低分布参数隔离驱动变压器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低分布参数隔离驱动变压器，包括磁芯、线圈、底板，所述线圈由导线交替绕制在所述磁芯上，形成带磁芯线圈，所述带磁芯线圈置于底板上。本实用新型专利技术能较好解决漏感与分布电容相互制约问题，减少漏感同时也减少分布电容，实现了低分布参数，改善EMI。

Low Distributed Parameter Isolated Driving Transformer

【技术实现步骤摘要】
低分布参数隔离驱动变压器
本技术涉及的是一种变压器
，特别涉及一种低分布参数隔离驱动变压器。
技术介绍
功率型开关电源用驱动变压器为保证波形不失真同时满足低的EMI和高的使用频率要求，通常希望漏感尽可能小同时分布电容尽可能小。目前，工作电压一般分为100V以下的低输入电压和100V-1000V的高输入电压，低压隔离通常采用多线并绕来满足低漏感要求，如pluseSMTGATEDRIVETRANSFORMERSPA2002，但这种方法分布电容较大。高压隔离目前通常采用初次级分离绕法，如全桥及半桥开关管电源用驱动变压器CQD722-05，但这样绕法漏感比较大，导致驱动波形畸变导致系统不满足EMI和高效率要求。
技术实现思路
针对上述现有技术上存在的不足，本技术提供低分布参数隔离驱动变压器，较好解决漏感与分布电容相互制约问题，减少漏感同时也减少分布电容，实现了低分布参数，改善EMI。为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现：低分布参数隔离驱动变压器，包括磁芯、线圈、底板，其特征在于：所述线圈包括导线，所述导线交替绕制在所述磁芯上，形成带磁芯线圈；所述带磁芯线圈固定设置在底板上。优选的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低分布参数隔离驱动变压器，包括磁芯、线圈、底板，其特征在于：所述线圈包括导线，所述导线交替绕制在所述磁芯上，形成带磁芯线圈；所述带磁芯线圈固定设置在底板上；所述磁芯上绕制有m个导线组，每个导线组包括n层导线，所述m个导线组分别沿磁芯轴向分布在磁芯上，各导线组之间互不重叠，并且相邻的两个导线组之间紧靠设置；其中第1个导线组的第1层为n匝导线、第2层为n‑1匝导线、第3层为n‑2匝导线、第4层为n‑3匝导线，以此类推，第n层为1匝导线；其中第2个导线组的第1层为n匝导线、第2层为n‑1匝导线，以此类推，第n层为1匝导线；其中第3个导线组的第1层为n匝导线、第2层为n‑1匝导线，以此类推，第...

【技术特征摘要】
1.一种低分布参数隔离驱动变压器，包括磁芯、线圈、底板，其特征在于：所述线圈包括导线，所述导线交替绕制在所述磁芯上，形成带磁芯线圈；所述带磁芯线圈固定设置在底板上；所述磁芯上绕制有m个导线组，每个导线组包括n层导线，所述m个导线组分别沿磁芯轴向分布在磁芯上，各导线组之间互不重叠，并且相邻的两个导线组之间紧靠设置；其中第1个导线组的第1层为n匝导线、第2层为n-1匝导线、第3层为n-2匝导线、第4层为n-3匝导线，以此类推，第n层为1匝导线；其中第2个导线组的第1层为n匝导线、第2层为n-1匝导线，以此类推，第n层为1匝导线；其中第3个导线组的第1层为n匝导线、第2层为n-1匝导线，以此类推，第n层为1匝导线；以此类推，其中第m个导线组的第1层为n匝导线、第2层为n-1匝导线，以此类推，第n层为1匝导线；m和n为自然数。...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈坚，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十四研究所，
类型：新型
国别省市：江苏,32