玻璃基板及层叠基板制造技术

本发明专利技术的第一发明专利技术涉及一种玻璃基板，碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分率计为0～0.1％，失透温度粘性为10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】玻璃基板及层叠基板
本专利技术涉及玻璃基板及层叠基板。
技术介绍
在半导体器件的领域中，器件的集成度增加，另一方面，正推进器件的小型化。与此相伴，对具有高集成度的器件的封装技术的需求正在提高。近年来，在半导体封装的领域中，晶片级封装(WLP)或面板级封装(PLP)等技术备受关注(参照专利文献1等)。该技术是例如将硅芯片放置在玻璃基板上，利用密封树脂进行模塑，由此进行密封的技术。由于能够将端子配置于比硅芯片的面积大的面积上，因此，能够高效的布线，作为结果，能够提高每单位面积的集成度。另外，能够通过进行大面积化而降低成本。一般而言，密封树脂的热膨胀率大于玻璃基板的热膨胀率，因此，玻璃基板和密封树脂的热膨胀率差大。因此，使用WLP技术进行封装时，产生如下问题：发生由该热膨胀率差引起的翘曲。为了解决这样的问题，以往采取了如下方法：在密封树脂中加入各种填料，使该密封树脂的热膨胀率与玻璃基板的热膨胀率一致而抑制在上述的封装工序中的翘曲。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-78113号公报专利文献2：日本特开平8-333133号公报
技术实现思路
然而，如果在密封树脂中加入大量的填料，则本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种玻璃基板，碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分率计为0～0.1％，失透温度粘性为10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.16 JP 2016-182125;2017.03.23 JP 2017-057611.一种玻璃基板，碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分率计为0～0.1％，失透温度粘性为103.2dPa·s以上，30℃～220℃下的平均热膨胀系数α为7.80～9.00ppm/℃。2.根据权利要求1所述的玻璃基板，用于半导体封装用的支撑基板。3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，光弹性常数C为10～26nm/cm/MPa。4.一种玻璃基板，用于半导体封装用的支撑基板，碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分率计为0～0.1％，光弹性常数C为10～26nm/cm/MPa。5.根据权利要求1～4中任一项所述的玻璃基板，其中，作为母组成，以氧化物基准的摩尔百分率计含有SiO2：50～70％、Al2O3：2～8％、B2O3：0～5％、MgO：0～5％、CaO：0～6％、SrO：4～20％、BaO：14～35％、MgO+CaO+SrO+BaO：25～40％。6.根据权利要求1～5中任一项所述的玻璃基板，其中，通过下述式(1)求出的值为81～93，该式(1)表示以氧化物基准的摩尔百分率计的各氧化物的含量的比例的关系，0.174×(SiO2的含量)－0.012×(Al2O3的含量)+0.317×(B2O3的含量)+0.988×(MgO的含量)+1.715×(CaO的含量)+...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽村茂辉，小野和孝，
申请(专利权)人：AGC株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP