微流控基板及其制备方法、微流控面板技术

技术编号:21073442 阅读:75 留言:0更新日期:2019-05-11 02:38
一种微流控基板及其制备方法、微流控面板。该微流控基板包括衬底基板和声波发生器件。声波发生器件设置在衬底基板上,且被配置为发出声波以驱动液滴在微流控基板上移动。

Microfluidic Substrate and Its Preparation Method, Microfluidic Panel

The invention relates to a microfluidic substrate, a preparation method thereof and a microfluidic panel. The microfluidic substrate comprises a substrate substrate and an acoustic generator. The acoustic generator is arranged on the substrate and is configured to emit sound waves to drive the droplets to move on the microfluidic substrate.

【技术实现步骤摘要】
微流控基板及其制备方法、微流控面板
本公开的实施例涉及一种微流控基板及其制备方法、微流控面板。
技术介绍
微流控(Microfluidics)技术指的是使用微管道(尺寸为数十到数百微米)处理或操纵微小流体(体积为纳升到阿升)的一种技术。微流控芯片是微流控技术实现的主要平台。微流控芯片具有并行采集和处理样品、集成化高、高通量、分析速度快、功耗低、物耗少,污染小等特点。微流控芯片技术可以应用于生物基因工程、疾病诊断和药物研究、细胞分析、环境监测与保护、卫生检疫、司法鉴定等领域。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供一种微流控基板,包括:衬底基板和声波发生器件,所述声波发生器件设置在所述衬底基板上,且被配置为发出声波以驱动液滴在所述微流控基板上移动。例如,本公开一些实施例提供的微流控基板还包括设置在所述衬底基板上的第一连接电极、第一开关元件和第一保护层,所述声波发生器件包括声波驱动电极和声波发生层,所述声波驱动电极设置在所述声波发生层的远离所述衬底基板的一侧,且包括至少一个第一子电极;所述第一保护层位于所述声波发生器件远离所述衬底基板的一侧,且包括至少一个第一过孔,所述第一过孔暴露对应的第一子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微流控基板,包括:衬底基板和声波发生器件,其中,所述声波发生器件设置在所述衬底基板上,且被配置为发出声波以驱动液滴在所述微流控基板上移动。

【技术特征摘要】
1.一种微流控基板,包括:衬底基板和声波发生器件,其中,所述声波发生器件设置在所述衬底基板上,且被配置为发出声波以驱动液滴在所述微流控基板上移动。2.根据权利要求1所述的微流控基板,还包括设置在所述衬底基板上的第一连接电极、第一开关元件和第一保护层,其中,所述声波发生器件包括声波驱动电极和声波发生层,所述声波驱动电极设置在所述声波发生层的远离所述衬底基板的一侧,且包括至少一个第一子电极,所述第一保护层位于所述声波发生器件远离所述衬底基板的一侧,且包括至少一个第一过孔,所述第一过孔暴露对应的第一子电极的一部分,所述第一连接电极位于所述第一保护层远离所述声波发生器件的一侧,且通过所述至少一个第一过孔与所述至少一个第一子电极电连接,所述第一开关元件通过所述第一连接电极与所述至少一个第一子电极电连接。3.根据权利要求2所述的微流控基板,其中,每个所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述对应的第一子电极在所述衬底基板的正投影内。4.根据权利要求2所述的微流控基板,还包括第二连接电极,其中,所述声波驱动电极还包括至少一个第二子电极,所述至少一个第一子电极和所述至少一个第二子电极彼此电绝缘,所述第一保护层还包括至少一个第二过孔,所述第二过孔暴露对应的第二子电极的一部分,所述第二连接电极通过所述至少一个第二过孔与所述至少一个第二子电极电连接,且被配置为向所述至少一个第二子电极提供公共电压信号。5.根据权利要求4所述的微流控基板,其中,每个所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述对应的第二子电极在所述衬底基板的正投影内。6.根据权利要求4所述的微流控基板,其中,所述声波驱动电极包括多个所述第一子电极和多个所述第二子电极,所述多个第一子电极和所述多个第二子电极交替设置,且所述多个第一子电极和所述多个第二子电极彼此平行。7.根据权利要求1所述的微流控基板,还包括设置在所述衬底基板上的第一复合电极、第一开关元件和第一保护层,其中,所述声波发生器件包括声波驱动电极和声波发生层,所述声波驱动电极包括至少一个第一子电极,所述第一保护层位于所述声波发生层远离所述衬底基板的一侧,且包括至少一个第一凹槽,所述至少一个第一凹槽暴露所述声波发生层的一部分;所述第一复合电极位于所述第一保护层远离所述声波发生层的一侧,且覆盖在所述至少一个第一凹槽上,所述第一复合电极位于所述至少一个第一凹槽内的部分为所述至少一个第一子电极,所述第一复合电极位于所述至少一个第一凹槽之外的部分为第一连接电极,所述第一开关元件与所述第一连接电极电连接。8.根据权利要求7所述的微流控基板,还包括第二复合电极,其中,所述声波驱动电极还包括至少一个第二子电极,所述第一保护层还包括至少一个第二凹槽,所述至少一个第二凹槽暴露所述声波发生层的一部分,所述第二复合电极位于所述第一保护层远离所述声波发生层的一侧,且覆盖在所述至少一个第二凹槽上,所述第二复合电极位于所述至少一个第二凹槽内的部分为所述至少一个第二子电极,所述第二复合电极位于所述至少一个第二凹槽之外的部分为第二连接电极,所述第二连接电极被配置接收公共电压信号。9.根据权利要求2-8任一项所述的微流控基板,还包括第二保护层和第三过孔,其中,所述第二保护层位于所述第一开关元件上,所述声波发生器件位于所述第二保护层上且位于所述第二保护层远离所述第一开关元件的一侧,所述第一保护层还覆盖所述第二保护层,所述第三过孔贯穿所述第二保护层和所述第一保护层,且暴露所述第一开关元件的一部分,所述第一连接电极通过所述第三过孔与所述第一开关元件电连接。10.根据权利要求9所述的微流控基板,还包括设置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李海旭
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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