一种射频前端芯片中的电源检测电路制造技术

本申请公开了一种射频前端芯片中的电源检测电路，所述射频前端芯片中还具有MIPI控制模块。所述电源检测电路包括延迟电路和比较器。所述延迟电路用来在所述射频前端芯片的上电过程中产生滞后于所述射频前端芯片的电源电压的跟随电压。所述比较器将所述跟随电压与比较阈值电压进行比较并向所述MIPI控制模块发出重置信号。与现有的射频前端芯片中的电源检测电路相比，本申请省略了基准电压电路，减小了电源检测电路占用的芯片面积，降低了芯片制造成本。此外，延迟电路中的全部器件均为CMOS工艺实现，占用芯片面积小；比较器采用不对称反相器实现，减少乃至避免静态工作电流，从而减少能耗。

【技术实现步骤摘要】
一种射频前端芯片中的电源检测电路
本申请涉及一种采用MIPIRFFE协议控制的射频前端芯片，特别是涉及所述射频前端芯片中的电源检测电路。所述电源检测电路用来在MIPI控制模块上电时对其发出重置信号。
技术介绍
射频前端(RFfrontend)是指在天线与至少一个混频级之间集成的所有电路器件。典型的射频前端模块通常包括：天线调谐器(AntennaTuner)、天线开关(AntennaSwitch)、用于频分多路(FDM)系统的双工器(diplexer)、用于时分多路系统的收发开关(T/RSwitch)、各种滤波器、用于处理接收信号的低噪声放大器(LNA，low-noiceamplifier)和下变频混频器、用于处理发射信号的上变频混频器和功率放大器、本地振荡器(LO，localoscillator)等。出于性能和成本因素，射频前端模块中的各器件往往采用不同工艺制造，因此射频前端模块通常是由基板材料和/或制造工艺相区别的多个射频前端芯片组成。传统地，射频前端模块的各芯片之间通过GPIO(General-purposeinput/output，通用输入/输出)引脚进行通信。随着移动通讯技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频前端芯片中的电源检测电路，所述射频前端芯片中还具有MIPI控制模块；其特征是，所述电源检测电路包括延迟电路和比较器；所述延迟电路用来在所述射频前端芯片的上电过程中产生滞后于所述射频前端芯片的电源电压的跟随电压；所述比较器将所述跟随电压与比较阈值电压进行比较并向所述MIPI控制模块发出重置信号。

【技术特征摘要】
1.一种射频前端芯片中的电源检测电路，所述射频前端芯片中还具有MIPI控制模块；其特征是，所述电源检测电路包括延迟电路和比较器；所述延迟电路用来在所述射频前端芯片的上电过程中产生滞后于所述射频前端芯片的电源电压的跟随电压；所述比较器将所述跟随电压与比较阈值电压进行比较并向所述MIPI控制模块发出重置信号。2.根据权利要求1所述的射频前端芯片中的电源检测电路，其特征是，所述延迟电路进一步包括电流产生单元、电容和电荷泄放单元；所述电流产生单元用来在所述射频前端芯片的上电过程中产生与所述射频前端芯片的电源电压的大小正相关的中间电流；所述电容用来根据所述中间电流进行充电，从而提供一个滞后于所述射频前端芯片的电源电压的跟随电压；所述电荷泄放单元用来在所述射频前端芯片的下电过程中泄放掉所述电容中的电荷。3.根据权利要求2所述的射频前端芯片中的电源检测电路，其特征是，所述电流产生单元仅在所述射频前端芯片的电源电压大于第一阈值时，才产生与所述射频前端芯片的电源电压的大小正相关的中间电流。4.根据权利要求3所述的射频前端芯片中的电源检测电路，其特征是，所述电流产生单元由四个以上的PMOS管构成；除PMOS管四以外的所有的PMOS管依次级联在电源电压与地之间构成支路一；PMOS管四与电容依次级联在电源电压与地之间构成支路二；PMOS管四的栅极连接到支路一的任意两个PMOS管之间；或者，所述电流产生单元由四个以上的NMOS管构成；除NMOS管四以外的所有依次级联在电源电压与地之间构成支路一；电容与NMOS管四依次级联在电源电压与地之间构成支路二；NMOS管四的栅极连接到支路一的任意两个NMOS管之间。5.根据权利要求3所述的射频前端芯片中的电源检测电路，其特征是，所述电流产生单元由两个以上的电阻和一个PMOS管构成；所有电阻依次级联在电源电压VIO与地之间构成支路一；PMOS管四与电容依次级联在电源电压与地之间；PMOS管四的栅极连接到支路一的任意两个电阻之间；或者，所述电流产生单元由两个以上的电阻和一个NMOS管构成；所有电阻依次级联在电源电压VIO与地之间构成支路一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘刚，赵鹏，张春栋，刘冠山，郭天生，贾斌，
申请(专利权)人：锐迪科微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31