振荡器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种振荡器，包括：原始电流支路、两个镜像电流支路、两个负载电容、比较电路和锁存器，原始电流支路在上电后产生原始电流并生成参考电压，比较电路分别将两个负载电容的电容电压与所述参考电压进行比较并输出比较信号，锁存器的输出电平在所述比较信号翻转时翻转，两个镜像电流支路与所述两个负载电容一一对应，所述两个镜像电流支路在所述锁存器的输出电平翻转时交替导通，以及在导通时从所述原始电流镜像拷贝得到镜像电流以给对应的负载电容充电。本实用新型专利技术具有低成本、高量产良率、高可靠性、宽电压范围、优良的温度特性的特点，而且修条可以只对负载电容进行，也可以针对负载电容和第三电阻同时进行，可以增强修条成功率。

oscillator

【技术实现步骤摘要】
振荡器
本技术涉及电路领域，尤其涉及一种振荡器。
技术介绍
经典的通用型555定时器是一种自激型脉冲振荡器，自1971年专利技术并量产使用以来在使用中产生过多种专用的时钟集成电路产品。这些产品通常具有确定的占空比(比如50％)，一定的精度和电压与温度使用范围。通过外接的电阻与电容或者参考电压的选择与组合，可以产生振荡器、时钟、施密特触发器，延时器，等等各种应用电路，现有的振荡器芯片电路复杂，而且使用中需要外挂电阻或电容，总体成本高。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种振荡器。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种振荡器，包括：原始电流支路，用于在上电后产生原始电流并生成参考电压；两个负载电容；比较电路，用于分别将两个负载电容的电容电压与所述参考电压进行比较并输出比较信号；锁存器，其输出电平在所述比较信号翻转时翻转；两个镜像电流支路，与所述两个负载电容一一对应，所述两个镜像电流支路在所述锁存器的输出电平翻转时交替导通；以及在导通时从所述原始电流镜像拷贝得到镜像电流以给对应的负载电容充电。可选的，所述负载电容为金属平板结构的MOM电容或者MIM电容；或者所述负载电容为MOSFET构成的电容，MOSFET的源极、漏极、衬底极连接在一起作为所述负载电容的一极，MOSFET的门极作为所述负载电容的另外一极。可选的，所述原始电流支路包括第一电阻RB和二极管连接状态的第一开关管，所述两个镜像电流支路结构相同且均包括第二开关管和第三开关管。可选的，所述第一开关管为第一MOS管，所述第二开关管为与所述第一MOS管类型相同的第二MOS管，所述第三开关管为第三MOS管。可选的，所述比较电路包括与两个负载电容一一对应的两个比较器，每个所述第二MOS管的漏极和源极之间连接对应的所述负载电容，且所述负载电容的连接所述第二MOS管的漏极的一极连接至对应的比较器的第一输入端，两个比较器的第二输入端均连接至所述原始电流支路以获取所述参考电压，两个比较器的输出端分别连接锁存器的两个输入端。可选的，所述振荡器还包括两个倒相器，所述锁存器的输出端连接至第一个倒相器的输入端，第一个倒相器的输出端连接第二个倒相器的输入端，第二个倒相器的输出端连接所述振荡器的输出端OUT，所述锁存器的输出端和第一个倒相器的输出端分别连接至两个所述第三MOS管的门极。可选的，每一所述镜像电流支路还包括第二电阻，所述第一电阻和第二电阻种类不同且温漂同向，所述原始电流支路还包括第三电阻，所述第一电阻和第三电阻种类相同，第一MOS管、两个第二MOS管的源极共接于所述振荡器的第一电源端，第一MOS管的门极分别连接两个第二MOS管的门极，第一MOS管的漏极经由所述第三电阻连接第一电阻的第一端，每个所述第二MOS管的漏极经由对应的第二电阻连接至相应的第三MOS管的漏极，第一电阻的第二端与两个第三MOS管的源极共接于所述振荡器的第二电源端，第三电阻为可调电阻，可调电阻的可调端连接至所述比较电路以提供所述参考电压,其中：所述第一MOS管、两个第二MOS管均为PMOS管，两个第三MOS管为NMOS管，所述第一电源端为电源端VDD，所述第二电源端为接地端VSS；或者，所述第一MOS管、两个第二MOS管均为NMOS管，两个第三MOS管为PMOS管，所述第一电源端为接地端VSS，所述第二电源端为电源端VDD。可选的，每一所述镜像电流支路还包括第二电阻，所述第一电阻和第二电阻种类不同且温漂同向，第一MOS管、两个第二MOS管的源极共接于所述振荡器的第一电源端，第一MOS管的门极分别连接两个第二MOS管的门极，第一MOS管的漏极连接第一电阻的第一端，每个所述第二MOS管的漏极经由对应的第二电阻连接至相应的第三MOS管的漏极，第一电阻的第二端与两个第三MOS管的源极共接于所述振荡器的第二电源端，第一MOS管的漏极还连接至所述比较电路以提供所述参考电压,其中：所述第一MOS管、两个第二MOS管均为PMOS管，两个第三MOS管为NMOS管，所述第一电源端为电源端VDD，所述第二电源端为接地端VSS；或者，所述第一MOS管、两个第二MOS管均为NMOS管，两个第三MOS管为PMOS管，所述第一电源端为接地端VSS，所述第二电源端为电源端VDD。可选的，所述原始电流支路还包括第二电阻，所述第一电阻和第二电阻种类不同且温漂反向，第一MOS管、两个第二MOS管的源极共接于所述振荡器的第一电源端，第一MOS管的门极分别连接两个第二MOS管的门极，第一MOS管的漏极经由第二电阻连接第一电阻的第一端，每个所述第二MOS管的漏极连接至相应的第三MOS管的漏极，第一电阻RB的第二端与两个第三MOS管的源极共接于所述振荡器的第二电源端，第一MOS管的漏极还连接至所述比较电路以提供所述参考电压,其中：所述第一MOS管、两个第二MOS管均为PMOS管，两个第三MOS管为NMOS管，所述第一电源端为电源端VDD，所述第二电源端为接地端VSS；或者，所述第一MOS管、两个第二MOS管均为NMOS管，两个第三MOS管为PMOS管，所述第一电源端为接地端VSS，所述第二电源端为电源端VDD。可选的，所述振荡器还包括上电复位电路，所述上电复位电路连接所述振荡器的电源端VDD和所述锁存器的复位端之间，用于在电源端VDD上电时复位所述锁存器的输出电平。本技术的振荡器，具有以下有益效果：采用简单原始电流支路直接抽取出或派生出参考电压，同时通过镜像拷贝生成两支等同的次级电流源交替向负载电容充电，再结合比较电路、锁存器，从而实现振荡，本技术的振荡器结构优化，面积小，而且使用时不需要任何外挂元器件，具有总体成本优势显著、高量产良率、高可靠性的特点；而且修条可以只对负载电容进行，可以极大地简化电路，节省资源，以及保证振荡频率的稳定；进一步地，本技术的所述原始电流支路采用的是电阻和二极管连接状态的MOS管，因此具有宽电压范围，保证低压起振；更进一步地修条也可以针对负载电容和第三电阻同时进行，所以可以增强修条成功率，从而提高产品中测(CP探针测试)良率。修条逻辑高位针对负载电容作大幅度修正，低位针对第三电阻作小幅度修正；第一电阻与第二电阻的温漂特性关系可以保证振荡频率随温度变化最小，使得振荡器优良的温度特性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图：图1是本技术实施例一的电路原理图；图2是本技术实施例二的电路原理图；图3是本技术实施例三的电路原理图；图4是本技术实施例四的电路原理图；图5是本技术实施例五的电路原理图；图6是本技术实施例六的电路原理图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的典型实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。需要说明的是，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种振荡器，其特征在于，包括：原始电流支路，用于在上电后产生原始电流并生成参考电压；两个负载电容；比较电路，用于分别将两个负载电容的电容电压与所述参考电压进行比较并输出比较信号；锁存器，其输出电平在所述比较信号翻转时翻转；两个镜像电流支路，与所述两个负载电容一一对应，所述两个镜像电流支路在所述锁存器的输出电平翻转时交替导通；以及在导通时从所述原始电流镜像拷贝得到镜像电流以给对应的负载电容充电。

【技术特征摘要】
1.一种振荡器，其特征在于，包括：原始电流支路，用于在上电后产生原始电流并生成参考电压；两个负载电容；比较电路，用于分别将两个负载电容的电容电压与所述参考电压进行比较并输出比较信号；锁存器，其输出电平在所述比较信号翻转时翻转；两个镜像电流支路，与所述两个负载电容一一对应，所述两个镜像电流支路在所述锁存器的输出电平翻转时交替导通；以及在导通时从所述原始电流镜像拷贝得到镜像电流以给对应的负载电容充电。2.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述负载电容为金属平板结构的MOM电容或者MIM电容；或者所述负载电容为MOSFET构成的电容，MOSFET的源极、漏极、衬底极连接在一起作为所述负载电容的一极，MOSFET的门极作为所述负载电容的另外一极。3.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述原始电流支路包括第一电阻RB和二极管连接状态的第一开关管，所述两个镜像电流支路结构相同且均包括第二开关管和第三开关管。4.根据权利要求3所述的振荡器，其特征在于，所述第一开关管为第一MOS管，所述第二开关管为与所述第一MOS管类型相同的第二MOS管，所述第三开关管为第三MOS管。5.根据权利要求4所述的振荡器，其特征在于，所述比较电路包括与两个负载电容一一对应的两个比较器，每个所述第二MOS管的漏极和源极之间连接对应的所述负载电容，且所述负载电容的连接所述第二MOS管的漏极的一极连接至对应的比较器的第一输入端，两个比较器的第二输入端均连接至所述原始电流支路以获取所述参考电压，两个比较器的输出端分别连接锁存器的两个输入端。6.根据权利要求4所述的振荡器，其特征在于，所述振荡器还包括两个倒相器，所述锁存器的输出端连接至第一个倒相器的输入端，第一个倒相器的输出端连接第二个倒相器的输入端，第二个倒相器的输出端连接所述振荡器的输出端OUT，所述锁存器的输出端和第一个倒相器的输出端分别连接至两个所述第三MOS管的门极。7.根据权利要求4所述的振荡器，其特征在于，每一所述镜像电流支路还包括第二电阻，所述第一电阻和第二电阻种类不同且温漂同向，所述原始电流支路还包括第三电阻，所述第一电阻和第三电阻种类相同，第一MOS管、两个第二MOS管的源极共接于所述振荡器的第一电源端，第一MOS管的门极分别连接两个第二MOS管的门极，第一MOS管的漏极经由所述第三电阻连接第一电阻的第一端，每个所述第二MOS管的漏极经由对应的第二电阻连接至相应的第三MOS管的漏极，第一电阻的第二端与两个第三MOS管的源极共接于所述振荡器的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟建国，
申请(专利权)人：东莞德可森电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44