本实用新型专利技术公开一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路；解决的技术问题：针对现有X波段的GaN功率放大管偏置特性在调试过程和使用过程时先加正电会使放大管击穿的问题。采用的技术方案：一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路，包括滤波电容，限流电阻，延时电容，PNP三极管，稳压二极管，电感，P沟道MOS管和NPN三极管。优点：本电路具有X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路，可以实现当负电悬空或因器件导致负电为0时正电输出为0V从而保护GaN功率放大管，使用该电路技术提高了GaN功率放大管稳定性和寿命，同时结构简单、成本低。
A Sequencing Bias Circuit for X-Band GaN Power Amplifier
【技术实现步骤摘要】
一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路
本技术涉及移动通信系统中微波功率放大负压控制正压技术，具体涉及一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路，属于通信领域。
技术介绍
目前，GaN功放管价格贵且对正负电顺序有要求，要保证正电不能单独加在功放管D极，还要保证应用过程中负电因器件坏而没有的情况。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是：针对现有X波段的GaN功率放大管偏置特性在调试过程和使用过程时先加正电会使放大管击穿的技术问题。本技术的设计思想是，提出一种X波段的GaN功率放大管定序偏置，该技术实现本电路具有X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路，可以实现当负电悬空或因器件导致负电为0时正电输出为0V从而保护GaN功率放大管为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路，包括限滤波电容(1)、第一限流电阻(2)、延时电容(3)、第一PNP三极管(4)、第二限流电阻(5)、P滤波电容(6)、稳压二极管(7)、第三限流电阻(8)、电感(9)、第四限流电阻(10)、第二PNP三极管(11)、第一滤波电容(12)，第二滤波电容(13)、第五限流电阻(14)、P沟道MOS管(15)、第六限流电阻16、电阻(17)和NPN三极管(18)，定义负电压输入通道为Vgg，负电压输入通道Vgg与第二限流电阻(5)和延时电阻(2)的一端分别连接，并且负电压输入通道Vgg与滤波电容(1)相连且滤波电容(1)接地，第二限流电阻(5)的另一端连接第一PNP三极管(4)的集电极，延时电阻(2)的另一端连接第一PNP三极管(4)的基极，在延时电阻(2)与第一PNP三极管(4)的基极之间设置延时电容(3)且延时电容(3)接地；第一PNP三极管(4)的发射极连接稳压二极管(7)阳极，稳压二极管(7)阴极与第三限流电阻(8)的一端和第二PNP三极管(11)的基极分别相连，第三限流电阻(8)的另一端与滤波电容(6)的一端、第四限流电阻(10)的一端和电感(9)的一端分别相连，并且滤波电容(6)接地、电感(9)的另一端接+5V，第四限流电阻(10)的另一端与第二PNP三极管(11)集电极和电阻(17)相连且第二PNP三极管(11)发射极接地，电阻(17)另一端与NPN三极管(18)基极相连，NPN三极管(18)集电极与第六限流电阻16相连且NPN三极管(18)发射极接地，第六限流电阻16另一端与第五限流电阻(14)和P沟道MOS管(15)的G极分别相连，P沟道MOS管(15)S极接正电压，P沟道MOS管(15)D极为正电压输出，第五限流电阻(14)另一端分别与第一滤波电容(12)、第二滤波电容(13)和正电压相连且第一滤波电容(12)和第二滤波电容(13)接地。对本技术技术方案的改进，第一PNP三极管(4)型号为9015，第二PNP三极管(11)型号为A42。对本技术技术方案的改进，稳压二极管(7)为1.8V。本技术与现有技术相比，其有益效果是：本技术的具有可以实现当负电悬空或因器件导致负电为0时正电输出为0V从而保护GaN功率放大管，使用该电路技术提高了GaN功率放大管稳定性和寿命，同时结构简单、成本低。附图说明图1是一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路的电路图。图中：1、限滤波电容，2、限流电阻，3、延时电容，4、PNP三极管，5、限流电阻，6、P滤波电容，7、稳压二极管，8、限流电阻，9、电感，10、限流电阻，11、PNP三极管，12、滤波电容，13、滤波电容，14、限流电阻，15、P沟道MOS管，16、限流电阻，17、电阻，18、NPN三极管。具体实施方式下面对本技术技术方案进行详细说明，但是本技术的保护范围不局限于所述实施例。为使本技术的内容更加明显易懂，以下结合附图1和具体实施方式做进一步的描述。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例：如图1所示，一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路，包括：限滤波电容1、第一第一限流电阻2、延时电容3、第一PNP三极管4、第二限流电阻5、P滤波电容6、稳压二极管7、第三限流电阻8、电感9、第四限流电阻10、第二PNP三极管11、第一滤波电容12，第二第二滤波电容13、第五限流电阻14、P沟道MOS管15、限流电阻16、电阻17和NPN三极管18。本实施例中，第一PNP三极管4型号为9015，第二PNP三极管11型号为A42，稳压二极管7为1.8V。如图1所示，本实施例中，定义负电压输入通道为Vgg，负电压输入通道Vgg与第二限流电阻5和延时电阻2的一端分别连接，并且负电压输入通道Vgg与滤波电容1相连且滤波电容1接地，第二限流电阻5的另一端连接第一PNP三极管4的集电极，延时电阻2的另一端连接第一PNP三极管4的基极，在延时电阻2与第一PNP三极管4的基极之间设置延时电容3且延时电容3接地；第一PNP三极管4的发射极连接稳压二极管7阳极，稳压二极管7阴极与第三限流电阻8的一端和第二PNP三极管11的基极分别相连，第三限流电阻8的另一端与滤波电容6的一端、第四限流电阻10的一端和电感9的一端分别相连，并且滤波电容6接地、电感9的另一端接+5V，第四限流电阻10的另一端与第二PNP三极管11集电极和电阻17相连且第二PNP三极管11发射极接地，电阻17另一端与NPN三极管18基极相连，NPN三极管18集电极与限流电阻16相连且NPN三极管18发射极接地，限流电阻16另一端与第五限流电阻14和P沟道MOS管15的G极分别相连，P沟道MOS管15S极接正电压，P沟道MOS管15D极为正电压输出，第五限流电阻14另一端分别与第一滤波电容12、第二第二滤波电容13和正电压相连且第一滤波电容12和第二第二滤波电容13接地。本实施例的具有可以实现当负电悬空或因器件导致负电为0时正电输出为0V从而保护GaN功率放大管，使用该电路技术提高了GaN功率放大管稳定性和寿命，同时结构简单、成本低。本技术未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本技术，但其不得解释为对本技术自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本技术的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路，其特征在于，包括限滤波电容(1)、第一限流电阻(2)、延时电容(3)、第一PNP三极管(4)、第二限流电阻(5)、P滤波电容(6)、稳压二极管(7)、第三限流电阻(8)、电感(9)、第四限流电阻(10)、第二PNP三极管(11)、第一滤波电容(12)，第二滤波电容(13)、第五限流电阻(14)、P沟道MOS管(15)、第六限流电阻(16)、电阻(17)和NPN三极管(18)，定义负电压输入通道为Vgg，负电压输入通道Vgg与第二限流电阻(5)和第一限流电阻(2)的一端分别连接，并且负电压输入通道Vgg与滤波电容(1)相连且滤波电容(1)接地，第二限流电阻(5)的另一端连接第一PNP三极管(4)的集电极，第一限流电阻 (2)的另一端连接第一PNP三极管(4)的基极，在第一限流电阻 (2)与第一PNP三极管(4)的基极之间设置延时电容(3)且延时电容(3)接地；第一PNP三极管(4)的发射极连接稳压二极管(7)阳极，稳压二极管(7)阴极与第三限流电阻(8)的一端和第二PNP三极管(11)的基极分别相连，第三限流电阻(8)的另一端与滤波电容(6)的一端、第四限流电阻(10)的一端和电感(9)的一端分别相连，并且滤波电容(6)接地、电感(9)的另一端接+5V，第四限流电阻(10)的另一端与第二PNP三极管(11)集电极和电阻(17)相连且第二PNP三极管(11)发射极接地，电阻(17)另一端与NPN三极管(18)基极相连，NPN三极管(18)集电极与第六限流电阻（16）相连且NPN三极管(18)发射极接地，第六限流电阻（16）另一端与第五限流电阻(14)和P沟道MOS管(15)的G极分别相连，P沟道MOS管(15)S极接正电压，P沟道MOS管(15)D极为正电压输出，第五限流电阻(14)另一端分别与第一滤波电容(12)、第二滤波电容(13)和正电压相连且第一滤波电容(12)和第二滤波电容(13)接地。...
【技术特征摘要】
1.一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路，其特征在于，包括限滤波电容(1)、第一限流电阻(2)、延时电容(3)、第一PNP三极管(4)、第二限流电阻(5)、P滤波电容(6)、稳压二极管(7)、第三限流电阻(8)、电感(9)、第四限流电阻(10)、第二PNP三极管(11)、第一滤波电容(12)，第二滤波电容(13)、第五限流电阻(14)、P沟道MOS管(15)、第六限流电阻(16)、电阻(17)和NPN三极管(18)，定义负电压输入通道为Vgg，负电压输入通道Vgg与第二限流电阻(5)和第一限流电阻(2)的一端分别连接，并且负电压输入通道Vgg与滤波电容(1)相连且滤波电容(1)接地，第二限流电阻(5)的另一端连接第一PNP三极管(4)的集电极，第一限流电阻(2)的另一端连接第一PNP三极管(4)的基极，在第一限流电阻(2)与第一PNP三极管(4)的基极之间设置延时电容(3)且延时电容(3)接地；第一PNP三极管(4)的发射极连接稳压二极管(7)阳极，稳压二极管(7)阴极与第三限流电阻(8)的一端和第二PNP三极管(11)的基极分别相连，第三限流...
【专利技术属性】
技术研发人员：李德敏，
申请(专利权)人：南京汉瑞微波通信有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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