一种真空蒸镀源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种真空蒸镀源，涉及真空蒸镀设备技术领域，其中一种真空蒸镀源包括：蒸镀腔体，其内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架；坩埚，设置于所述蒸镀腔体内部，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽；密封过渡装置，设置于所述坩埚的开口处；所述密封过渡装置设置有开合状态可控的隔离门；当所述隔离门打开时，所述坩埚内的蒸镀蒸汽可通过所述密封过渡装置进入蒸镀腔体；当所述隔离门关闭时，所述蒸镀腔体与所述坩埚隔离。通过本实用新型专利技术，可以将蒸镀腔体与坩埚隔离，实现仅对蒸镀腔体破真空而不影响坩埚内的蒸镀材料，或者仅对坩埚破真空而不影响蒸镀腔体内已制备的OELD的性能，从而能够减少快速破真空的成本。

A Vacuum Evaporation Plating Source

The utility model discloses a vacuum evaporation source, which relates to the technical field of vacuum evaporation plating equipment. One of the vacuum evaporation sources includes: evaporation chamber, which is internally provided with a base plate support for placing the substrate to be evaporated; crucible, which is arranged in the inner part of the evaporation chamber for heating evaporation material to sublimate or form evaporation vapor; sealing transition device, which is arranged in the crucible. The opening of the crucible; the sealing transition device is provided with an isolation door in a controlled opening and closing state; when the isolation door is opened, the evaporation steam in the crucible can enter the evaporation chamber through the sealing transition device; and when the isolation door is closed, the evaporation chamber is isolated from the crucible. By the utility model, the evaporation chamber and the crucible can be separated, and the evaporation material in the crucible can be broken only for the evaporation chamber without affecting the vacuum, or only for the crucible without affecting the performance of the OELD prepared in the evaporation chamber, thereby reducing the cost of rapidly breaking the vacuum.

【技术实现步骤摘要】
一种真空蒸镀源
本技术涉及真空蒸镀设备
，具体涉及一种真空蒸镀源。
技术介绍
真空蒸镀是指在真空环境中将蒸镀材料加热形成蒸汽或者使蒸镀材料升华，从而将蒸镀材料镀到基板的技术，广泛应用于OLED的生产过程中。如图1所示，现有的真空蒸镀源包括蒸镀腔体1、基板支架2和坩埚3，其中基板支架2和坩埚3均设置于蒸镀腔体1内。坩埚3用于加热蒸镀材料使其升华或形成蒸汽向四周扩散，扩散的蒸镀材料贴附于基板上。在制作OLED时，蒸镀材料为形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等功能层的有机小分子或者大分子材料，由于这些有机材料易受到水气与氧气的影响，从而导致所制备的器件性能劣化、使用寿命短。因此，制作OLED时蒸镀腔体必须为真空环境，如图1所示，蒸镀腔体1还设置有两个通孔，分别连接用于抽取蒸镀腔体1内部空气的真空泵5和用于破除蒸镀腔体1内真空环境的气体源6。当蒸镀腔体1处于真空状态时，若坩埚3或蒸镀腔体1内的其他装置发生异常需要处理时，必须先利用气体源6向蒸镀腔体1内充入气体以破除真空环境，方才能够进行处理。然而，温度较高的有机材料接触到大气环境时会影响有机分子的载子移动率和能态关系，从而影响蒸镀腔体内已制备的OLED的性能以及使坩埚内剩余的蒸镀材料报废形成浪费。由此可见，在生产过程中设备出现异常时，快速破真空的成本过高。为此，现有技术必须等待整个真空环境的温度降至100℃以下才能够开启气体源6破除真空，从而从设备出现异常至开始维修所需等待的时间较长。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种真空蒸镀源，以解决现有真空蒸镀设备在生产过程中出现异常时，快速破真空的成本过高问题。根据第一方面，本技术实施例提供了一种真空蒸镀源，包括：蒸镀腔体，其内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架；坩埚，设置于所述蒸镀腔体内部，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽；密封过渡装置，设置于所述坩埚的开口处；所述密封过渡装置设置有开合状态可控的隔离门；当所述隔离门打开时，所述坩埚内的蒸镀蒸汽可通过所述密封过渡装置进入蒸镀腔体；当所述隔离门关闭时，所述蒸镀腔体与所述坩埚隔离。可选地，所述密封过渡装置包括与所述坩埚的开口相适应的筒体，所述隔离门可滑动设置于所述筒体的边沿上，所述边沿朝向和/或背离所述坩埚。可选地，所述密封过渡装置的侧壁开设有第一通孔和/或第二通孔，第一通孔用于与真空泵密封连接，第二通孔用于与气体源密封连接。可选地，所述第一通孔和/或所述第二通孔设置有可密封的电磁阀门。可选地，所述筒体内部凹陷设置具有多个第三通孔的板块，所述第三通孔连通所述蒸镀腔体与所述坩埚。可选地，在所述筒体突出于所述板块的筒壁上设置第一通孔和/或第二通孔；第一通孔用于与真空泵密封连接，第二通孔用于与气体源密封连接。可选地，所述气体源为储备有氮气或者惰性气体的装置。可选地，所述真空蒸镀源还包括加热源，用于对所述坩埚进行加热。根据第二方面，本技术实施例提供了一种真空蒸镀源，包括：蒸镀腔体，其内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架；所述蒸镀腔体的一侧设有开口；坩埚，设置于所述蒸镀腔体外部，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽；密封过渡装置，与所述蒸镀腔体的开口、所述坩埚的开口分别连接；所述密封过渡装置设置有开合状态可控的隔离门；当所述隔离门打开时，所述坩埚内的蒸镀蒸汽可通过所述密封过渡装置进入蒸镀腔体；当所述隔离门关闭时，所述蒸镀腔体与所述坩埚隔离。可选地，所述密封过渡装置包括与所述坩埚的开口相适应的筒体，所述隔离门可滑动设置于所述筒体的边沿上，所述边沿朝向和/或背离所述坩埚。可选地，所述密封过渡装置的侧壁开设有第一通孔和/或第二通孔，第一通孔用于与真空泵密封连接，第二通孔用于与气体源密封连接。可选地，所述第一通孔和/或所述第二通孔设置有可密封的电磁阀门。可选地，所述筒体内部凹陷设置具有多个第三通孔的板块，所述第三通孔连通所述蒸镀腔体与所述坩埚。可选地，在所述筒体突出于所述板块的筒壁上设置第一通孔和/或第二通孔；第一通孔用于与真空泵密封连接，第二通孔用于与气体源密封连接。可选地，所述气体源为储备有氮气或者惰性气体的装置。可选地，所述真空蒸镀源还包括加热源，用于对所述坩埚进行加热。本技术所提供的真空蒸镀源中，当密封过渡装置的隔离门打开时，通过坩埚加热蒸镀材料使其升华或形成蒸汽后，可经过设置于坩埚开口处的密封过渡装置扩散至蒸镀腔体，贴附于基板表面，正常完成蒸镀过程。当密封过渡装置的隔离门关闭时，蒸镀腔体与坩埚隔离，便可以对蒸镀腔体快速破真空(无需等待坩埚冷却至预定温度)以维修蒸镀腔体，不会导致坩埚内剩余的蒸镀材料报废，从而减少快速破真空的成本；或者，对坩埚快速破真空(无需等待蒸镀腔体冷却至预定温度)以维修坩埚，不会影响蒸镀腔体内已制备的OLED的性能，从而减少快速破真空的成本。附图说明通过参考附图会更加清楚的理解本技术的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本技术进行任何限制，在附图中：图1示出了现有技术中真空蒸镀源的结构示意图；图2示出了根据本技术实施例的一种真空蒸镀源的结构示意图；图3示出了根据本技术实施例的另一种真空蒸镀源的结构示意图；图4示出了根据本技术实施例的隔离门打开时密封过渡装置的一种结构示意图；图5示出了根据本技术实施例的隔离门关闭时密封过渡装置的结构示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一图2示出了根据本技术实施例的一种真空蒸镀源的结构示意图，该真空蒸镀源包括蒸镀腔体10、基板支架20、坩埚30和密封过渡装置40。蒸镀腔体10的内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架20。坩埚30设置于蒸镀腔体10内部，密封过渡装置40设置于坩埚30的开口处，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽。密封过渡装置40设置有开合状态可控的隔离门。当隔离门打开时，坩埚30内的蒸镀蒸汽可通过密封过渡装置40进入蒸镀腔体10；当隔离门关闭时，蒸镀腔体10与坩埚30隔离。上述真空蒸镀源中，当密封过渡装置的隔离门打开时，通过坩埚加热蒸镀材料使其升华或形成蒸汽后，可经过设置于坩埚开口处的密封过渡装置扩散至蒸镀腔体，贴附于基板表面，正常完成蒸镀过程。当密封过渡装置的隔离门关闭时，蒸镀腔体与坩埚隔离，便可以对蒸镀腔体快速破真空(无需等待坩埚冷却至预定温度)以维修蒸镀腔体，不会导致坩埚内剩余的蒸镀材料报废，从而减少快速破真空的成本；或者，对坩埚快速破真空(无需等待蒸镀腔体冷却至预定温度)以维修坩埚，不会影响蒸镀腔体内已制备的OLED的性能，从而减少快速破真空的成本。作为本实施例的一种可选实施方式，如图4和图5所示，密封过渡装置40包括与坩埚30的开口相适应的筒体41，隔离门42可滑动设置于筒体41的边沿上，该边沿朝向和/或背离坩埚30。蒸镀腔体形成真空、破真空的方式可以是通过设置在蒸镀腔体上的通孔，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空蒸镀源，其特征在于，包括：蒸镀腔体，其内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架；坩埚，设置于所述蒸镀腔体内部，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽；密封过渡装置，设置于所述坩埚的开口处；所述密封过渡装置设置有开合状态可控的隔离门；当所述隔离门打开时，所述坩埚内的蒸镀蒸汽可通过所述密封过渡装置进入蒸镀腔体；当所述隔离门关闭时，所述蒸镀腔体与所述坩埚隔离。

【技术特征摘要】
1.一种真空蒸镀源，其特征在于，包括：蒸镀腔体，其内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架；坩埚，设置于所述蒸镀腔体内部，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽；密封过渡装置，设置于所述坩埚的开口处；所述密封过渡装置设置有开合状态可控的隔离门；当所述隔离门打开时，所述坩埚内的蒸镀蒸汽可通过所述密封过渡装置进入蒸镀腔体；当所述隔离门关闭时，所述蒸镀腔体与所述坩埚隔离。2.一种真空蒸镀源，其特征在于，包括：蒸镀腔体，其内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架；所述蒸镀腔体的一侧设有开口；坩埚，设置于所述蒸镀腔体外部，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽；密封过渡装置，与所述蒸镀腔体的开口、所述坩埚的开口分别连接；所述密封过渡装置设置有开合状态可控的隔离门；当所述隔离门打开时，所述坩埚内的蒸镀蒸汽可通过所述密封过渡装置进入蒸镀腔体；当所述隔离门关闭时，所述蒸镀腔体与所述坩埚隔离。3.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀源，其特征在于，所述密封过渡装置包括与...

【专利技术属性】
技术研发人员：景东，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32