光刻设备和方法技术

一种执行衬底的光刻曝光的方法，衬底保持在衬底台上，衬底台包括可操作用以冷却衬底台的冷却系统，方法包括，执行衬底的对准测量，施加热量至衬底台以减小由冷却系统所提供对衬底台的冷却，在执行对准测量时刻与执行光刻曝光时刻之间施加热量，以及执行衬底的光刻曝光。

Lithography equipment and methods

A method for performing photolithographic exposure of a substrate is maintained on a substrate platform, which includes a cooling system operable to cool the substrate platform. The method includes performing alignment measurement of the substrate, applying heat to the substrate platform to reduce the cooling of the substrate platform provided by the cooling system, applying heat between the alignment measurement time and the photolithographic exposure time, and persistence. Lithographic exposure of row substrates.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻设备和方法相关申请的交叉引用本申请要求享有2016年10月7日提交的EP申请No.16192775.1的优先权，并在此通过全文引用的方式将其并入本文。
本专利技术涉及一种光刻设备和方法。
技术介绍
光刻设备是将期望图案施加至衬底上、通常至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在该情形中，备选地称作掩模或刻线板的图案化装置可以用于产生将要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以转移至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或数个管芯的一部分)上。图案的转移通常是经由成像至提供于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进机，其中通过一次将整个图案曝光值目标部分上而照射每个目标部分，以及所谓的扫描机，其中通过沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案穿过辐射束同时平行于或反平行于该方向扫描衬底而照射每个目标部分。也能够通过将图案压印至沉底上而将图案从图案化装置转移至衬底。为了控制光刻工艺以精确地施加期望图案至衬底上，在衬底上提供对准标记，并且为光刻设备提供对准系统。配置对准系统以执行测量，其确定提供在衬底上对准标记的位置。使用由对准系统做出的测量而执行对准。可以希望例如提供改进光刻曝光精确度的光刻设备和方法。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供了一种执行衬底的光刻曝光的方法，衬底被保持在衬底台上，衬底台包括可操作为冷却衬底台的冷却系统，方法包括：执行衬底的对准测量；施加热量至衬底台以减小由冷却系统所提供的对衬底台的冷却，在执行对准测量的时刻与执行光刻曝光的时刻之间施加热量；以及执行衬底的光刻曝光。施加热量至衬底台有利地减小了由衬底台所保持的衬底所经历的热漂移。由衬底经历的减小热漂移导致更精确的光刻曝光，因为衬底的目标部分更靠近它们的测量对准位置。可以在对准测量已经开始之前开始施加热量。可以在对准测量期间开始热量的施加。在对准测量已经开始之前或者在对准测量期间施加热量至衬底台，可以有利地为衬底的温度稳定至在执行光刻曝光之前减小衬底的热漂移提供时间。施加至衬底台的热量的量可以随时间变化。随时间变化施加至衬底台的热量有利地准许在减小衬底热漂移中更大的灵活度。例如，可以随时间变化施加热量的第一量至衬底以便于稳定化衬底台的温度，随后可以随时间变化施加小于热量的第一量的热量的第二量至衬底，以便于维持衬底台的稳定化温度。可以跨衬底台分布热量以实现跨衬底台的期望温度。以期望方式跨衬底台分布热量允许将跨衬底台的不同温度梯度用于确定何时减少衬底的热漂移。例如，如果在光刻曝光期间转移至衬底台的热量跨衬底台分布不均匀，则热量可以跨衬底台分布以使得与其他区域相比更多热量转移至衬底台的一些区域。在施加至衬底台的热量和因热量被施加至衬底台所致的衬底台变化温度之间的延迟被用于确定何时施加热量至衬底台。考虑在施加热量至衬底台与因被施加至衬底台的热量所致的衬底台改变温度之间的延迟可以有利地提高减小衬底热漂移的精确度。衬底台可以包括被配置为将衬底固定至衬底台的夹具，并且热量可以施加至夹具。施加热量至夹具可以有利地允许更大地减小衬底的热漂移。可以配置热量的施加，从而在执行对准测量时刻衬底台的温度与在执行衬底的光刻曝光时刻衬底台的温度相同。在执行对准测量的时刻与执行衬底的光刻曝光时刻之间维持衬底台的温度可以有利地最小化衬底的热漂移。热量的施加可以是基于光刻曝光的曝光设置。一个或多个光刻曝光设置，诸如例如不同照射模式(例如四极照射、双极照射灯)、管芯大小、辐射剂量、曝光狭缝大小、衬底台扫描速度等可以影响衬底的热漂移。基于光刻设备的曝光设置而施加热量有利地允许以更大精确度减小衬底的热漂移。在光刻工艺期间衬底台的温度变化可以是已知的且在光刻工艺中预定间隔期间可以发声热量的施加，间隔取决于衬底台的已知温度变化。如果在光刻工艺期间由衬底台经历的温度变化是已知的，则可以在光刻工艺中以预定间隔施加热量至衬底台，以当减小衬底热漂移时引起已知温度变化。在预定间隔期间施加热量至衬底台可以视作是前馈方法。可以监视衬底台的温度。监视的结果可以用于确定施加热量至衬底台的速率。根据本专利技术的第二方面，提供了一种光刻设备，包括：照射系统，被配置为调节辐射束；支座，被构造为支撑图案化装置，图案化装置能够在其截面赋予辐射束图案以形成图案化的辐射束；衬底台，被配置为固定衬底，衬底台包括可操作用以冷却衬底台的冷却系统；投影系统，被配置为将图案化的辐射束投影至衬底的目标部分上；以及，加热元件，被配置为施加热量至衬底台以减小由冷却系统提供的对衬底台的冷却。光刻设备可以包括被配置为控制加热元件的处理器，其中处理器可以被进一步配置为使得加热元件在执行衬底的对准测量时刻与执行衬底的光刻曝光时刻之间施加热量至衬底台。加热元件可以包括电加热器。加热元件可以包括多个电加热器，以及电加热器可以分布跨衬底台以实现跨衬底台的期望温度。光刻设备可以进一步包括反馈回路，反馈回路包括被配置为监视衬底台的温度的温度监视器、加热元件以及被配置为使用从温度监视器接收的信息而控制加热元件的处理器，反馈回路被配置为减小由冷却系统提供的对衬底台的冷却。处理器可以被配置为考虑在施加热量至衬底台与由于施加至衬底台的热量而引起的衬底台改变温度之间的延迟。处理器可以经由提供至加热元件的电流的脉冲宽度调制而控制加热元件。根据本专利技术的第三方面，提供了一种计算机程序，包括被配置用以使得计算机执行根据本专利技术第一方面的方法和/或其任意相关选项的计算机可读指令。根据本专利技术的第四方面，提供了一种用于存储计算机可读代码的计算机可读介质，其中代码使得光刻设备执行本专利技术第一方面的方法和/或其任意相关选项。根据本专利技术的第五方面，提供了一种用于控制光刻设备的计算机设备，计算机设备包括：存储器，存储了处理器可读指令；以及处理器，设置用以读取并执行存储在所述存储器中的指令；其中所述处理器可读指令包括设置用以控制计算机以执行根据本专利技术第一方面的方法和/或其任意相关选项的指令。附图说明现在将仅借由示例的方式参考所附示意图描述本专利技术的实施例，其中：-图1示意性描绘了根据本专利技术的一个实施例的光刻设备；-图2是由衬底台所经历光刻工艺的示例的示意图；-图3是在由衬底台所经历的光刻工艺期间衬底台的温度与时间的对比图；-图4是根据本专利技术的一个实施例的方法的流程图；-图5是根据本专利技术的一个实施例的、在由衬底台所经历光刻工艺期间衬底台的温度与时间的对比图；-图6示意性描绘了根据本专利技术实施例的衬底台；以及-图7示意性描绘了根据本专利技术实施例的衬底台。具体实施方式尽管在本文中可以对于IC制造中使用光刻设备做出具体参考，应该理解在此所述的光刻设备可以具有其他应用，诸如集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该知晓，在这些备选应用的上下文中，术语“晶片”或“管芯”的任何使用在此可以视作分别与更常用术语“衬底”或“目标部分”含义相同。可以例如在轨道(通常施加抗蚀剂层至衬底并显影已曝光抗蚀剂的工具)或度量或检查工具中在曝光之前或之后处理在此涉及的衬底。其中可应用的，在此本公开可以适用于这些和其他衬底处理工具。进一步，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种执行衬底的光刻曝光的方法，所述衬底被保持在衬底台上，所述衬底台包括可操作为冷却所述衬底台的冷却系统，所述方法包括：执行所述衬底的对准测量；施加热量至所述衬底台以减小由所述冷却系统提供的、对所述衬底台的冷却，所述热量在执行所述对准测量的时刻与执行所述光刻曝光的时刻之间被施加；以及执行所述衬底的所述光刻曝光。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.07 EP 16192775.11.一种执行衬底的光刻曝光的方法，所述衬底被保持在衬底台上，所述衬底台包括可操作为冷却所述衬底台的冷却系统，所述方法包括：执行所述衬底的对准测量；施加热量至所述衬底台以减小由所述冷却系统提供的、对所述衬底台的冷却，所述热量在执行所述对准测量的时刻与执行所述光刻曝光的时刻之间被施加；以及执行所述衬底的所述光刻曝光。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述对准测量已经开始之前开始热量的所述施加。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述对准测量期间开始热量的所述施加。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，被施加至所述衬底台的热量的量随时间变化。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述热量跨所述衬底台地分布以实现跨所述衬底台的期望温度。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在施加热量至所述衬底工作与所述衬底台由于被施加至所述衬底台的所述热量所致的改变温度之间的延迟被用于确定何时施加热量至所述衬底台。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述衬底台包括被配置为将所述衬底固定至所述衬底台的夹具，以及其中所述热量被施加至所述夹具。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，热量的所述施加被配置为使得所述衬底台的在执行所述对准测量的时刻的温度与所述衬底台的在执行所述衬底的所述光刻曝光的时刻的温度相同。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，热量的所述施加是基于所述光刻曝光的曝光设置。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述衬底台在光刻工艺期间的温度变化是已知的，以及其中热量的所述施加在所述光刻工艺中的预定的间隔期间发生，所述间隔取决于所述衬底台的已知的所述温度变化。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述衬底台的温度被监视。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述监视的结果被用于确定热量被施加至所述衬底台的速率。13.一种光刻设备，包括：照射系统，被配置为调节辐射束；支座，被构造为支撑图案化装置，所述图案化装置能够...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·纳基伯格鲁，M·E·威尔，S·C·R·德克斯，J·W·莫伦，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL