The invention discloses a solar cell carrier plate, which is an independent unit structure of a carrier plate matrix unit or an integral structure of multiple repeated carrier plate matrix units arranged and combined. The carrier plate matrix unit comprises a carrier plate support frame, a first step groove for supporting the edges of the silicon wafer and a second step groove in the first step groove, and the second step groove. A number of supporting points contacting the middle part of the silicon wafer are distributed in the groove. The invention contacts the silicon wafer by several supporting points contacted with the middle part of the silicon wafer, reduces the contact area, helps to reduce the friction between the silicon wafer and the carrier plate, reduces the damage of the film layer, effectively reduces the thermal effect of the carrier plate on the silicon wafer, facilitates the temperature adjustment of the silicon wafer, improves the heating rate of the silicon wafer, and fully contacts with the silicon wafer, so that the silicon wafer has good grounding and discharge in the The effect of stray electrons on the deposition of thin films during the process is removed to improve the quality and uniformity of film formation on silicon wafers.
【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池载板
本专利技术涉及太阳能电池制造
,尤其涉及一种太阳能电池载板。
技术介绍
载板承载着硅片进入腔室进行非晶硅薄膜沉积,硅片在腔室内快速升温,使得硅片在短时间内达到工艺所需温度,是决定镀膜沉积效率的先决条件。而硅片内各个点的温度、膜层厚度以及膜层质量的均匀性是决定电池片性能高低的关键因素。硅片的升温速率和镀膜均匀性与载板密切相关,传统的载板结构有全实心结构和全镂空结构,全实心结构一般为硅片与载板全面积接触如图一所示,达到硅片与载板同步加热,因硅片热容远小于载板的热容,硅片的温度完全受控于载板,欲把硅片温度加热到工艺温度,必须先把载板的温度加热到工艺温度,严重降低了系统的升温效率,且全面积接触容易造成硅片的非晶硅膜层与载板产生不同程度的摩擦,影响电池的电气性能;而全镂空结构的优点在于硅片与载板的接触面积少,膜层与载板间摩擦少,同时温度控制可以通过气体传导方式进行,便于控制,然而全镂空结构如图二所示,由于硅片中间部分悬空,硅片只有四周边缘接触载板接地,造成硅片表面电场分布不均匀,容易造成硅片各点的膜层质量不一,影响电池最终的电气性能。因此为了解决上 ...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池载板,其特征在于:所述载板为一片载板基体单元的独立单位结构或多片重复的载板基体单元排列组合的整体结构,所述载板基体单元包括载板支撑框、用于支撑硅片四周边缘的第一阶梯凹槽和设于第一阶梯凹槽内的第二阶梯凹槽,所述第二阶梯凹槽内分布有与硅片中间部分点接触的若干支撑点。
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池载板,其特征在于:所述载板为一片载板基体单元的独立单位结构或多片重复的载板基体单元排列组合的整体结构,所述载板基体单元包括载板支撑框、用于支撑硅片四周边缘的第一阶梯凹槽和设于第一阶梯凹槽内的第二阶梯凹槽,所述第二阶梯凹槽内分布有与硅片中间部分点接触的若干支撑点。2.根据权利要求1所述一种太阳能电池载板,其特征在于:所述载板及载板基体单元的厚度为1mm~30mm,所述载板基体单元结构上设的第一阶梯凹槽深度为0.1mm~1mm。3.根据权利要求1所述一种太阳能电池载板,其特征在于:所述载板基体单元结构上的阶梯凹槽内外棱角都进行倒角,倒角控制30°~90°之间。4.根据权利要求1所述一种太阳能电池载板,其特征在于:所述第一阶梯凹槽与硅片接触的阶梯为平面结构或倾斜结构,所述第一阶梯凹槽的阶梯宽度为2-6mm。5.根据权利要求4所述一种太阳能电池载板,其特征在于:所述第一阶梯凹槽与硅片...
【专利技术属性】
技术研发人员:庄辉虎,林锦山,杨与胜,宋广华,谢延权,王树林,
申请(专利权)人:福建钧石能源有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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