The invention relates to the field of material science, aiming at providing a magnesium stannate low-dielectric microwave dielectric ceramic material and a preparation method thereof. The chemical expression of the microwave dielectric ceramics material is (100 x) wt% Mg2.15SnO4 + xwt% CaTiO3 + ywt% LiF, where x and y are mass fractions, 10 < x < 25, 3 < y < 10. The material prepared by the invention has the advantages of low dielectric constant, high Q*f value and low frequency temperature coefficient. The invention has the advantages of simple preparation process and good repeatability, and has broad application prospects in microwave devices such as filters, antennas, dielectric substrates, etc.
【技术实现步骤摘要】
一种锡酸镁系低介微波介质陶瓷材料及其制备方法
本专利技术属于材料科学领域，具体涉及一种锡酸镁系低介微波介质陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
微波介质陶瓷是微波通信器件的核心材料。近年来，随着4G/5G移动通信、卫星通信、无线网络、全球卫星定位系统、蓝牙等技术的快速发展，微波器件正朝着小型化、高频化和轻量化方向发展。微波器件高频化的关键是高品质因数Q×f、低介电常数的微波介质陶瓷材料研制。Mg2SnO4陶瓷材料具有介电常数低、品质因数Q×f高等特点，作为微波元器件介质材料具有广阔应用前景。然而，锡酸镁陶瓷存在烧结温度过高(烧结温度≥1600℃)、频率温度系数大(-50ppm/℃)等问题，限制了该陶瓷体系在微波器件中的应用。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，克服现有技术中的不足，提供一种锡酸镁系低介微波介质陶瓷材料及其制备方法。为解决技术问题，本专利技术的解决方案是：提供一种锡酸镁系低介微波介质陶瓷材料，该微波介质陶瓷材料的化学表达式为(100-x)wt％Mg2.15SnO4+xwt％CaTiO3+ywt％LiF；其中，x、y均为质量分数，10≤x≤25，3≤...
【技术保护点】
1.一种锡酸镁系低介微波介质陶瓷材料，其特征在于，该微波介质陶瓷材料的化学表达式为(100‑x)wt％Mg2.15SnO4+xwt％CaTiO3+ywt％LiF；其中，x、y均为质量分数，10≤x≤25，3≤y≤10。
【技术特征摘要】
1.一种锡酸镁系低介微波介质陶瓷材料，其特征在于，该微波介质陶瓷材料的化学表达式为(100-x)wt％Mg2.15SnO4+xwt％CaTiO3+ywt％LiF；其中，x、y均为质量分数，10≤x≤25，3≤y≤10。2.权利要求1所述微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)按摩尔比SnO2∶MgO＝1∶2.15称取原料SnO2和MgO，进行球磨混料4h；然后以1200℃预烧2h，再次球磨制得Mg2.15SnO4粉末；(2)按摩尔比CaCO3∶TiO2＝1∶1称取原料CaCO3和TiO2，进行球磨混料4h；然后以1100℃预烧2h，再次球磨制得CaTiO3粉末；(3)将Mg2.15SnO4、CaTiO3...
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