一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法技术

本发明专利技术提供了一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法，包括以下步骤：A)在多晶硅膜层的表面沉积一层掩膜，然后在所述掩膜的表面复合一层指栅线图形的有机蜡，得到预处理的多晶硅膜层；B)将预处理的多晶膜层先浸入第一HF溶液中，蚀刻没有有机蜡保护区域的掩膜，再使用碱溶液将有机蜡清洗除去；C)将除去有机蜡的多晶硅膜层浸入制绒碱液中，蚀刻没有掩膜保护区域的多晶硅膜层，再使用第二HF溶液将掩膜清洗除去，得到具有指栅线图案的多晶硅膜层；D)将所述具有指栅线图案的多晶硅膜层依次进行钝化和丝网印刷。本发明专利技术利用掩膜和有机蜡实现选择性的多晶硅钝化技术，达到金属区域多晶硅保留，其他地方被刻蚀掉，而且实现了极低的吸光系数。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法
本专利技术属于太阳能电池
，尤其涉及一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法。
技术介绍
太阳电池的开路电压直接受太阳电池内部复合的影响，而太阳电池发展至今金属接触区域的复合已经占到了很多的比重，是限制太阳电池开路进一步提升的主要因素。目前，钝化接触技术十分火热，所谓的钝化接触技术是指在用于收集电流作用的金属电极不直接与硅基体接触，之间多了一层超薄的氧化层还有一层掺杂的多晶硅膜层。这样设计的好处就是保证金属电极与硅基体之间的金属复合电流密度几乎降至为零，而且用超薄氧化层的多晶硅钝化的界面态复合也得到了降低，于是与太阳电池饱和复合电流密度负相关的太阳电池开路电压得到极大的提升。但是，用于钝化接触技术的多晶硅吸光系数很大，会相应地减少进入太阳电池体区光子的总量，从而降低了太阳电池的短路电流。因此，目前钝化接触技术无法将钝化接触技术应用在太阳电池的正面，一般都用于太阳电池的背面，以便对光的吸收的影响降到最低。因此，为了进一步提升太阳能电池的效率，必须要解决多晶硅吸收光的问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法，本专利技术中的钝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法，包括以下步骤：A)在多晶硅膜层的表面沉积一层掩膜，然后在所述掩膜的表面复合一层指栅线图形的有机蜡，得到预处理的多晶硅膜层；B)将预处理的多晶硅膜层先浸入第一HF溶液中，蚀刻没有有机蜡保护区域的掩膜，再使用碱溶液将有机蜡清洗除去；C)将除去有机蜡的多晶硅膜层浸入制绒碱液中，蚀刻没有掩膜保护区域的多晶硅，再使用第二HF溶液将掩膜清洗除去，得到具有指栅线图案的多晶硅膜层；D)将所述具有指栅线图案的多晶硅膜层依次进行钝化、丝网印刷和烧结。

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法，包括以下步骤：A)在多晶硅膜层的表面沉积一层掩膜，然后在所述掩膜的表面复合一层指栅线图形的有机蜡，得到预处理的多晶硅膜层；B)将预处理的多晶硅膜层先浸入第一HF溶液中，蚀刻没有有机蜡保护区域的掩膜，再使用碱溶液将有机蜡清洗除去；C)将除去有机蜡的多晶硅膜层浸入制绒碱液中，蚀刻没有掩膜保护区域的多晶硅，再使用第二HF溶液将掩膜清洗除去，得到具有指栅线图案的多晶硅膜层；D)将所述具有指栅线图案的多晶硅膜层依次进行钝化、丝网印刷和烧结。2.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述掩膜为氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜。3.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述掩膜的厚度为60～160nm。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：徐冠群，包健，张昕宇，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33