The invention discloses a method for controlling the uniformity of printing on the surface of carbon-based materials. The material used for printing in the method contains ions, and the printed base material is a carbon-based material containing PI bonds. The concentration of ions in the material used for printing is greater than 0.000001 mol/L. The method has the advantages of simple process, easy operation, precise control of coffee ring effect on graphene/carbon-based surface, improved printing/coating pattern quality and good application prospect.
【技术实现步骤摘要】
一种控制碳基材料表面印刷均匀度的方法本申请要求申请日为2018年4月2日的中国专利申请CN201810284846.0的优先权。本申请引用该中国专利申请的全文。
本专利技术涉及一种控制碳基材料表面印刷均匀度的方法。
技术介绍
石墨烯拥有一系列优越的特性,使其在许多领域有着广阔的应用前景,尤其在电子器件领域(AdvMater,2012,24:5782)。例如,其高迁移率和高开关速度的优点尤其适合制造弹道型和高开关速度器件(微纳电子技术,2010,47:653)。石墨烯在整个可见光范围具有均匀、高光学透明度(约97.7%)和较好的面电阻(约0.1-6KΩ/cm-1),可用作透明晶体管,显示器,触摸屏和光电器件的透明电极。(ACSNano,2010,4:3927;AdvMater,2011,23:1889)由于其优良的电子性能、机械强度和弹性,在柔性衬底上的石墨烯可以用于制备可弯曲、卷曲、折叠和可拉伸的柔性电子器件(NanoLett,2011,11:3881)。石墨烯的单原子厚度和固有的低电噪声能使超灵敏的化学和生物传感器成为可能(EnvironSciTechnol,2010,44:1167;Sensors,2010,10:5133)。然而,石墨烯的固有物理性质很容易受到器件制造和加工步骤的影响(AdvMater,2012,24:5782;ChemSocRev,2012,41:97;Science,2009,323:610)。已有研究发现,常规的工艺如光刻技术和金属沉积等处理常常会将缺陷和杂质引入石墨烯器件,破坏石墨烯的晶格,从而降低其性能(AdvMater,2 ...
【技术保护点】
1.一种控制碳基材料表面印刷均匀度的方法,其特征在于,用于所述印刷的材料中含有离子,所述印刷的基底材料为含有π键的碳基材料;用于所述印刷的材料中离子的浓度大于0.000001mol/L。
【技术特征摘要】
2018.04.02 CN 20181028484601.一种控制碳基材料表面印刷均匀度的方法,其特征在于,用于所述印刷的材料中含有离子,所述印刷的基底材料为含有π键的碳基材料;用于所述印刷的材料中离子的浓度大于0.000001mol/L。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,用于所述印刷的材料为墨水或涂料。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述涂料为水性涂料或油性涂料;所述水性涂料较佳地为聚苯乙烯小球的水溶液、硅球的水溶液、和/或水性聚氨酯涂料。4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述聚苯乙烯小球的水溶液的浓度为0.1-5mg/mL,较佳地为1mg/mL;和/或,所述硅球的水溶液的浓度为0.1-5mg/mL,较佳地为1mg/mL;和/或,所述水性聚氨酯涂料的浓度为0.01-500mg/mL,较佳地为0.1-5mg/mL,更佳地为1mg/mL。5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述离子为无机阳离子、无机阴离子、有机阳离子和有机阴离子中的一种或多种。6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述无机阳离子为Mg2+、Ca2+、Li+、K+、Na+和NH4+中的一种或多种,较佳地为K+、Na+和Ca2+中的一种或多种;和/或,所述无机阴离子为F-、Cl-、Br-、I-、SO42-、CO32-和NO3-中的一种或多种;和/或,所述有机阳离子为季铵盐、季磷盐或阳离子聚丙烯酰胺;和/或,所述有机阴离子为有机酸的酸根、抗坏血酸或阴离子聚丙烯酰胺,较佳...
【专利技术属性】
技术研发人员:方海平,石国升,杨海军,侯铮迟,
申请(专利权)人:中国科学院上海应用物理研究所,
类型:发明
国别省市:上海,31
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