一种GaInAs激光电池外延层及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种GaInAs激光电池外延层及其制备方法，属于太阳能电池外延技术领域，所述GaInAs激光电池外延层包括：自下而上依次设置的GaAs衬底、Ga1‑xInxAs缓冲层、Ga1‑xInxAs过充层、背场层、基区层、发射区和窗口层；Ga1‑xInxAs缓冲层的厚度范围为100nm‑4000nm；Ga1‑xInxAs过充层的厚度范围为100nm‑500nm；背场层的厚度范围为50nm‑500nm；基区层的厚度范围为50nm‑5000nm；发射区层的厚度范围为50nm‑1000nm；窗口层的厚度范围为50nm‑1000nm。

【技术实现步骤摘要】
一种GaInAs激光电池外延层及其制备方法
本专利技术属于太阳能电池外延
，尤其涉及一种GaInAs激光电池外延层及其制备方法。
技术介绍
随着生产力的飞速发展，全世界对能源的需求正在猛烈地增长，经济发展对能源的依赖越来越严重，但现今以化石为主要能源结构日益显示出对人类生存环境严重的破坏力。光伏能源是最清洁环保的可再生能源之一，因为太阳能量的来源的无偿性、无地域性，可为人类世世代代提供取之不尽用之不竭的可再生清洁能源。激光电池在空间无线能量传输领域有很大的应用前景，适合在空间无线传输中作为能量接收器使用或信号接收器使用。高轨的空间飞行器太阳电池阵实现太阳能转换为电能，电能再转换为激光，借助激光电池实现激光对地面激光电池阵供能、激光对临近空间的无人机供能、激光对低轨的空间飞行器供能。以GaAs为代表的III-V族化合物具有许多优点，例如它具有直接带隙的能带结构，光吸收系数大，还具有良好的抗辐照性能和较小的温度系数，是作为激光电池的理想材料。不过GaAs材料带隙为1.43eV，对GaAs材料制备的激光电池进行光谱响应测试之后发现，其光谱响应截止波长大约在870nm附近，也就是说，对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaInAs激光电池外延层，其特征在于：所述GaInAs激光电池外延层包括：自下而上依次设置的GaAs衬底、Ga1‑xInxAs缓冲层、Ga1‑xInxAs过充层、背场层、基区层、发射区和窗口层；其中：所述Ga1‑xInxAs缓冲层，其中0.01≤x≤0.4，使用n型掺杂剂，掺杂浓度为1×10

【技术特征摘要】
1.一种GaInAs激光电池外延层，其特征在于：所述GaInAs激光电池外延层包括：自下而上依次设置的GaAs衬底、Ga1-xInxAs缓冲层、Ga1-xInxAs过充层、背场层、基区层、发射区和窗口层；其中：所述Ga1-xInxAs缓冲层，其中0.01≤x≤0.4，使用n型掺杂剂，掺杂浓度为1×1017-1×1019cm-3，厚度范围为100nm-4000nm；所述Ga1-xInxAs过充层，其中0.01≤x≤0.4，使用n型掺杂剂，掺杂浓度为1×1017-1×1019cm-3，厚度范围为100nm-500nm；所述背场层使用n型掺杂剂，掺杂浓度为1×1017-1×1019cm-3，厚度范围为50nm-500nm；所述基区层使用n型掺杂剂，掺杂浓度为1×1017-1×1019cm-3，厚度范围为50nm-5000nm；所述发射区层使用p型掺杂剂，掺杂浓度为1×1017-1×1019c...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐悦，高鹏，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：天津,12