过温保护电路制造技术

一种过温保护电路，其特征在于，包括：内部电源产生单元，用于作为电压源提供第一电压；内部电流产生单元，用于作为额定电流源提供额定电流；比较判断单元，所述比较判断单元的电压输入端连接所述内部电源产生单元的输出端，所述比较判断单元的电流输入端连接所述内部电流产生单元的输出端；所述比较判断单元用于根据温度大小，产生对应输出信号，实现使能数字信号输出。所述过温保护电路结构简单，在用于过温保护的同时，能够节省功耗。

Overtemperature protection circuit

An overtemperature protection circuit is characterized by: an internal power generation unit for providing the first voltage as a voltage source; an internal current generation unit for providing the rated current as a rated current source; and a comparative judgment unit, in which the voltage input terminal of the comparative judgment unit connects the output terminal of the internal power generation unit and the current transmission of the comparative judgment unit. The input end is connected with the output end of the internal current generating unit, and the comparative judgment unit is used to generate corresponding output signals according to the temperature to realize the output of enabling digital signals. The overtemperature protection circuit has simple structure and can save power consumption while being used for overtemperature protection.

【技术实现步骤摘要】
过温保护电路
本技术涉及电子
，尤其涉及一种过温保护电路。
技术介绍
随着半导体工艺以及微电子技术的快速发展，过温保护技术已广泛应用于消费电子、通信设备、工业应用和航空航天等各个领域。为了便于电子系统对芯片进行过温保护，芯片内部通常设置温度监控，用于控制芯片的过温关断，因此芯片内部通常需要设计过温保护电路。通常应用中，芯片内建电路会将温度信息转化成相关电压或电流信息，让过温保护电路得知温度高低，并在到达临界温度时，产生关断信号，来保护相应组件避免毁损。然而，现有过温保护电路通常带来功耗上的损失，或者影响芯片中带隙电压的稳定。例如，在图1所示的过温保护电路中，包括了一个NPN管11和一个缓冲器13，NPN管11的集电极连接电流源12，同时NPN管11的集电极作为过温保护电路的信号输出端。图1所示的过温保护电路中，也可以不使用缓冲器13，但是，不使用缓冲器13时，在进入过温保护状态下，NPN管11会把连接在基极的基准电压拉下来(即产生对基准电压的扰动影响)，而基准电压被拉下来，容易造成对其它元件供电的影响，而如果加上目前的缓冲器13，则缓冲器13本身需要消耗一定的电流，带来功率的损本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过温保护电路，其特征在于，包括：内部电源产生单元，用于作为电压源提供第一电压；内部电流产生单元，用于作为额定电流源提供额定电流；比较判断单元，所述比较判断单元的电压输入端连接所述内部电源产生单元的输出端，所述比较判断单元的电流输入端连接所述内部电流产生单元的输出端；所述比较判断单元用于根据温度大小，产生对应输出信号，实现使能数字信号输出。

【技术特征摘要】
1.一种过温保护电路，其特征在于，包括：内部电源产生单元，用于作为电压源提供第一电压；内部电流产生单元，用于作为额定电流源提供额定电流；比较判断单元，所述比较判断单元的电压输入端连接所述内部电源产生单元的输出端，所述比较判断单元的电流输入端连接所述内部电流产生单元的输出端；所述比较判断单元用于根据温度大小，产生对应输出信号，实现使能数字信号输出。2.如权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，还包括迟滞转换单元，所述迟滞转换单元位于所述比较判断单元与电路的数字信号输出端之间。3.如权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，所述内部电源产生单元的电源输入端连接高压电源，并用于将所述高压电源转换成低压电源，用于给所述比较判断单元提供所述第一电压，所述内部电源产生单元的电源输出端作为所述比较判断单元的比较电压点；所述内部电流产生单元的电源输入端连接输入所述高压电源，并用于将所述高压电源转换成额定电流电源，用于给所述比较判断单元提供所述额定电流。4.如权利要求2或3所述的过温保护电路，其特征在于，所述比较判断单元包括第一NMOS管、第二NMOS管和n个NPN管，n为2以上的整数；所述第一NMOS管的漏极连接所述内部电流产生单元的输出端，所述第一NMOS管的栅极连接所述内部电源产生单元的输出端；第1个NPN管的集电极连接所述第一NMOS管的源极；n个NPN管中的后一个NPN管的集电极连接前一个NPN管的发射极，并且n个NPN管各自的集电极和基极相连；所述第二NMOS管为耗尽型NMOS管，所述第二NMOS管的漏极连接第n个NPN管的发射极，所述第二NMOS管的栅极和源极相连，所述第二NMOS管的源极接地。5.如权利要求4所述的过温保护电路，其特征在于，所述迟滞转换单元包括反相器和第三NMOS管；所述反相器的输入端连接所述内部电流产生单元的输出端；所述第三NMOS管的栅极连接所述反相器的输出端，所述第三NMOS管的漏极连接第n个NPN管的集电极和基极，所述第三NMOS管的源极连接第n个NPN管的发射极。6.如权利要求5所述的过温保护电路，其特征在于，n等于5。7.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄富俊，
申请(专利权)人：厦门元顺微电子技术有限公司，友顺科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35