一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路制造技术

本发明专利技术涉及一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，属于电流采样处理技术领域。本发明专利技术包括BUCK变换器电路，电流偏置电路，电流采样电路，直流误差消除电路。BUCK变换器电路与外接直流电源相连，并同时与所述电流采样电路相连；电流偏置电路与所述电流采样电路相连；电流采样电路相连与所述直流误差消除电路相连；直流误差消除电路与所述电流偏置电路相连。本发明专利技术实时对BUCK变换器中高低两端的金属‑氧化物半导体场效应晶体管进行电流采样，电流偏置电路为电流采样电路以及直流误差消除电路提供合适的电流偏置，同时直流误差消除电路可消除电流采样过程中存在的直流误差，提高电流采样的精度，解决了传统电流采样方式中采样不连续的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路
本专利技术涉及一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，属于电流采样处理

技术介绍
众多的电子产品在工作过程中都需要知道直流电源的电流大小，尤其是在对电流精度要求比较高的电路中，不仅需要监视实时的电流大小，还需要将实时采样到的电流值反馈到环路控制中。目前，大部分研究集中于直流变压器采样，以及通过采样电阻两端的电压来反映电流，但是这样不适合用于大电流电路，也不适合将体积做得很小，最后会导致整个系统的效率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：本专利技术提供一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，该电路实时运用BUCK变换器中高低两端的金属-氧化物半导体场效应晶体管进行电流采样，电流偏置电路为电流采样电路以及直流误差消除电路提供合适的电流偏置，同时直流误差消除电路可消除电流采样过程中存在的直流误差，提高电流采样的精度。整个电路体积小，质量轻，解决了传统电流采样方式中采样不连续的特点，采样速度快，延时小，实时性高，并保证了电流采样的精度。本专利技术技术方案是：一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，其特征在于：包括BUCK变换器电路(1)，电流偏置电路(2)，电流采样电路(3)，直流误差消除电路(4)，所述BUCK变换器电路(1)与外接直流电源Vin相连，并同时与所述电流采样电路(3)相连；所述电流偏置电路(2)与所述电流采样电路(3)相连；所述电流采样电路(3)与所述直流误差消除电路(4)相连；所述直流误差消除电路(4)与所述电流偏置电路(2)相连。

【技术特征摘要】
1.一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，其特征在于：包括BUCK变换器电路(1)，电流偏置电路(2)，电流采样电路(3)，直流误差消除电路(4)，所述BUCK变换器电路(1)与外接直流电源Vin相连，并同时与所述电流采样电路(3)相连；所述电流偏置电路(2)与所述电流采样电路(3)相连；所述电流采样电路(3)与所述直流误差消除电路(4)相连；所述直流误差消除电路(4)与所述电流偏置电路(2)相连。2.根据权利要求要求1所述的一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，其特征在于：所述BUCK变换器电路(1)包括电感L1，电阻R1，电解电容C1，型号为FSJ260D的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q1、Q2；所述电阻R1的一端与地GND相连，另一端与所述电解电容C1的正极端相连；所述电解电容C1的负极端与地GND相连；所述电感L1的一端与所述电解电容C1的正极端相连，另一端与所述场效应晶体管Q2的漏极相连，并与SW接口相连；所述场效应晶体管Q2的源极与地GND相连，栅极与所述场效应晶体管Q1的栅极相连，并与MS接口相连；所述场效应晶体管Q1的源极与所述场效应晶体管Q2的漏极相连，漏极与外部直流电源相连。3.根据权利要求要求2所述的一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，其特征在于：所述电流偏置电路(2)包括型号为74LS04的四输入与非门芯片U1A，型号为2SK2097的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q3，型号为FQP9N50的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q6、Q8，型号为TN0635的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q7、Q9，型号为IRFF9210的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q4、Q5，型号为2SK2870的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q10，型号为M33417的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q11、Q12，型号为104的瓷片电容C2、C3；所述与非门芯片U1A的1端口与EN接口相连，2端口与所述场效应晶体管Q3的栅极相连，并与接口相连；所述场效应晶体管Q3的源极与外部直流电源VCC相连，漏极与所述场效应晶体管Q6的漏极相连；所述场效应晶体管Q6的源极与外部直流电源VCC相连，栅极与漏极相连，并与所述场效应晶体管Q8的栅极相连；所述场效应晶体管Q8的源极与外部直流电源VCC相连，漏极与所述场效应晶体管Q9的源极相连；所述场效应晶体管Q7的源极与所述场效应晶体管Q6的漏极相连，栅极与漏极相连，并与所述场效应晶体管Q9的栅极相连，与所述场效应晶体管Q4的漏极相连；所述场效应晶体管Q9的漏极与所述场效应晶体管Q10的漏极相连，并与Port3接口相连；所述场效应晶体管Q4的栅极与Port1接口相连，源极与所述场效应晶体管Q5的漏极相连；所述场效应晶体管Q10的栅极与Port3接口相连，源极与Port4接口相连；所述场效应晶体管Q5的栅极与Port2接口相连，源极与地GND相连；所述场效应晶体管Q11的栅极与EN接口，漏极与Port4接口相连，源极与地GND相连；所述场效应晶体管Q12的漏极、栅极与Port4接口相连，源极与地GND相连；所述瓷片电容C2的一端与Port4相连，另一端与地GND相连；所述瓷片电容C3的一端与Port3相连，另一端与地GND相连。4.根据权利要求要求3所述的一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，其特征在于：所述电流采样电路(3)包括型号为2SK3873的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q19，型号为S9018的NPN型三极管Q17、Q18、Q26，型号为STC6332的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q15、Q20，型号为MCH6421的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q16、Q21，型号为20k的可调电阻VR1，型号为AP9915H的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q24，型号为AOD4142的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q13、Q22，型号为MCH3359的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q14...

【专利技术属性】
技术研发人员：马贞，陈丽，王玉巧，李志营，
申请(专利权)人：黄河科技学院，
类型：发明
国别省市：河南,41