等。需要说明的是，第一透光导电层6优先选择石墨烯制成，石墨烯的厚度比较薄，使得反射光满足共振腔的共振要求，设计更加的简单。进一步的，所述发光介质7为GaAs或InGaAs制成；所述发光介质7的厚度为50nm～80nm，优先的选择为60nm、65nm、70nm、75nm等。实施例2一种增强型的LED光源，包括基底层1，基底层1具有支撑的作用，所述基底层1上方设置有反光层2，所述反光层2的上方设置有第一介质层3，所述第一介质层3的上方设置有透光层4，反光层2、第一介质层3、透光层4形成一个共振腔；所述透光层4的上方设置有第二介质层5，所述第二介质层5的上方设置有第一透光导电层6，所述第一透光导电层6的上方设置有发光介质层7，所述发光介质层7的上方设置有第二透光导电层8，第一透光导电层6、第二透光导电层8可以作为两个电极，分别于外接电源的正负极电连接，这样就可以在发光介质层7上加载电源，使得发光介质层7能够发光，这样，就组成发光源；由于发光源发出的光会同时向哥哥方向传播，因此，第一透光导电层6、第二透光导电层8均选用透光率比较高的材料制成；而且在发光介质层7的下方设计一个共振腔，可以将向下传播的光进行共振反射，使得向下传播的光，能够在较小的距离反射，从而与向上传播的光进行相位叠加，提高光源发出的光的利用进一步的，所述反光层2、透光层4均由金制成，为了确保光能够顺利透过透光层4,透光层4的厚度为10～30nm,透光层4厚度优先的选择1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增强型的LED光源，其特征在于：包括基底层(1)，所述基底层(1)上方设置有反光层(2)，所述反光层(2)的上方设置有第一介质层(3)，所述第一介质层(3)的上方设置有透光层(4)，所述透光层(4)的上方设置有第二介质层(5)，所述第二介质层(5)的上方设置有第一透光导电层(6)，所述第一透光导电层(6)的上方设置有发光介质层(7)，所述发光介质层(7)的上方设置有第二透光导电层(8)。

【技术特征摘要】
1.一种增强型的LED光源，其特征在于：包括基底层(1)，所述基底层(1)上方设置有反光层(2)，所述反光层(2)的上方设置有第一介质层(3)，所述第一介质层(3)的上方设置有透光层(4)，所述透光层(4)的上方设置有第二介质层(5)，所述第二介质层(5)的上方设置有第一透光导电层(6)，所述第一透光导电层(6)的上方设置有发光介质层(7)，所述发光介质层(7)的上方设置有第二透光导电层(8)。2.如权利要求1所述的一种增强型的LED光源，其特征在于：所述透光层(4)上设置有多个透光缝隙(9)。3.如权利要求1所述的一种增强型的LED光源，其特征在于：所述基底层(1)是由二氧化硅制成。4.如权利要求1所述的一种增强型的LED光源，其特征在于：所述反光层(2)、透光层(4)均由金制成。5.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：金华伏安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33