化学气相沉积装置制造方法及图纸

一种化学气相沉积装置，具备在内部进行气相生长的反应炉和从所述反应炉排出气体的排气配管，所述排气配管具有至少1个弯曲部，在所述弯曲部具备从所述弯曲部向不同的方向延伸出且在内部具有堆积物的存积空间的至少1个配管延长部。

Chemical Vapor Deposition Device

A chemical vapor deposition device is provided with a reaction furnace for gas phase growth inside and an exhaust pipe discharging gas from the reaction furnace. The exhaust pipe has at least one bending part which extends in different directions from the bending part and has at least one pipe extension part with accumulation space inside.

【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积装置
本专利技术涉及化学气相沉积装置。本申请基于在2017年11月13日在日本申请的专利申请2017-218061号要求优先权，将其内容援引于此。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition：CVD)装置被广泛地用作为各种各样的层的成膜手段。例如，在碳化硅(SiC)的外延膜的生长中也利用化学气相沉积装置。在使用了CVD法的成膜中，向反应炉内供给气体，来在基板表面生长出结晶。供给至反应炉内的气体之中的未反应的气体从排气配管排出。该未反应的气体在排气配管内发生反应从而以副产物的形式堆积，有时阻塞排气配管。排气配管的阻塞是CVD装置的不良情况的原因的之一。为了防止排气配管的阻塞，需要进行定期性的清扫。清扫的期间不能够开动CVD装置，因此使CVD装置的生产能力大幅地降低。在专利文献1中记载了一种在排气配管的弯曲部具备具有堆积物除去单元的配管延长部的化学气相沉积装置。在专利文献1中记载了能够通过利用堆积物除去单元击溃堆积物来除去堆积物。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-94194号公报
技术实现思路
然而，专利文献1中记载的化学气相沉积装置，存在堆积物堵塞在配管延长部与堆积物除去单元之间从而堆积物除去单元变得不能发挥作用的情况。另外，存在在推顶堆积物的前方再次产生堆积物的问题。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的是提供抑制了排气配管的阻塞的化学气相沉积装置。本专利技术人进行了深入研究的结果，并不是想要除去堆积物的构思，而是研究了使堆积物选择性地产生于规定的位置。其结果，本专利技术人发现：若限定堆积物的产生部位，则能抑制在其他部分上的堆积物的产生，能够防止排气配管的阻塞。即，本专利技术为了解决上述课题而提供以下的方案。(1)第1方式涉及的化学气相沉积装置，具备在内部进行气相生长的反应炉和从上述反应炉排出气体的排气配管，上述排气配管具有至少1个弯曲部，在上述弯曲部具备从上述弯曲部延伸出且在内部具有存积空间的至少1个配管延长部。上述第1方式的装置，优选地包含以下的特征。也优选以下的特征相互组合。(2)在上述方式涉及的化学气相沉积装置中，上述配管延长部可以位于向上述弯曲部流入的气体的流动方向的延长线上。(3)在上述方式涉及的化学气相沉积装置中，可以相对于一个上述弯曲部包含多个上述配管延长部。(4)在上述方式涉及的化学气相沉积装置中，上述配管延长部可以分别位于向上述弯曲部流入的气体的流动方向的延长线上、和与从上述弯曲部流出的气体的流出方向相反的一侧。(5)在上述方式涉及的化学气相沉积装置中，上述配管延长部的长度可以为5cm以上且30cm以下。(6)在上述方式涉及的化学气相沉积装置中，在上述反应炉中进行的气相生长可以为SiC的外延生长。(7)在上述方式涉及的化学气相沉积装置中，上述SiC的外延生长可以为使用了Cl系气体的外延生长。(8)在上述方式涉及的化学气相沉积装置中，使用时的上述反应炉内的压力可以为2kPa以上且50kPa以下。根据上述方式涉及的化学气相沉积装置，能够抑制排气配管的阻塞。附图说明图1是表示本专利技术的一个方式涉及的化学气相沉积装置的优选的例子的概略示意图。附图标记说明10反应炉20排气配管22第1弯曲部22A第1配管22B第2配管24第2弯曲部26第1配管延长部26A第1存积空间27第2配管延长部27A第2存积空间28第3配管延长部28A第3存积空间30过滤器40排气泵100化学气相沉积装置具体实施方式以下，一边适当参照附图一边对本实施方式进行详细说明。为了容易理解本专利技术的特征，在以下的说明中使用的附图有时为了方便起见而放大地显示成为特征的部分，各构成要素的尺寸比率等可以与实际不同也可以与实际没有不同。在以下的说明中所例示的材质、尺寸等为一例，本专利技术并不被它们限定，能够在不变更其主旨的范围内进行适当变更来实施。图1是本实施方式涉及的化学气相沉积装置100的示意图。图1所示的化学气相沉积装置100，具备反应炉10、排气配管20、过滤器30和排气泵40。排气配管20可具有多个弯曲部。通过利用弯曲部来弯曲排气配管20，能够降低化学气相沉积装置100的占有面积。弯曲部是气体的流动的主方向发生变化的部分。换言之，配管和配管在弯曲部结合，两侧的配管(配管部)的延伸方向相互不同。在图1中，将在弯曲部的配管彼此构成的角设为90°(L字)进行了图示，但是并不限于该构成。例如，在弯曲部，配管可以弯曲成曲线状(U字)，也可以以配管彼此构成的角成为锐角(V字)的方式弯曲，也可以以配管彼此构成的角成为钝角的方式弯曲。上述锐角能够任意地选择，只要小于90°即可，例如可以为1°以上、30°以上、60°以上等。上述钝角能够任意地选择，只要大于90°且小于180°即可，可以为100°以上、130°以上、150°以上等。再者，排气配管20的截面可为圆形。在图1中，在化学气相沉积装置100具有的多个弯曲部之中的、第1弯曲部22和第2弯曲部24具备配管延长部。优选在全部的弯曲部具备配管延长部，但是也可以仅一部分弯曲部具备配管延长部。以下，将在第1弯曲部22具备的配管延长部称为第1配管延长部26，将在第2弯曲部24具备的配管延长部称为第2配管延长部27和第3配管延长部28。如第2弯曲部24那样，相对于一个弯曲部，配管延长部可以为1个，或者，也可以具备多个配管延长部。例如，一个弯曲部的配管延长部的数量可以为2、3、4等。配管延长部从弯曲部延伸出。配管延长部的延伸方向，也可以是与气体向弯曲部流入的主方向和气体从弯曲部流出的主方向的任一方向都不同的方向。第1配管延长部26位于向第1弯曲部22流入的气体的流动方向的延长线上。第2配管延长部27位于向第2弯曲部24流入的气体的流动方向的延长线上。第3配管延长部28位于与从第2弯曲部24流出的气体流动的方向(流出气体所处的那侧)相反的一侧的位置，即，位于隔着上述弯曲部而与流通上述流出的气体的配管相对的场所。优选配管延长部位于向弯曲部流入的气体的流动方向的延长线上。即，优选设置于图1所示的、第1弯曲部22中的第1配管延长部26的位置和第2弯曲部24中的第2配管延长部27的位置。例如，流入至第1弯曲部22中的气体暂时向第1配管延长部26流入。由于第1配管延长部26的一端被闭塞，因此流入的气体从第1配管延长部26朝向第2弯曲部24流动。也就是说，通过将第1配管延长部26设置于该位置，在第1配管延长部26产生紊流。另外，在相对于一个弯曲部存在多个配管延长部的情况下，优选配管延长部包含位于向弯曲部流入的气体的流动方向的延长线上的配管延长部、和位于与从弯曲部流出的气体的流动方向相反的一侧的、即向相反侧突出的配管延长部。即，优选在第2弯曲部24中的第2配管延长部27所处的位置和第3配管延长部28所处的位置设置配管延长部。通过在该位置设置配管延长部，从而在第2配管延长部27和第3配管延长部28内产生紊流。排气的紊流在配管延长部的内部强烈地产生。这是由于配管延长部被设于与沿着排气的主要流动方向的位置不同的位置的缘故。排气的一部分在配管延长部内滞留。若排气滞留，则构成排气的原料气体等进行反应，从而副产物堆积。即，堆积物在配管延长部的内部选择性地产生。在配管延长部的内部确保了充分的空本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学气相沉积装置，具备：在内部进行气相生长的反应炉；和从所述反应炉排出气体的排气配管，所述排气配管具有至少1个弯曲部，在所述弯曲部具备从所述弯曲部延伸出且在内部具有堆积物的存积空间的至少1个配管延长部。

【技术特征摘要】
2017.11.13 JP 2017-2180611.一种化学气相沉积装置，具备：在内部进行气相生长的反应炉；和从所述反应炉排出气体的排气配管，所述排气配管具有至少1个弯曲部，在所述弯曲部具备从所述弯曲部延伸出且在内部具有堆积物的存积空间的至少1个配管延长部。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，所述配管延长部位于向所述弯曲部流入的气体的流动方向的延长线上。3.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，相对于一个所述弯曲部，包含多个所述配管延长部。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：石桥直人，深田启介，梅田喜一，儿玉友弘，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP