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一种碲硒纳米材料及其制备方法和应用技术

技术编号:21105634 阅读:109 留言:0更新日期:2019-05-16 03:45
本发明专利技术提供了一种新型碲硒纳米材料,包括二维碲硒纳米片,以及包覆在所述二维碲硒纳米片表面的形貌调控材料,所述二维碲硒纳米片的化学通式为TeSex,其中,x为Se与Te的摩尔比,x的取值范围为0

A Tellurium-Selenium Nanomaterial and Its Preparation Method and Application

The present invention provides a novel tellurium-selenium nano-material, which includes two-dimensional tellurium-selenium nanosheet and a morphological control material coated on the surface of the two-dimensional tellurium-selenium nanosheet. The chemical formula of the two-dimensional tellurium-selenium nanosheet is TeSex, where x is the molar ratio of Se to Te, and the range of X is 0.

【技术实现步骤摘要】
一种碲硒纳米材料及其制备方法和应用
本专利技术涉及纳米材料
,特别是涉及一种碲硒纳米材料及其制备方法和应用。
技术介绍
二维材料,是指电子仅可在两个维度的非纳米尺度(1-100nm)上自由运动(平面运动)的材料。近年来,石墨烯、黑磷(磷烯)、硅烯、锗烯、锑烯,以及金属二硫化物(如二硫化钛、二硫化钼)等一系列只有单原子层厚度的准二维材料相继被发现,它们在生物医学领域(如光热治疗、光动力治疗、载药治疗和光声成像)具有潜在的应用前景。但目前研究的这些材料很少能够兼具高稳定、低毒、强红外吸收和高光热转换效率等特点。因此,对于能进行生物应用的新型光热材料的研发势在必行。
技术实现思路
鉴于此,本专利技术提供了一种碲硒纳米材料及其制备方法和应用,所述碲硒纳米材料的光热效果明显、毒性低,制备方法简单。本专利技术第一方面提供了一种碲硒纳米材料,包括二维碲硒纳米片,以及包覆在所述二维碲硒纳米片表面的形貌调控材料,所述二维碲硒纳米片的化学通式为TeSex,其中,x为Se与Te的摩尔比,x的取值范围为0<x≤10。可选地,所述x的取值范围为0.25≤x≤1.5。例如为0.25、0.5、0.75、1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碲硒纳米材料,其特征在于,包括二维碲硒纳米片,以及包覆在所述二维碲硒纳米片表面的形貌调控材料,所述二维碲硒纳米片的化学通式为TeSex,其中,x为Se与Te的摩尔比,x的取值范围为0<x≤10。

【技术特征摘要】
1.一种碲硒纳米材料,其特征在于,包括二维碲硒纳米片,以及包覆在所述二维碲硒纳米片表面的形貌调控材料,所述二维碲硒纳米片的化学通式为TeSex,其中,x为Se与Te的摩尔比,x的取值范围为0<x≤10。2.如权利要求1所述的碲硒纳米材料,其特征在于,所述碲硒纳米材料的厚度为1-50nm;横向尺寸为10-500nm。3.如权利要求1所述的碲硒纳米材料,其特征在于,所述二维碲硒纳米片与所述形貌调控材料的质量比为1:(0.2-20)。4.如权利要求1所述的碲硒纳米材料,其特征在于,所述形貌调控材料包括聚乙烯吡咯烷酮、十六烷基三甲基溴化铵、聚苯乙烯磺酸钠、聚乙二醇胺、聚乳酸-羟基乙酸共聚物、聚乙烯亚胺、聚丙烯酸和聚乙二醇及其衍生物中的一种或多种。5.一种碲硒纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将碲源、硒源和形貌调控材料加入到溶剂中,得到第一混合液,并调节所述第一混合液的pH至8~10;其中,所述碲源中的碲元素与所述硒源中的硒元素的摩尔比为1:x,x的取值范围为0<x≤10;(2)将调节pH后的第一混合液置于反应釜中,加入还原剂,得到第二混合...

【专利技术属性】
技术研发人员:张晗陈世优
申请(专利权)人:深圳大学
类型:发明
国别省市:广东,44

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