控制电路和操作控制电路的方法技术

各个实施例提供了一种控制电路以及一种操作该控制电路的方法，该控制电路包括被设计成用于使能雪崩二极管的至少一个有源模块。该控制电路还包括被设计成禁用该雪崩二极管的至少一个无源模块。

Method of Control Circuit and Operational Control Circuit

The embodiments provide a control circuit and a method of operating the control circuit, which includes at least one active module designed to enable avalanche diodes. The control circuit also includes at least one passive module designed to disable the avalanche diode.

【技术实现步骤摘要】
控制电路和操作控制电路的方法
本公开涉及一种控制电路，具体涉及一种用于控制雪崩二极管的控制电路以及一种操作该控制电路的方法。
技术介绍
现有的单光子雪崩二极管(SPAD)基于PN结。PN结在超过击穿电压的电压下被反向偏置。按照这种方式，由单光子生成的载流子会被注入到耗尽区中并且会引起自持雪崩。SPAD可以被淬灭，从而允许PN结被重置以检测另外的光子。
技术实现思路
根据一个方面，提供了一种控制电路，包括：至少一个有源模块，被设计成使能雪崩二极管；以及至少一个无源模块，被设计成禁用雪崩二极管。至少一个有源模块可以被设计成将反向偏置电压设置为高于或者等于击穿电压。至少一个无源模块可以被设计成将反向偏置电压设置为低于击穿电压。至少一个无源模块可以包括至少一个钳位二极管，该至少一个钳位二极管被布置为将供电电压连接至雪崩终端的电极。至少一个钳位二极管可以包括被连接至供电电压的阴极、和被连接至雪崩二极管的阳极的阳极。至少一个有源模块可以包括至少一个第一开关，该至少一个第一开关由至少一个第一控制信号控制，以将雪崩二极管的电极与电压供应连接和断开连接。至少一个第一开关可以是金属氧化物半导体MOS开关。至本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路，包括：雪崩二极管；有源模块，被配置为使能所述雪崩二极管并且向所述雪崩二极管施加第一反向偏置电压，所述第一反向偏置电压等于或大于所述雪崩二极管的击穿电压；以及无源模块，被配置为禁用所述雪崩二极管并且向所述雪崩二极管施加第二反向偏置电压，所述第二反向偏置电压小于所述击穿电压。

【技术特征摘要】
2017.10.25 EP 17198338.01.一种电路，包括：雪崩二极管；有源模块，被配置为使能所述雪崩二极管并且向所述雪崩二极管施加第一反向偏置电压，所述第一反向偏置电压等于或大于所述雪崩二极管的击穿电压；以及无源模块，被配置为禁用所述雪崩二极管并且向所述雪崩二极管施加第二反向偏置电压，所述第二反向偏置电压小于所述击穿电压。2.根据权利要求1所述的电路，其中所述无源模块包括被耦合在供电电压与所述雪崩二极管之间的钳位二极管。3.根据权利要求2所述的电路，其中所述钳位二极管包括被耦合至所述供电电压的阴极、和被耦合至所述雪崩二极管的阳极的阳极。4.根据权利要求1所述的电路，其中所述有源模块包括第一控制信号生成器和第一开关，所述第一控制信号生成器被配置为生成第一控制信号，所述第一开关被配置为由所述第一控制信号控制，以将所述雪崩二极管与电压供应连接和断开连接。5.根据权利要求4所述的电路，其中所述第一开关是金属氧化物半导体MOS开关。6.根据权利要求4所述的电路，其中所述第一开关是N型金属氧化物半导体NMOS开关。7.根据权利要求4所述的电路，其中所述第一开关是N型延伸漏极金属氧化物半导体NEDMOS开关。8.根据权利要求4所述的电路，其中所述有源模块包括第二控制信号生成器和第二开关，所述第二控制信号生成器被配置为生成第二控制信号，所述第二开关被配置为由所述第二控制信号控制，以将雪崩二极管与所述电压供应连接和断开连接。9.根据权利要求8所述的电路，其中所述第二开关是金属氧化物半导体MOS开关。10.根据权利要求8所述的电路，其中所述第二开关是N型金属氧化物半导体NMOS开关。11.根据权利要求8所述的电路，其中所述第二开关是N型延伸漏极金属氧化物半导体NEDMOS开关。12.一种系统，包括：雪崩二极管；以及控制电路，被配置为控制所述雪崩二极管，所述控制电路包括：第一开关，被耦合在所述雪崩二极管的阳极与第一电压供应之间；钳位二极管，被耦合...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·斯塔克，
申请(专利权)人：意法半导体RD有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB