The invention relates to the field of graphite boat saturation of polycrystalline solar cells. A graphite boat saturation process for polycrystalline solar cells is presented. In NH3 pretreatment process, the furnace tube pressure is set to 1700mTorr, the radio frequency power is set to 6500w, the radio frequency duty ratio is 2ms:12ms, the flow rate of NH3 and N2 is 4slm, and the duration is 120s. In silicon nitride deposition process, the furnace tube pressure is set to 1800mTorr, the radio frequency power is set to 7000w, and the radio frequency duty ratio is 6ms:38ms. SiH4 flow rate is 850 sccm, NH3 flow rate is 7.5 slm, the fake film is saturated, the deposition time is set to 80 minutes, the empty boat is saturated, and the setting time is 40 minutes. The invention not only achieves the same saturation effect as the original process in a shorter deposition time.
【技术实现步骤摘要】
一种用于多晶太阳能电池的石墨舟饱和工艺
本专利技术涉及多晶太阳能电池的石墨舟饱和领域。
技术介绍
PECVD工艺是借助射频将活性气体SiH4和NH3电离，活性气体经解离形成了等离子体，这些高活性的等离子体之间又发生反应，在硅片上沉积出一层氮化硅薄膜。而石墨舟饱和工艺的作用是在石墨舟内壁上沉积一层氮化硅膜，从而使得内壁各处均呈氮化硅状态，这样会使石墨舟内部各处的氮化硅沉积速率趋于一致，从而使PECVD镀膜取得良好的均匀性。现有技术中，在NH3预处理过程中，预处理时间较长为12min，预处理过程中有清理表面杂质的作用；在氮化硅沉积过程中，占空比一般为5ms：40-50ms，即射频轰击时间5ms，间隔时间40-50ms；这样就导致饱和时间较长，由于饱和工艺和生产工艺在同一机台上运行，较大程度上影响了PECVD段的产能。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：如何在保持良好的饱和效果的前提下，减少石墨舟饱和工艺过程的时间。本专利技术所采用的技术方案是：一种用于多晶太阳能电池的石墨舟饱和工艺，在NH3预处理过程中，将炉管压力设定为1700mTorr，射频功率设定为6500...
【技术保护点】
1.一种用于多晶太阳能电池的石墨舟饱和工艺，其特征在于：在NH3预处理过程中，将炉管压力设定为1700mTorr，射频功率设定为6500w，射频占空比为2ms：12ms，NH3和N2流量均为4slm，持续时间120s；氮化硅沉积过程中，炉管压力设定为1800mTorr，射频功率设定为7000w，射频占空比为6ms：38ms，SiH4流量为850sccm，NH3流量为7.5slm，假片饱和，设定沉积时间80min，空舟饱和，设定时间40min。
【技术特征摘要】
1.一种用于多晶太阳能电池的石墨舟饱和工艺，其特征在于：在NH3预处理过程中，将炉管压力设定为1700mTorr，射频功率设定为6500w，射频占空比为2ms：12ms，NH3和N2流量均为4slm，持续时间120s；氮化...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾宇龙，王森涛，焦朋府，杨飞飞，崔龙辉，杨进，
申请(专利权)人：山西潞安太阳能科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山西,14
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