蒸镀装置及其校正方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种蒸镀装置，包括材料源、腔室、流道以及加热构件。材料源用以提供沉积材料。腔室包括歧管。流道用以连接材料源与腔室。加热构件配置于流道的至少一部分内，用以加热沉积材料。还提供一种蒸镀装置的校正方法。

Evaporating Plating Device and Its Correction Method

The invention discloses an evaporation plating device, which comprises a material source, a chamber, a runner and a heating component. Material sources are used to provide deposition materials. The chamber includes manifold. The runner is used to connect the material source with the chamber. The heating member is arranged in at least part of the flow channel for heating the deposited material. A correction method of the evaporation plating device is also provided.

【技术实现步骤摘要】
蒸镀装置及其校正方法
本专利技术涉及一种蒸镀装置及其校正方法。
技术介绍
蒸镀工艺是一种广泛应用的薄膜沉积技术。现有的蒸镀设备包括蒸镀腔室、设置于蒸镀腔室内的承载装置以及与承载装置相对的蒸镀源。蒸镀源可承载蒸镀材料。进行蒸镀工艺时，会以加热的方式让蒸镀材料挥发或是升华并以蒸镀粒子的形式填充在蒸镀腔室中。同时，承载装置上装设有待蒸镀的待镀物时，填充于蒸镀腔室中的蒸镀粒子即可在待镀物表面累积而后形成蒸镀镀膜。
技术实现思路
本专利技术实施例的蒸镀装置可达到卷对卷高镀率连续蒸镀工艺中所要求的镀率的高准确度与高稳定度的需求。本专利技术实施例的蒸镀装置包括材料源、腔室、流道以及加热构件。材料源用以提供沉积材料。腔室包括歧管。流道用以连接材料源与歧管。加热构件配置于流道的至少一部分内，用以加热沉积材料。本专利技术实施例的蒸镀装置的校正方法包括以下步骤。提供前述的蒸镀装置，其中蒸镀装置还包括石英晶体微量天平、阀门以及压力传感器。令石英晶体微量天平所侦测到的沉积材料的沉积速率的变化率与阀门的开关速率的变化率分别介于一选定范围内。以加热装置对流道进行加热，使压力传感器所侦测到的沉积材料的沉积速率的变化率在一预期范围内。为让本专利技术能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1是依照本专利技术的实施例的一种蒸镀装置的示意图；图2是说明图1的蒸镀装置进行蒸镀工艺的示意图；图3A与图3B是依照本专利技术的实施例的一种蒸镀装置中的加热构件的立体示意图与俯视示意图；图4A至图4C分别是依照本专利技术的实施例的一种蒸镀装置中的加热构件的俯视示意图；图4D与图4E分别是依照本专利技术的实施例的一种蒸镀装置中的加热构件的剖面示意图；图5是依照本专利技术的实施例的一种蒸镀装置中的压力传感器的示意图；图6是依照本专利技术的实施例的一种蒸镀装置中的阀门的横截面的立体示意图；以及图7是依照本专利技术的实施例的一种蒸镀装置的校正方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术作进一步的详细说明。图1是依照本专利技术的实施例的一种蒸镀装置的示意图。图2是说明图1的蒸镀装置进行蒸镀工艺的示意图。图3A与图3B是依照本专利技术的实施例的一种蒸镀装置中的加热构件的立体示意图与俯视示意图。请同时参照图1、图2、图3A及图3B，蒸镀装置100包括材料源110、腔室130、流道160以及加热构件170。材料源110用以提供沉积材料110a(在图2中示出)。具体而言，沉积材料110a适于位在材料源110中。在本实施例中，沉积材料110a是使用者需要沉积的任何材料。也就是说，沉积材料110a可以是有机材料或无机材料。在本实施例中，材料源110例如是适于被加热以将沉积材料110a气化的坩埚。在本实施例中，蒸镀装置100例如是还包括加热器114，邻近材料源110配置，用以加热材料源110。在图1中，是以加热器114环绕材料源110设置为例，但本专利技术不以此为限。流道160用以连接材料源110与腔室130中的歧管132，气化的沉积材料110a例如是适于通过流道160而由材料源110进入歧管132。在本实施例中，蒸镀装置100例如是还包括阀门120。阀门120配置于材料源110与腔室130之间，并连接至材料源110。具体而言，流道160例如是包括L形管112与转接管(transfertubes)122，其中L形管112连接材料源110与阀门120，以及转接管122连接阀门120与腔室130的歧管132。如此一来，通过开启或关闭阀门120来控制气化的沉积材料110a进入腔室130。在本实施例中，加热构件170配置于流道160的至少一部分内，用以加热沉积材料110a。也就是说，加热构件170例如是配置于L形管112和/或转接管122中。具体而言，加热构件170适于增加L形管112和/或转接管122的表面接触面积，使得L形管112和/或转接管122整体具有均匀的温度，以提供高导热路径或增加沉积材料与加热构件170碰撞的机率。如此一来，流经L形管112和/或转接管122的气化的沉积材料110a能被均匀加热。在本实施例中，加热构件170例如为网状结构，其材料可以是导体材料。具体而言，如图3A与图3B所示，加热构件170例如是包括主体172以及配置于主体172中的多个开口174。其中，主体172例如是包括交叉配置的多个鳍片，而开口174为相邻鳍片所围绕出的空间。在本实施例中，是以开口174的形状为正方形为例，但本专利技术不以此为限。在其他实施例中，开口174也可以为圆形、方形以外的正多边形(诸如正六边形)、不规则形或上述的组合。此外，在一实施例中，如图4A所示，在加热构件170中，主体172例如是填充于流道160内，且于主体172中形成多个贯穿主体172的开口174。再者，在另一实施例中，如图4B所示，主体172实质上包括多个同心圆柱管，而开口174形成于同心圆柱管之间。在又一实施例中，如图4C所示，主体172实质上包括螺旋柱管，而开口174形成于螺旋柱管之间。当然，本专利技术并不局限于此，在其他实施例中，加热构件170也可以具有其他构形，诸如导热板等。再者，以图4A的开口174为例，开口174可以是直管(如图4D所示)、弯曲管(如图4E所示)或上述的组合，其中弯曲管可更进一步增加沉积材料与加热构件170碰撞的机率。相似地，如图4B与图4C或其他实施例中主体172的开口174也可以是上述的直管、弯曲管或上述的组合。在本实施例中，腔室130包括歧管132、石英晶体微量天平(quartzcrystalmicrobalance，QCM)134以及压力传感器136。歧管132连接至阀门120并具有至少一个第一喷嘴132a与至少一个第二喷嘴132b。具体而言，阀门120经由转接管122连接至歧管132。在本实施例中，存在多个第一喷嘴132a及一个第二喷嘴132b。然而，本专利技术并不局限于此，且第一喷嘴132a的数目及第二喷嘴132b的数目可根据使用者要求加以调整。在本实施例中，第一喷嘴132a及第二喷嘴132b配置于歧管132的不同侧。石英晶体微量天平134与第二喷嘴132b相对地配置。沉积材料110a适于经由第二喷嘴132b而沉积于石英晶体微量天平134上，且石英晶体微量天平134包括面对第二喷嘴132b的活动遮板134a。然而，本专利技术并不局限于此。在其它实施例中，若使用者需要，则第一喷嘴132a及第二喷嘴132b也可位于歧管132的同一侧上。此外，在其它实施例中，可以省略石英晶体微量天平134以及压力传感器136的配置。在本实施例中，蒸镀装置100包括活动遮板控制器140。活动遮板控制器140用以控制石英晶体微量天平134上的活动遮板134a开启或关闭。此外，蒸镀装置100包括支撑体150，以用于支撑石英晶体微量天平134。支撑体150用以调整石英晶体微量天平134相对于第二喷嘴132b的位置。在本实施例中，支撑体150调整石英晶体微量天平134在x方向上的位置。然而，本专利技术并不局限于此，且支撑体150也可根据使用者要求而调整石英晶体微量天平134在y方向上或z方向上的位置。在本实施例中，参照图2，当蒸镀装置100进行蒸镀工艺时，腔室130还包括靶138本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸镀装置，其特征在于，包括：材料源，用以提供沉积材料；腔室，包括歧管；流道，用以连接该材料源与该歧管；以及加热构件，配置于该流道的至少一部分内，用以加热该沉积材料。

【技术特征摘要】
2017.10.30 TW 1061373121.一种蒸镀装置，其特征在于，包括：材料源，用以提供沉积材料；腔室，包括歧管；流道，用以连接该材料源与该歧管；以及加热构件，配置于该流道的至少一部分内，用以加热该沉积材料。2.如权利要求1所述的蒸镀装置，其中该加热构件包括网状结构。3.如权利要求2所述的蒸镀装置，其中该网状结构包括主体以及配置于该主体中的多个开口。4.如权利要求3所述的蒸镀装置，其中该些开口的形状包括圆形、正多边形、不规则形或上述的组合。5.如权利要求3所述的蒸镀装置，其中该主体包括交叉配置的多个鳍片。6.如权利要求3所述的蒸镀装置，其中该主体包括多个同心圆柱管。7.如权利要求3所述的蒸镀装置，其中该主体包括螺旋柱管。8.如权利要求1所述的蒸镀装置，还包括阀门，配置于该材料源与该腔室之间。9.如权利要求8所述的蒸镀装置，其中该流道包括L形管与转接管，该L形管连接该材料源与该阀门，以及该转接管连接该阀门与该歧管，该加热构件配置于该L形管与该转接管中至少一者中。10.如权利要求1所述的蒸镀装置，还包括压力传感器，配置于该歧管中。11.如权利要求1所述的蒸镀装置，还包括加热器，邻近该材料源配置，用以加热该材料源。12.如权利要求1所述的蒸镀装置，其中该歧管具有至少一个第一喷嘴与至少一个第二喷嘴。...

【专利技术属性】
技术研发人员：许祐霖，林建宏，黄国兴，宋兆峰，赖志明，张宏毅，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71