【技术实现步骤摘要】
一种基于现场可编程门阵列的多片闪存控制器
本专利技术属于非易失性存储器
，尤其涉及一种基于现场可编程门阵列的多片闪存控制器。
技术介绍
随着计算机技术和云计算的高速发展，非易失存储设备的需求量越来越大。随着MLC(Multi-LevelCell，多层单元闪存)，TLC(Trinary-LevelCell，3bit/cell)工艺的成熟，nandflash(非易失性存储器)的存储密度显著增加，单位价格显著降低，已经成为最为常用的大容量非易失存储设备。随着计算机技术和云计算的高速发展，非易失存储设备的需求量越来越大。目前常用的非易失存储设备不能支持操作多片非易失性存储器，或者是需要通过增加DDR3芯片，造成成本的增加。
技术实现思路
本专利技术的技术解决问题：本专利技术实施例提供了一种基于现场可编程门阵列的多片闪存控制器，利用一片FPGA(Field-ProgrammableGate，现场可编程门阵列)完成对多片nandflash的读写和擦除操作，接口简单友好，在扩展nandflash数量时，增加一片nandflash，FPGA和nandflash的连接引脚只增加一...
【技术保护点】
1.一种基于现场可编程门阵列的多片闪存控制器，其特征在于，包括：现场可编程门阵列和至少一片非易失性存储器；所述现场可编程门阵列上设置有闪存接口；所述现场可编程门阵列采用每个片选开关通过所述闪存接口分别与每片所述非易失性存储器连接。
【技术特征摘要】
1.一种基于现场可编程门阵列的多片闪存控制器，其特征在于，包括：现场可编程门阵列和至少一片非易失性存储器；所述现场可编程门阵列上设置有闪存接口；所述现场可编程门阵列采用每个片选开关通过所述闪存接口分别与每片所述非易失性存储器连接。2.根据权利要求1所述的控制器，其特征在于，所述现场可编程门阵列包括编码模块和解码模块，所述现场可编程门阵列上还设置有用户接口，所述编码模块被配置为通过所述用户接口接收用户输入的写操作，生成所述写操作对应的写数据的校验数据；所述解码模块被配置为通过所述用户接口接收用户输入的读操作，根据所述校验数据对所述读操作对应的读数据进行纠错。3.根据权利要求2所述的控制器，其特征在于，所述现场可编程门阵列还包括缓存模块，所述缓存模块被配置为调用所述现场可编程门阵列内部的块随机存取存储器，在所述用户读写数据时完成对数据的缓存。4.根据权利要求3所述的控制器，其特征在于，所述现场可编程门阵列还包括主控模...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈果，郭文斌，陈建波，陈园园，
申请(专利权)人：北京航星机器制造有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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