A semiconductor device inspection method is a semiconductor device inspection method for inspecting the inspected body, i.e. the semiconductor device, which includes: the steps of inputting a stimulus signal to the semiconductor device; the steps of obtaining a detection signal corresponding to the response of the semiconductor device to which the stimulus signal is input; and generating a reference signal including detection according to the detection signal and the reference signal generated based on the stimulus signal. The steps of the first in-phase image and the first orthogonal image of the amplitude and phase information in the signal; and the steps of generating the first amplitude image based on the first in-phase image and the first orthogonal image after filtering at least one of the first in-phase image and the first orthogonal image to reduce noise.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体设备检查方法及半导体设备检查装置
本专利技术涉及一种半导体设备检查方法及半导体设备检查装置。
技术介绍
一直以来,已知有用于集成电路的检查的光探测技术。在光探测技术中,将自光源出射的光照射至集成电路,并利用光传感器检测由集成电路反射的反射光,取得检测信号。继而,在所取得的检测信号中,选出设为目标的频率,并将其振幅能量显示为时间上的经过或者显示为振幅或相位等的二维映射。由此,可特定出以目标频率动作的电路的位置。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2010-271307号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题如上所述的光探测技术是能够特定出集成电路等半导体设备中的故障部位及故障原因等的极为有效的技术。然而,在取得检测信号的情况下,有时因光源或系统引起的噪声与测量结果重叠,而原本无信号的区域的振幅未必成为0(零)。例如,在作为光探测技术的EOFM(ElectroOpticalFrequencyMapping(电光频率映像))中,即使降低光源的噪声,依赖于光子数的散粒噪声也必定残存。因此,与光量的平方根成比例的噪声成分会与测量结果重叠。本专利技术的目的在于,提供一种可精度良好地实施半导体设备的检查的半导体设备检查方法及半导体设备检查装置。解决问题的技术手段在一个方面中,进行被检查体即半导体设备的检查的半导体设备检查方法包含如下步骤:对半导体设备输入刺激信号;取得与被输入了刺激信号的半导体设备的反应对应的检测信号;根据检测信号及基于刺激信号生成的参照信号,生成包含检测信号中的振幅信息及相位信息的第1同相图像及第1正交图像;及对第1同相图像及第1正交图像 ...
【技术保护点】
1.一种半导体设备检查方法,其特征在于,是进行作为被检查体的半导体设备的检查的半导体设备检查方法,包含:对所述半导体设备输入刺激信号的步骤;取得与被输入了所述刺激信号的所述半导体设备的反应对应的检测信号的步骤;根据所述检测信号及基于所述刺激信号生成的参照信号,生成包含所述检测信号中的振幅信息及相位信息的第1同相图像及第1正交图像的步骤;及对所述第1同相图像及所述第1正交图像的至少一者实施降低噪声的滤波处理之后,基于该第1同相图像及该第1正交图像而生成第1振幅图像的步骤。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.28 JP 2016-1897841.一种半导体设备检查方法,其特征在于,是进行作为被检查体的半导体设备的检查的半导体设备检查方法,包含:对所述半导体设备输入刺激信号的步骤;取得与被输入了所述刺激信号的所述半导体设备的反应对应的检测信号的步骤;根据所述检测信号及基于所述刺激信号生成的参照信号,生成包含所述检测信号中的振幅信息及相位信息的第1同相图像及第1正交图像的步骤;及对所述第1同相图像及所述第1正交图像的至少一者实施降低噪声的滤波处理之后,基于该第1同相图像及该第1正交图像而生成第1振幅图像的步骤。2.如权利要求1所述的半导体设备检查方法,其特征在于,还包含:基于所述第1同相图像与所述第1正交图像而生成相位图像的步骤;基于所述第1振幅图像与所述相位图像而生成第2同相图像及第2正交图像的步骤;及对所述第2同相图像及所述第2正交图像的至少一者实施降低噪声的滤波处理之后,基于该第2同相图像及该第2正交图像而生成第2振幅图像的步骤。3.如权利要求1或2所述的半导体设备检查方法,其特征在于,还具有:以原本未检测出所述检测信号的背景区域中的所述第1同相图像及所述第1正交图像的信号强度的平均值成为0的方式,将所述第1同相图像与所述第1正交图像偏移的步骤,在生成所述第1振幅图像的步骤中,对被偏移的所述第1同相图像及所述第1正交图像的至少一者实施所述滤波处理。4.如权利要求1所述的半导体设备检查方法,其特征在于,还包含:以原本未检测出所述检测信号的背景区域中的所述第1同相图像及所述第1正交图像的信号强度的平均值成为0的方式,将所述第1同相图像与所述第1正交图像偏移的步骤;基于偏移了的所述第1同相图像与所述第1正交图像而生成相位图像的步骤;基于所述第1振幅图像与所述相位图像而生成第2同相图像及第2正交图像的步骤;及对所述第2同相图像及所述第2正交图像的至少一者实施降低噪声的滤波处理之后,基于该第2同相图像及该第2正交图像而生成第2振幅图像的步骤。5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体设备检查方法,其特征在于,用于所述滤波处理的滤波器为中值滤波器、非局部平均滤波器及频率滤波器的任一者。6.一种半导体设备检查装置,其特征在于,是在对作为被检查体的半导体设备输入了刺激信号的状态下进行所述半导体设备的检查的半导体设备检查装置,包含:检测器,其检测被输入所述刺激信号的所述半导体设备的反应,且输出检测信号;及图像处理部,其根据所述检测信号、及基于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:中村共则,大高章弘,
申请(专利权)人:浜松光子学株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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