氢气还原的薄层碳化钛负载光电解水用氧化亚铜光阴极材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了氢气还原的薄层碳化钛负载光电解水用氧化亚铜光阴极材料及其制备方法。本发明专利技术以导电玻璃或铜为基底制备氧化亚铜并在其表面负载氢气还原的薄层碳化钛，合成具有较高光电化学性能的复合光电极材料氢气还原的薄层碳化钛负载的氧化亚铜，即Cu2O/H:Ti3C2Tx。所述电极材料包括基底、氧化亚铜和氢气还原的薄层碳化钛。所述氢气还原的薄层碳化钛负载氧化亚铜电极，能够显著改善电极材料的光电化学性能，可应用于太阳能光伏电池制备、光电化学传感器构建以及光电催化水分解制氢等领域。

Cuprous oxide photocathode material for hydrogen-reduced thin-layer titanium Carbide-supported photoelectrolysis of water and its preparation method

The invention discloses a thin titanium carbide supported photocathode material for photocatalysis of water by hydrogen reduction and a preparation method thereof. The invention uses conductive glass or copper as a base to prepare cuprous oxide and loads hydrogen-reduced thin layer titanium carbide on its surface to synthesize thin layer titanium carbide supported on Cu2O/H:Ti3C2Tx, which has high Photoelectrochemical Performance and hydrogen-reduced composite photocathode material. The electrode material comprises a substrate, a cuprous oxide and a thin layer of titanium carbide reduced by hydrogen. The thin-layer titanium carbide supported cuprous oxide electrode reduced by hydrogen can significantly improve the Photoelectrochemical Performance of the electrode material, and can be applied in the fields of solar photovoltaic cell preparation, photoelectrochemical sensor construction and photoelectric catalytic water decomposition for hydrogen production.

【技术实现步骤摘要】
氢气还原的薄层碳化钛负载光电解水用氧化亚铜光阴极材料及其制备方法
本专利技术涉及电极材料，特别涉及氢气还原的薄层碳化钛负载光电解水用氧化亚铜光阴极材料及其制备方法。
技术介绍
随着工业化进程的加快和人口的急速增长，人类正面临严峻的能源短缺和环境恶化的危机。太阳能作为一种新能源，具有清洁、高效、可再生等优势，光电化学技术可以将太阳能加以合理利用，而合适的半导体材料在光电化学中发挥着重要的作用。Cu2O作为一种常见的p型半导体材料，因具有合适的带隙、光响应好、价格低廉等优点在多个领域引起了广泛的关注，但由于Cu2O材料本身在电解液中易发生光腐蚀，稳定性差，使得其在实际中应用受到很大的限制。因此，近年来人们采取了多种方法，如表面修饰、半导体复合，来提高Cu2O光电极的活性和稳定性。综上可知，研发一种成本低、方法简单、光电化学性能较好的氧化亚铜复合光电极材料的合成方法，具有重要的科学意义和应用价值。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供氢气还原的薄层碳化钛负载光电解水用氧化亚铜光阴极材料及其制备方法，具有成本低、制备简单的优点，且所得材料还可以提高氧化亚铜光电极的光电性能。本专利技术的技术方案如下：氢气还原的薄层碳化钛负载光电解水用氧化亚铜光阴极材料，以导电玻璃或铜为基底制备氧化亚铜并在其表面负载氢气还原的薄层碳化钛，记为Cu2O/H:Ti3C2Tx。上述材料的制备方法，包括如下步骤：(1)将碳化钛的前驱体置于氢氟酸中搅拌18~30h，洗涤至中性并抽滤，真空干燥；(2)将步骤(1)所得物质加入到二甲基亚砜溶液中搅拌18~30h，洗涤除去多余的二甲基亚砜，然后在氩气的氛围下超声处理，经离心、干燥，得到薄层碳化钛，即Ti3C2Tx；(3)将步骤(2)得到的薄层碳化钛在氢气的还原气氛中，400~800℃下反应20~60min，得到还原的薄层碳化钛，即H:Ti3C2Tx；(4)将碱和过硫酸铵在水中搅拌分散均匀，得到溶液，然后将铜基底置于其中，反应5~30min，再将铜基底用去离子水和乙醇分别冲洗并干燥；(5)以铜基底为工作电极，铂片为对电极，1~3mol/L的碱溶液为电解液，在恒电流的条件下反应5~50min，然后将铜基底用去离子水和乙醇分别冲洗并干燥；(6)分别将步骤(4)或/和步骤(5)所得的干燥铜基底放置于管式炉中，在氩气气氛，400~800℃下煅烧2~6h，得到氧化亚铜电极；(7)将乳酸溶液加入到铜盐溶液中，所得混合溶液作为电解液，调节pH为碱性，分别以FTO导电玻璃为基底，铂片为对电极，银/氯化银电极为参比电极，在恒电流的条件下沉积50~300min，然后将FTO基底用去离子水和乙醇分别冲洗并干燥，得到氧化亚铜电极；(8)将步骤(6)或/和步骤(7)所得的氧化亚铜电极浸渍于步骤（3）所得H:Ti3C2Tx的乙醇溶液中20~60min并干燥；(9)将干燥的氧化亚铜电极放置于管式炉中，在氩气气氛，100~400℃下煅烧20~60min，得到具有较高光电化学性能的复合光电极材料，即Cu2O/H:Ti3C2Tx。进一步地，步骤（1）中，所述的碳化钛的前驱体为碳化铝钛或碳化硅钛中的一种或两种。进一步地，步骤（4）中，所述的碱为氢氧化钠、氢氧化钾中的一种或两种。进一步地，步骤（4）和步骤（5）的铜基底为铜片、铜网、铜泡沫中的一种。进一步地，步骤（4）中，碱浓度为0.1~0.3mol/L，过硫酸铵浓度为1~3mol/L。进一步地，步骤（5）中，电流为5~20mA/cm2。进一步地，步骤（7）中，乳酸浓度为1~5mol/L，铜盐浓度为0.1~0.5mol/L，所述的铜盐为硫酸铜、硝酸铜中的一种或两种，电流为-0.1~-0.5mA/cm2。进一步地，步骤（8）中，H:Ti3C2Tx的乙醇溶液浓度为0.1~0.7mg/mL。本专利技术的有益效果在于：本专利技术的制备工艺简单，条件容易控制，所得氧化亚铜电极为纳米结构，在铜基底或FTO导电玻璃表面生长出氧化亚铜，然后进一步负载氢气还原的薄层碳化钛，制得的复合电极的光电化学性能得到明显提高，光电化学性能优良，具有重要的科学意义和应用价值。附图说明图1为制备的氧化亚铜及负载还原和未还原的薄层碳化钛的氧化亚铜电极的XRD图，即：Cu2O、Cu2O/Ti3C2Tx和Cu2O/H:Ti3C2Tx电极。其中，(111)面(JCPDSNo.78-2076)为Cu2O的特征衍射峰，Cu的衍射峰来自于铜基底。图2为制备的负载薄层碳化钛的氧化亚铜电极即Cu2O/Ti3C2Tx电极的透射电镜图，其中，插图为对应的能谱图。从透射电镜图中可以看出，制备的Ti3C2Tx为薄层结构且均匀负载在Cu2O表面，从能谱图中可以看出，制备的Cu2O/Ti3C2Tx电极中含有Cu、Ti、C、O等元素。图3为制备的负载还原的薄层碳化钛的氧化亚铜电极即Cu2O/H:Ti3C2Tx电极的透射电镜图，其中，插图为对应的能谱图。从透射电镜图中可以看出，Ti3C2Tx经氢气还原后发生了轻微聚合，但仍保持了薄层结构且均匀负载在Cu2O表面，从能谱图中可以看出，制备的Cu2O/H:Ti3C2Tx电极中含有Cu、Ti、C、O等元素。图4为氧化亚铜及负载还原和未还原的薄层碳化钛的氧化亚铜电极的光电化学性能测试，即模拟太阳光下的线性扫描曲线：(a)Cu2O电极；(b)Cu2O/Ti3C2Tx复合电极；(c)Cu2O/H:Ti3C2Tx复合电极。从图中可以看出，Cu2O/H:Ti3C2Tx复合电极的光电性能要优于纯Cu2O电极和Cu2O/Ti3C2Tx复合电极。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术做进一步详细说明，但本专利技术并不限于此。实施例1Cu2O/Ti3C2Tx和Cu2O/H:Ti3C2Tx复合电极的制备(1)将碳化铝钛置于氢氟酸中并在室温下搅拌20h，洗涤至中性并抽滤，真空干燥；(2)将步骤(1)所得物质加入到二甲基亚砜溶液中搅拌20h，洗涤除去多余的二甲基亚砜，然后在氩气的氛围下超声处理，经离心、干燥，得到薄层碳化钛，即Ti3C2Tx；(3)将步骤(2)得到的薄层碳化钛在氢气的还原气氛中，400℃下反应30min，得到还原的薄层碳化钛，即H:Ti3C2Tx；(4)将氢氧化钾和过硫酸铵在水中搅拌分散均匀，得到0.23mol/L氢氧化钾和1.47mol/L过硫酸铵的水溶液，然后将铜片置于溶液中，反应5min，再将铜片用去离子水和乙醇分别冲洗并干燥；(5)将步骤(4)所得的干燥铜片放置于管式炉中，在氩气气氛，400℃下煅烧3h，得到氧化亚铜纳米棒；(6)将步骤(5)得到的氧化亚铜纳米棒浸渍于0.7mg/mL的Ti3C2Tx或H:Ti3C2Tx的乙醇溶液中30min并干燥；(7)将干燥的氧化亚铜纳米棒放置于管式炉中，在氩气气氛，100℃下煅烧30min，得到具有较高光电化学性能的复合光电极材料，即Cu2O/Ti3C2Tx或Cu2O/H:Ti3C2Tx。实施例2Cu2O/Ti3C2Tx和Cu2O/H:Ti3C2Tx复合电极的制备(1)将碳化硅钛置于氢氟酸中并在室温下搅拌24h，洗涤至中性并抽滤，真空干燥；(2)将步骤(1)所得物质加入到二甲基亚砜溶液中搅拌24h，洗涤除去多余的二甲基亚砜，然后在氩气的氛围下超声处理，经离心、干燥，得到薄层碳化钛，即T本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.氢气还原的薄层碳化钛负载光电解水用氧化亚铜光阴极材料，其特征在于，以导电玻璃或铜为基底制备氧化亚铜并在其表面负载氢气还原的薄层碳化钛，记为Cu2O/H:Ti3C2Tx。

【技术特征摘要】
1.氢气还原的薄层碳化钛负载光电解水用氧化亚铜光阴极材料，其特征在于，以导电玻璃或铜为基底制备氧化亚铜并在其表面负载氢气还原的薄层碳化钛，记为Cu2O/H:Ti3C2Tx。2.权利要求1所述的材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将碳化钛的前驱体置于氢氟酸中搅拌18~30h，洗涤至中性并抽滤，真空干燥；(2)将步骤(1)所得物质加入到二甲基亚砜溶液中搅拌18~30h，洗涤除去多余的二甲基亚砜，然后在氩气的氛围下超声处理，经离心、干燥，得到薄层碳化钛，即Ti3C2Tx；(3)将步骤(2)得到的薄层碳化钛在氢气的还原气氛中，400~800℃下反应20~60min，得到氢气还原的薄层碳化钛，即H:Ti3C2Tx；(4)将碱和过硫酸铵在水中搅拌分散均匀，得到溶液，然后将铜基底置于其中，反应5~30min，再将铜基底用去离子水和乙醇分别冲洗并干燥；(5)以铜基底为工作电极，铂片为对电极，1~3mol/L的碱溶液为电解液，在恒电流的条件下反应5~50min，然后将铜基底用去离子水和乙醇分别冲洗并干燥；(6)将步骤(4)或/和步骤(5)所得的干燥铜基底放置于管式炉中，在氩气气氛，400~800℃下煅烧2~6h，得到氧化亚铜电极；(7)将乳酸溶液加入到铜盐溶液中，所得混合溶液作为电解液，调节pH为碱性，分别以FTO导电玻璃为基底，铂片为对电极，银/氯化银电极为参比电极，在恒电流的条件下沉积50~300min，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冀锴，付星晨，罗和安，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43