用于将射频（RF）与直流（DC）能量耦合至一或多个公共电极的电容组件制造技术

本文提供耦接射频功率及直流功率至电极的电容组件及包含所述电容组件的基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，电容组件包含：第一导电板，以接收来自RF功率源的RF功率，第一导电板包含中心孔；至少一个电容，所述至少一个电容耦接至第一导电板并围绕中心孔；及第二导电板，第二导电板经由至少一个电容电性耦接至第一导电板，且第二导电板包含输入接嘴及至少一个输出接嘴，输入接嘴接收来自DC功率源的DC功率，至少一个输出接嘴将RF及DC功率耦接至电极。

【技术实现步骤摘要】
用于将射频(RF)与直流(DC)能量耦合至一或多个公共电极的电容组件本申请是申请日为2015年3月13日、申请号为201580014300.8、专利技术名称为“用于将射频(RF)与直流(DC)能量耦合至一或多个公共电极的电容组件”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开内容的实施方式大体涉及基板处理设备。
技术介绍
基板上微电子装置的形成经常需要在沉积腔室中沉积的多层薄膜，举例而言，沉积腔室诸如物理气相沉积(PVD)腔室、原子层沉积(ALD)腔室、化学气相沉积(CVD)腔室等。静电夹盘(chuck)经常被用以在沉积处理期间静电保持基板于基板支撑件上。通常对夹盘中的电极供以来自直流(DC)电源的直流功率，以静电保持基板于夹盘上。此外，射频(RF)能量经常也被供应至基板支撑件中的电极，以控制朝向基板行进的接踵而至的离子能量。在一些情形中，DC及RF能量被提供至同一电极。举例来说，将高电流DC功率传送至静电夹盘中的一或多个电极，同时将使RF功率与DC电流隔离。真空类的电容已被用以将RF功率与DC电流隔离。然而，专利技术人注意到真空类的电容尺寸大(例如，约2-3英寸)，且用光了有用的空间。此外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于将射频(RF)与直流(DC)功率耦合至电极的电容组件，所述电容组件包括：第一导电板，所述第一导电板用以接收来自RF功率源的RF功率，所述第一导电板包含中心孔；多个电容，所述多个电容耦接至所述第一导电板并围绕所述中心孔；及第二导电板，所述第二导电板经由所述多个电容耦接至所述第一导电板，所述第二导电板包含输入接嘴及等距间隔的多个输出接嘴，所述输入接嘴用以接收来自DC功率源的DC功率，所述等距间隔的多个输出接嘴用以将所述RF功率及所述DC功率耦合至电极。

【技术特征摘要】
2014.04.09 US 14/249,3271.一种用于将射频(RF)与直流(DC)功率耦合至电极的电容组件，所述电容组件包括：第一导电板，所述第一导电板用以接收来自RF功率源的RF功率，所述第一导电板包含中心孔；多个电容，所述多个电容耦接至所述第一导电板并围绕所述中心孔；及第二导电板，所述第二导电板经由所述多个电容耦接至所述第一导电板，所述第二导电板包含输入接嘴及等距间隔的多个输出接嘴，所述输入接嘴用以接收来自DC功率源的DC功率，所述等距间隔的多个输出接嘴用以将所述RF功率及所述DC功率耦合至电极。2.如权利要求1所述的电容组件，其中所述第一导电板是圆形的。3.如权利要求1或2的任一项所述的电容组件，其中所述多个电容围绕所述中心孔而径向设置。4.如权利要求3所述的电容组件，所述电容组件进一步包括：中间导电板；及多个第二电容，所述多个第二电容耦接至所述中间导电板，其中所述多个电容设置于所述第一导电板和所述中间导电板之间，且其中所述多个第二电容设置于所述中间导电板和所述第二导电板之间。5.如权利要求1或2任一项所述的电容组件，所述电容组件进一步包括：第三导电板，所述第三导电板将所述RF功率耦合至所述第一导电板；其中所述第一导电板的所述中心孔经攻丝，以接收对应螺纹的螺栓，所述螺栓将所述第三导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔·约翰逊，莱斯·沃伊洛夫斯基，劳伦斯·A·林戈尔，杰弗里·路德维希，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US