扇出型半导体封装件制造技术

本公开提供一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括：芯构件，具有通孔；至少一个虚设结构，设置在所述芯构件中；半导体芯片，设置在所述通孔中，并包括设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面；包封剂，密封所述芯构件和所述半导体芯片中的每者的至少一部分，并填充所述通孔的至少一部分；及连接构件，设置在所述芯构件和所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。

Fan-out Semiconductor Package

【技术实现步骤摘要】
扇出型半导体封装件本申请要求于2017年11月1日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0144900号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种电连接结构可延伸到半导体芯片所设置的区域之外的扇出型半导体封装件。
技术介绍
减小组件的尺寸已经是半导体芯片的技术发展中的主要趋势。因此，在封装领域，随着对小尺寸的半导体芯片等的需求的快速增加，已需要实现多个引脚，同时实现小型化。扇出型半导体封装已作为封装技术类型被提出，以满足这样的需求。在这样的扇出型半导体封装件的情况下，连接端子还可重新分布到半导体芯片所设置的区域之外，以可在小型化的同时实现多个引脚。
技术实现思路
本公开的一方面提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件具有可有效地减少翘曲的发生的新颖结构。根据本公开的一方面，可将封装件支撑在包封半导体芯片的区域中，并且可设置其中可根据需要设计重新分布层的芯构件。一个或更多个虚设结构设置在芯构件中。根据本公开的一方面，一种扇出型半导体封装件包括：芯构件，具有通孔；至少一个虚设结构，设置在所述芯构件中；半导体芯片，设置在所述通孔中，并包括设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面；包封剂，密封所述芯构件和所述半导体芯片中的每者的至少一部分，并填充所述通孔的至少一部分；及连接构件，设置在所述芯构件和所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。所述虚设结构与所述半导体芯片电绝缘。根据本公开的一方面，一种扇出型半导体封装件包括：芯构件，具有第一通孔；第一虚设结构，利用半导体材料制成并设置在所述芯构件中；半导体芯片，设置在所述第一通孔中，并包括设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面；包封剂，密封所述芯构件和所述半导体芯片中的每者的至少一部分，并填充所述第一通孔的至少一部分；及连接构件，设置在所述芯构件和所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层，其中，所述第一虚设结构与所述连接构件的所述重新分布层电绝缘。附图说明通过结合附图进行的以下详细描述，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更加清楚地理解，在附图中：图1是示意性示出电子装置系统的示例的框图；图2是示意性示出电子装置的示例的透视图；图3A和图3B是示意性示出扇入型半导体封装件在被封装之前和被封装之后的截面图；图4是示意性示出扇入型半导体封装件的封装工艺的截面图；图5是扇入型半导体封装件安装在球栅阵列(BGA)基板上以最终被安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；图6是扇入型半导体封装件嵌在BGA基板中以最终被安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；图7是扇出型半导体封装件的示意性截面图；图8是示意性示出扇出型半导体封装件安装在电子装置的主板上的情况的截面图；图9是扇出型半导体封装件的示例的示意性截面图；图10是沿着图9的线I-I’截取的扇出型半导体封装件的示意性剖切平面图；图11A至图11D是制造图9的扇出型半导体封装件的方法的工艺的示意图；图12是扇出型半导体封装件的另一示例的示意性截面图；图13是沿着图12的线II-II’截取的扇出型半导体封装件的示意性剖切平面图；图14A至图14D是制造图12的扇出型半导体封装件的方法的工艺的示意图；图15是扇出型半导体封装件的另一示例的示意性截面图；及图16是沿着图15的线III-III’截取的扇出型半导体封装件的示意性剖切平面图。具体实施方式在下文中，将参照附图描述本公开的示例性实施例。为清楚起见，附图中的构成元件的形状和尺寸可被夸大或缩小。电子装置图1是电子装置系统的示例的示意性框图。参照图1，电子装置1000可在其中容纳主板1010。在主板1010中，芯片相关组件1020、网络相关组件1030、其他组件1040等可物理连接和/或电连接到彼此，并且也可与稍后将描述的其他组件连接，从而形成各种信号线1090。芯片相关组件1020的示例可包括以下芯片等，但不限于此：存储芯片，诸如易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM))、非易失性存储器(例如，只读存储器(ROM))、闪存等；应用处理器芯片，诸如中央处理器(例如，中央处理单元(CPU))、图形处理器(例如，图形处理单元(GPU))、数字信号处理器、密码处理器、微处理器、微控制器等；逻辑芯片，诸如模拟数字转换器、专用IC(ASIC)等。因此，芯片相关组件1020的示例中也可包括不同类型的芯片相关组件。此外，芯片相关组件1020也可彼此组合。网络相关组件1030的示例可包括：Wi-Fi(IEEE802.11族等)、WiMAX(IEEE802.16族等)、IEEE802.20、长期演进技术(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPS、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、蓝牙、3G、4G和5G以及随后提供的其他可选的无线协议和有线协议，但不限于此。此外，网络相关组件1030的示例中可包括任何多种其他无线或有限标准或协议。此外，网络相关组件1030也可与芯片相关组件1020组合。其他组件1040的示例可包括高频电感器、铁氧体电感器、功率电感器、铁氧体磁珠、低温共烧陶瓷(LTCC)、电磁干扰(EMI)滤波器和多层陶瓷电容器(MLCC)等，但不限于此。此外，其他组件1040的示例中可包括具有各种其他用途的无源组件等。此外，其他组件1040也可与芯片相关组件1020和/或网络相关组件1030组合。根据电子装置1000的类型，电子装置1000可包括可物理连接和/或电连接到主板1010或者可不物理连接和/或不电连接到主板1010的其他组件。其他组件的示例可包括例如相机1050、天线1060、显示器1070、电池1080、音频解码器(未示出)、视频解码器(未示出)、功率放大器(未示出)、指南针(未示出)、加速计(未示出)、陀螺仪(未示出)、扬声器(未示出)、大容量存储装置(例如，硬盘驱动器(未示出))、光盘(CD)驱动器(未示出)、数字通用光盘(DVD)驱动器(未示出)等，但不限于此。此外，根据电子装置1000的类型，电子装置1000的示例中可包括用于各种用途的其他组件。电子装置1000可以是智能电话、个人数字助理(PDA)、数码摄像机、数码相机、网络系统、计算机、监视器、平板PC、膝上型计算机、上网本计算机、电视机、视频游戏机、智能手表、汽车组件等，但不限于此。此外，也可使用用于数据处理的其他可选电子装置。图2是电子装置的示例的示意性透视图。参照图2，可在如上所述的各种电子装置中使用用于各种用途的半导体封装件。例如，母板1110可容纳在智能电话1100的主体1101中，并且各种组件1120可物理地连接和/或者电连接到母板1110。此外，可物理连接和/或电连接到母板1110或者可不物理连接和/或不电连接到母板1110的其他组件(诸如相机模块1130等)可容纳在主体1101中。组件1120中的一部分可以是芯片相关组件(例如，半导体封装件1121)，但不限于此。电子装置不必须限制于智能电话1100，而是也可以是如上所述的另外的电子装置。半导体封本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扇出型半导体封装件，包括：芯构件，具有通孔；至少一个虚设结构，设置在所述芯构件中；半导体芯片，设置在所述通孔中，并包括设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面；包封剂，密封所述芯构件和所述半导体芯片中的每者的至少一部分，并填充所述通孔的至少一部分；及连接构件，设置在所述芯构件和所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层，其中，所述至少一个虚设结构与所述半导体芯片电绝缘。

【技术特征摘要】
2017.11.01 KR 10-2017-01449001.一种扇出型半导体封装件，包括：芯构件，具有通孔；至少一个虚设结构，设置在所述芯构件中；半导体芯片，设置在所述通孔中，并包括设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面；包封剂，密封所述芯构件和所述半导体芯片中的每者的至少一部分，并填充所述通孔的至少一部分；及连接构件，设置在所述芯构件和所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层，其中，所述至少一个虚设结构与所述半导体芯片电绝缘。2.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述至少一个虚设结构包括硅。3.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件，其中，所述至少一个虚设结构为硅片。4.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述至少一个虚设结构和所述半导体芯片以并排方式设置。5.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，当所述芯构件和所述至少一个虚设结构被切割成平行于所述半导体芯片的所述无效表面的平面时，所述至少一个虚设结构的平面面积大于所述芯构件的平面面积。6.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述芯构件包括电连接到所述连接焊盘的分布层。7.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述芯构件包括第一绝缘层以及分别设置在所述第一绝缘层的两个表面上的第一分布层和第二分布层，并且所述第一分布层和所述第二分布层电连接到所述连接焊盘。8.根据权利要求7所述的扇出型半导体封装件，其中，所述芯构件还包括设置在所述第一绝缘层上并覆盖所述第一分布层的第二绝缘层、设置在所述第二绝缘层上的第三分布层、设置在所述第一绝缘层上并覆盖所述第二分布层的第三绝缘层以及设置在所述第三绝缘层上的第四分布层，并且所述第三分布层和所述第四分布层电连接到连接焊盘。9.根据权利要求8所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一绝缘层包括腔，所述至少一个虚设结构设置在所述腔中，并且所述至少一个虚设结构被所述第三绝缘层覆盖。10.根据权利要求8所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一绝缘层的厚度大于设置在所述第一绝缘层上的所述第二绝缘层的厚度和所述第三绝缘层的设置在所述第一绝缘层上的部分的厚度。11.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述芯构件包括：第一绝缘层；第一分布层，以所述第一分布层的下表面被暴露这样的方式嵌在所述第一绝缘层中；及第二分布层，设置在所述第一绝缘层的与所述第一绝缘层的嵌有所述第一分布层的一侧背对的一侧上，并且所述第一分布层和所述第二分布层电连接到所述连接焊盘。12.根据权利要求11所述的扇出...

【专利技术属性】
技术研发人员：金正守，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR