一种脉冲采样隔离电路制造技术

本发明专利技术公开了一种脉冲采样隔离电路，涉及磁隔离领域。包括：依次连接的初级电路、变压器和次级电路，所述初级电路包括：振荡器、第一NMOS管、第二NMOS管、PMOS管、第一电阻、第一二极管和第一电容。本发明专利技术提供的脉冲采样隔离电路，通过振荡器输出的高电平和低电平控制各个NMOS管的导通和截止，实现了把全幅度范围误差信号无延时地由变换器的次级电路传递至初级电路，具有电路结构简单、器件使用数量少、电路体积小、重量轻且成本低的优点，具有很高的可靠性。

A Pulse Sampling Isolation Circuit

The invention discloses a pulse sampling isolation circuit, which relates to the field of magnetic isolation. Including: primary circuit, transformer and secondary circuit connected in turn, the primary circuit includes: oscillator, first NMOS tube, second NMOS tube, PMOS tube, first resistor, first diode and first capacitor. The pulse sampling isolation circuit provided by the invention controls the turn-on and cut-off of each NMOS transistor through the output of the oscillator at high and low levels, and achieves the transmission of the full range error signal from the secondary circuit of the converter to the primary circuit without delay. It has the advantages of simple circuit structure, small number of devices, small circuit volume, light weight and low cost, and has high performance. Reliability.

【技术实现步骤摘要】
一种脉冲采样隔离电路
本专利技术涉及磁隔离领域，尤其涉及一种脉冲采样隔离电路。
技术介绍
由于太空电磁环境的特殊性，应用于航天器上的功率变换反馈电路大多采用磁隔离的方式。功率变换器输出参数经采样后与参数基准比较产生误差信号，用该误差信号调制高频载波信号，经调制后的高频信号通过信号变压器传递至功率变换电路的初级电路，把该信号解调后生成与次级误差信号成一定比例关系的信号，从而实现了输出参数与反馈信号的磁隔离。目前，航天领域的功率变换反馈电路常采用两种，一种是使用TI公司的隔离反馈发生器UC1901组成磁反馈电路，电源输出电压经分压电阻分压后与UC1901内部基准源进行比较，产生的误差信号经放大后对UC1901内部振荡器输出信号进行幅度调制，从而把直流误差信号变换成高频脉冲信号，然后通过变压器传递至变换器初级PWM控制器。另一种使用两个正激变换的双向磁隔离器，其中一个正激变换器把能量从初级电路传递至次级电路，给次级电路提供电源，另一个正激变换器把误差信号从次级电路传递至初级电路，从而实现了误差信号的磁隔离。然而，上述方案都具有结构复杂，使用器件多，成本高的缺点，并且存有当次级误差信号降低较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种脉冲采样隔离电路，其特征在于，包括：依次连接的初级电路(1)、变压器(T)和次级电路(2)，所述初级电路(1)包括：振荡器(Y)、第一NMOS管(Q1)、第二NMOS管(Q2)、PMOS管(Q3)、第一电阻(R1)、第一二极管(D1)和第一电容(C1)，其中：所述振荡器(Y)的输出端分别与所述第一NMOS管(Q1)的g端和所述第二NMOS管(Q2)的g端连接，所述第一NMOS管(Q1)的s端分别与所述第一电阻(R1)的一端和所述第二NMOS管(Q2)的s端连接并接地，所述第二NMOS管(Q2)的d端分别与所述第二电阻(R2)的另一端和所述第一电容(C1)的负极连接，作为所述脉冲采样隔离...

【技术特征摘要】
1.一种脉冲采样隔离电路，其特征在于，包括：依次连接的初级电路(1)、变压器(T)和次级电路(2)，所述初级电路(1)包括：振荡器(Y)、第一NMOS管(Q1)、第二NMOS管(Q2)、PMOS管(Q3)、第一电阻(R1)、第一二极管(D1)和第一电容(C1)，其中：所述振荡器(Y)的输出端分别与所述第一NMOS管(Q1)的g端和所述第二NMOS管(Q2)的g端连接，所述第一NMOS管(Q1)的s端分别与所述第一电阻(R1)的一端和所述第二NMOS管(Q2)的s端连接并接地，所述第二NMOS管(Q2)的d端分别与所述第二电阻(R2)的另一端和所述第一电容(C1)的负极连接，作为所述脉冲采样隔离电路的输出端，所述第一电容(C1)的正极分别与所述PMOS管(Q3)的s端和所述第一二极管(D1)的负极连接，所述PMOS管(Q3)的d端与所述变压器(T)的初级线圈的同名端连接，所述PMOS管(Q3)的g端分别与所述第一二极管(D1)的正极、所述变压器(T)的初级线圈的异名端和所述第一NMOS管(Q1)的d端连接。2.根据权利要求1所述的脉冲采样隔离电路，其特征在于，所述次级电路(2)包括：第二二极管(D2)，所述第二二极管(D2)的正极与所述变压器(T)的次级线圈的负极连接，所述第二二极管(D2)的负极作为所述脉冲采样隔离电路的输入端，所述变压器(T)的次级线圈的正极接地。3.根据权利要求1所述的脉冲采样隔离电路，其特征在于，所述初级电路(1)还包括：连接在所述第一电阻(R1)和所述第二NMOS管(Q2)之间的第三二极管(D3)，所述第三二极管(D3)的正极与所述第二NMOS管(Q2)的d端连接，所述第三二极管(D3)的负极与所述第一电阻(R1)的另一端连接。4.根据权利要求3所述的脉冲采样隔离电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张保冰，
申请(专利权)人：中国科学院空间应用工程与技术中心，
类型：发明
国别省市：北京,11