【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有经增强的可交联性的星形及三嵌段聚合物本专利技术涉及包含至少一种适用作介电材料的聚合物的组合物,关于由这些组合物形成的层,关于包含该层的电子装置且关于适合用作本专利技术组合物中的介电材料的特定聚合物。场效晶体管(FET)可用于需要电子功能的多种装置中,例如显示器、大面积传感器及射频识别(RFID)标签。场效晶体管(FET)的制备通常包括各层的施加及结构化(也称为图案化),例如电极的施加及结构化,以及半导电层、介电层及其他层(例如调平、钝化及阻挡层)的施加及结构化。电极材料通常通过以下施加:蒸发,接着使用光刻结构化电极材料层,其涉及应用光致抗蚀层、使用掩模将光致抗蚀层暴露至辐射、移除未暴露至辐射的光致抗蚀剂、蚀刻暴露的电极材料及移除剩余的光致抗蚀剂。施加半导电层、介电层及其他层(例如阻挡层)的最便利方式为利用溶液处理技术(例如旋涂或印刷),因为液体处理技术允许生产低成本场效晶体管。此外,液体处理技术也与塑料基板兼容,且由此允许生产轻量及机械可挠性的装置。当使用液体处理技术时,重要的是,待施加的层溶液不溶解已存在于装置中的层。因此,需要使用不溶解已存在的层的溶剂(所谓 ...
【技术保护点】
1.一种组合物,其包含a)至少一种由一个聚合物嵌段A及至少两个聚合物嵌段B组成的聚合物,其中各聚合物嵌段B连接至该聚合物嵌段A,且其中聚合物嵌段B的单体单元的至少60摩尔%选自
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.27 EP 16190842.11.一种组合物,其包含a)至少一种由一个聚合物嵌段A及至少两个聚合物嵌段B组成的聚合物,其中各聚合物嵌段B连接至该聚合物嵌段A,且其中聚合物嵌段B的单体单元的至少60摩尔%选自其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8独立地且在每次出现时为H或C1-10烷基,及b)至少一种带有至少两个叠氮基的交联剂。2.根据权利要求1的组合物,其中该聚合物嵌段B的单体单元的至少70摩尔%选自其中R1、R2、R3、R4、R5及R6独立地且在每次出现时为H或C1-4烷基。3.根据权利要求1的组合物,其中该聚合物嵌段B的单体单元的至少80摩尔%选自其中R1、R2、R3、R4、R5及R6是H。4.根据权利要求1至3中任一项的组合物,其中聚合物嵌段A的单体单元的至少80摩尔%选自其中R20、R21、R22、R23、R24、R25及R26独立地且在每次出现时选自:H、C6-14芳基、5至14员杂芳基及C1-30烷基,且Ra是C(O)OH、C(O)OC1-30烷基、C(O)-H、C(O)C6-14芳基、C(O)N(C1-30烷基)2、C(O)N(C6-14芳基)2、C(O)N(C1-30烷基)(C6-14芳基)、C(O)-C6-14芳基、C(O)-C1-30烷基、O-C6-14芳基、O-C1-30烷基、OC(O)C1-30烷基、OC(O)C6-14芳基或CN,其中C6-14芳基及5至14员杂芳基可经一个或多个选自如下的取代基取代:C1-10烷基、C(O)OH、C(O)OC1-10烷基、C(O)苯基、C(O)N(C1-10烷基)2、C(O)N(苯基)2、C(O)N(C1-10烷基)(苯基)、C(O)-苯基、C(O)-C1-10烷基、OH、O-苯基、O-C1-10烷基、OC(O)C1-10烷基、OC(O)-苯基及CN及NO2,且C1-30烷基可经一个或多个选自如下的取代基取代:苯基、C(O)OH、C(O)OC1-10烷基、C(O)苯基、C(O)N(C1-10烷基)2、C(O)N(苯基)2、C(O)N(C1-10烷基)(苯基)、C(O)-苯基、C(O)-C1-10烷基、O-苯基、O-C1-10烷基、OC(O)C1-10烷基、OC(O)-苯基、Si(C1-10烷基)3、Si(苯基)3及CN及NO2,n是1至3的整数,且L20是C1-10亚烷基、C2-10亚烯基、C2-10亚炔基、C6-14亚芳基或S(O)。5.根据权利要求1至3中任一项的组合物,其中聚合物嵌段A的单体单元的至少80摩尔%选自其中R20、R21及R22独立地选自H、C6-14芳基、5至14员杂芳基及C1-30烷基,且Ra为C(O)OC1-30烷基,其中C6-14芳基及5至14员杂芳基可经一个或多个C1-10烷基取代,且C1-30烷基可经一个或多个选自Si(C1-10烷基)3及Si(苯基)3的取代基取代,且n是1至3的整数,且L20是C1-10亚烷基或C6-14亚芳基。6.根据权利要求1至3中任一项的组合物,其中聚合物嵌段A的单体单元的至少90摩尔%是选自如下的单体单元其中R20及R21独立地选自:H及C6-14芳基,其中C6-14芳基可经一个或多个C1-10烷基取代,且L20是C6-14亚芳基。7.根据权利要求1的组合物,其中该至少一种聚合物是如权利要求16至21中任一项的聚合物。8.根据权利要求1至7中任一项的组合物,其中聚合物嵌段A/全部聚合物嵌段B的重量比是60/40至96/4。9.根据权利要求1至8中任一项的组合物,其中该带有至少两个叠氮基的交联剂具有式其中a为0或1,R50在每次出现时选自H、卤素、SO3M及C1-20烷基,该C1-20烷基可经一个或多个卤素取代,其中M是H、Na、K或Li,且L50是键联基团。10.根据权利要求9的组合物,其中L50是下式的键联基团其中b、c、d、e、f、g及h彼此独立地为0或1,条件为b、c、d、e、f、g及h并不同时为0,W1、W2、W3及W4独立地选自:C(O)、C(O)O、C(O)-NR51、SO2-NR51、NR51、N+R51R51、CR51=CR51及亚乙炔基其中R51在每次出现时是H或C1-10烷基,或两个R51基,其可来自不同的W1、W2、W3及W4基,与连接原子一起形成5、6或7员环,该环可经1至3个C1-6烷基取代,Z1、Z2及Z3独立地选自:C1-10亚烷基、C5-8亚环烷基、...
【专利技术属性】
技术研发人员:E·马丁,F·G·布鲁内蒂,D·克尔布莱因,K·克诺尔,J·T·库平,
申请(专利权)人:巴斯夫欧洲公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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