阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，其中阵列基板包括基板；阵列层，所述阵列层置于所述基板上；阳极走线层，所述阳极走线层置于所述阵列层上；第一像素限定层，所述第一像素限定层为无机层且置于所述阵列层上；第一开口，贯穿整个所述第一像素限定层；第二像素限定层，所述第二像素限定层置于所述第一像素限定层上；第二开口，贯穿整个所述第二像素限定层；其中，所述第一开口在所述阵列层上的投影完全落入所述第二开口在所述阵列层上的投影内。本发明专利技术的优点在于通过形成双层像素限定层来限定发光区域，改善混色问题，同时用无机材料作为像素限定层可改善像素区的水氧阻隔性能。

Array Substrate and Its Fabrication Method and Display Device

The invention discloses an array substrate and its fabrication method and display device, in which the array substrate includes a substrate; an array layer, the array layer is placed on the substrate; an anode line layer, the anode line layer is placed on the array layer; a first pixel limit layer, the first pixel limit layer is an inorganic layer and is placed on the array layer; and a first opening runs through the whole said array layer. The first pixel restriction layer; the second pixel restriction layer, the second pixel restriction layer is placed on the first pixel restriction layer; the second opening runs through the entire second pixel restriction layer; where the projection of the first opening on the array layer completely falls into the projection of the second opening on the array layer. The advantages of the present invention are that the luminous region is limited by forming a double-layer pixel limiting layer, and the color mixing problem is improved. At the same time, the water-oxygen barrier performance of the pixel region can be improved by using inorganic materials as the pixel limiting layer.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
有机电致发光(OrganicLightingEmittingDiode)器件简称OLED，因OLED器件具有自发光，色彩丰富，响应速度快，视角广，重量轻，可做成柔性显示屏等优点而受到广泛关注。然而，在OLED器件制作中，某些制程潜在一些风险，甚至影响到产品的品质。如像素限定层，传统像素限定层是通过一次曝光显影技术制作，该技术虽然较为简单，但形成的像素区域易造成混色，且水氧阻隔性能较差。有机电致发光二极管(OLED，OrganicLightEmittingDiode)是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构等优点。因此，利用有机电致发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。现有技术中，针对有机薄膜电致发光器件，其有机电致发光层形成方法有：一、真空蒸镀方法，适用于有机小分子，其特点是有机电致发光层的形成不需要溶剂，薄膜厚度均一，但是设备投资大、材料利用率低、不适用于大尺寸产品的生产；二、采用有机电致发光材料的溶液制成有机电致发光层，包括旋涂、喷墨打印、喷嘴涂覆法等，适用于聚合物材料和可溶性小分子，其特点是设备成本低，在大规模、大尺寸生产上优势突出。特别是喷墨打印技术，能将溶液精准的喷墨到像素区中，形成有机电致发光层。但是其最大的难点是有机电致发光材料的溶液在像素区内难以形成厚度均一的有机电致发光层。如图6，中国专利CN106784409A中提到在基板上通过喷墨打印或旋涂方式形成像素限定层的第一层第一像素限定层，再利用喷墨打印技术直接形成位于第一膜层下方的、网格状的有机第二膜层，然后去除与网格状的第二膜层的镂空位置对应的第一膜层，从而形成像素限定层，该方法对混色问题无法解决。如图7，中国专利CN104393192A中提到的像素限定层包括第一像素限定层和层叠在第一像素限定层之上的第二像素限定层，第一个像素限定层的截面呈上窄下宽的正梯形，第二像素限定层的截面呈上宽下窄的倒梯形，第一像素限定层和第二像素限定层分别为亲水的负性光阻和疏水的正性光阻，两层像素限定层通过涂布曝光显影制作，该方法虽然有利于避免阳极和阴极短路以及阴极开路现象，但倒梯形区域蒸镀较为困难，很难满足区域内全部蒸镀上发光材料。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，解决现有技术形成像素限定层的区域容易混色，水氧阻隔性能差的问题。本专利技术提供了一种阵列基板，包括基板；阵列层，所述阵列层置于所述基板上；阳极走线层，所述阳极走线层置于所述阵列层上；第一像素限定层，所述第一像素限定层为无机层且置于所述阵列层上；第一开口，贯穿整个所述第一像素限定层；第二像素限定层，所述第二像素限定层置于所述第一像素限定层上；第二开口，贯穿整个所述第二像素限定层；其中，所述第一开口在所述阵列层上的投影完全落入所述第二开口在所述阵列层上的投影内。进一步地，所述阵列基板还包括发光层，覆于所述阳极走线层表面且填充于所述第一开口。进一步地，所述第一开口与所述第二开口形成台阶型结构，所述第二开口内边缘距离所述第一开口与内边缘为100-200nm。进一步地，所述第一开口具有第一上底面，朝向所述第二开口；第二下底面，朝向所述阳极走线层；所述第一开口的宽度从所述第一上底面至所述第一下底面依次减小；所述第二开口具有第二上底面，远离所述第一开口；第二下底面，朝向所述第一开口；所述第二开口的宽度从所述第二上底面至所述第二下底面依次减小。进一步地，所述第一像素限定层材质为无机材料，包括氮化硅、氮氧化硅，氧化硅中的一种；所述第二像素限定层材质为有机材料，包括亚克力，聚酰亚胺，环氧树脂中的一种。本专利技术还提供了一种阵列基板的制备方法，包括，S1)提供基板；S2)在所述基板上形成阵列层，在所述阵列层表面镀上阳极走线层；S3)在所述阵列层上形成第一像素限定层以及贯穿整个所述第一像素限定层的第一开口，该第一开口对应所述阳极走线层；S4)在所述第一像素限定层上形成第二像素限定层以及贯穿整个所述第二像素定义层中的第二开口，所述第二开口对应于所述第一开口且所述第一开口在所述阵列层上的投影完全落入所述第二开口在所述阵列层上的投影内；S5)提供蒸镀掩膜板，通过所述蒸镀掩膜板在所述第一开口区域内蒸镀发光层；S6)在所述第二像素限定层和所述发光层表面形成阴极走线层。进一步地，在步骤S3)中包括在所述阵列层的上气相沉积一层无机材料形成无机层，通过曝光显影对所述无机层进行图案化处理，通过干刻法形成第一像素限定层和形成所述第一开口。进一步地，在步骤S5)中，所述蒸镀掩膜板形状与所述第一开口吻合。进一步地，对所述色阵列基板进行封装，通过化学气相沉积法在所述第二像素层上形成第一无机膜层；在所述第一无机膜层上喷墨打印形成有机膜层；在所述有机膜层通过化学气相沉积法形成第二无机膜层。本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述阵列基板。本专利技术的优点是：本专利技术的阵列基板及其制作方法、显示装置是通过形成双层像素限定层来限定发光区域，改善混色问题，同时用无机材料作为像素限定层可改善像素区的水氧阻隔性能。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步解释。图1是实施例中阵列基板形成第一像素限定层的示意图。图2是实施例中阵列基板形成第二像素限定层的示意图。图3是实施例中阵列基板形成发光层的示意图。图4是实施例中阵列基板示意图。图5是实施例中阵列基板的制作方法流程图。图6是现有技术中无法解决混色问题的像素限定层示意图。图7是现有技术中无法解决蒸镀问题的像素限定层示意图。图8是实施例中显示装置示意图。图中100显示装置；10阵列基板；110基板；120阵列层；130阳极走线层；140第一像素限定层；150第二像素限定层；160发光层；170阴极走线层；180封装膜层；1210缓冲层；1220有源层；1230第一绝缘层；1240栅极走线；1250第二绝缘层；1260源极；1270漏极；1280第三绝缘层；12810过孔；1410第一开口；1510第二开口；1810第一无机膜层；1820有机膜层；1830第二无机膜层；具体实施方式以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。实施例如图4所示，在本实施例中，本专利技术的阵列基板10，包括基板110、阵列层120、阳极走线层130、第一像素限定层140、第二像素限定层150、发光层160和阴极走线层170。所述阵列层120包括形成于所述基板110上的缓冲层1210、有源层1220、第一绝缘层1230、栅极走线1240、第二绝缘层1250、源极1260、漏极1270和第三绝缘层1280。其中，所述有源层1220设于所述缓冲层1210，所述第一绝缘层1230覆盖所述有源层1220和所述缓冲层1210，所述栅极走线1240设于所述第一绝缘层1230上，所述第二绝缘层1250覆盖所述栅极走线1240，所述源极1260和所述漏极1270设于所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板；阵列层，所述阵列层置于所述基板上；阳极走线层，所述阳极走线层置于所述阵列层上；第一像素限定层，所述第一像素限定层为无机层且置于所述阵列层上；第一开口，贯穿整个所述第一像素限定层；第二像素限定层，所述第二像素限定层置于所述第一像素限定层上；第二开口，贯穿整个所述第二像素限定层；其中，所述第一开口在所述阵列层上的投影完全落入所述第二开口在所述阵列层上的投影内。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板；阵列层，所述阵列层置于所述基板上；阳极走线层，所述阳极走线层置于所述阵列层上；第一像素限定层，所述第一像素限定层为无机层且置于所述阵列层上；第一开口，贯穿整个所述第一像素限定层；第二像素限定层，所述第二像素限定层置于所述第一像素限定层上；第二开口，贯穿整个所述第二像素限定层；其中，所述第一开口在所述阵列层上的投影完全落入所述第二开口在所述阵列层上的投影内。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括发光层，覆于所述阳极走线层表面且填充于所述第一开口。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开口与所述第二开口形成台阶型结构，所述第二开口内边缘距离所述第一开口与内边缘为100-200nm。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开口具有第一上底面，朝向所述第二开口；第二下底面，朝向所述阳极走线层；所述第一开口的宽度从所述第一上底面至所述第一下底面依次减小；所述第二开口具有第二上底面，远离所述第一开口；第二下底面，朝向所述第一开口；所述第二开口的宽度从所述第二上底面至所述第二下底面依次减小。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素限定层材质为无机材料，包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的一种；所述第二像素限定层材质为有机材料，包括亚克力、聚酰亚胺、环氧树脂中的一种。6.一种阵列基板的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张兴永，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42