一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法技术

本发明专利技术公开一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法，方法包括步骤：制备印章基架，所述印章基架的材料为形状记忆聚合物；将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱；将压制后的印章基架的支柱与印章底板共中心轴贴合，得到复合印章。本发明专利技术利用复合基架式的印章，能有效调控印章粘附力，提高了薄膜的转印效率，减少了对工艺条件的需求。

A Compound Seal and Its Preparation Method and Transfer Method of Quantum Dots

The invention discloses a composite seal, a preparation method thereof and a method for transferring quantum dots. The method comprises the following steps: preparing a seal base frame, the material of the seal base frame is a shape memory polymer; pressing the support of the seal base frame into a first deformed support; and joining the support of the pressed seal base frame and the seal base plate in a coaxial direction to obtain a composite seal. The composite base seal can effectively control the adhesion force of the seal, improve the transfer efficiency of the film and reduce the demand for the process conditions.

【技术实现步骤摘要】
一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法
本专利技术涉及量子点转印
，尤其涉及一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法。
技术介绍
量子点具有发光颜色易于调节、色彩饱和度高、可溶液加工、高稳定性等诸多优点，量子点发光被视为下一代显示技术的有力竞争者。在制备量子点薄膜时，旋涂法是最快捷简便且成膜质量好的溶液加工方式，但一般只能用于制备单色发光器件，而在制造全彩发光器件时，必须制备出图案化量子点薄膜。目前，图案化量子点薄膜的方法主要有喷墨打印、转印等。其中转印法可以有效利用旋涂法制备均匀薄膜，然后利用粘弹性体印章作为转移载体，利用供体基底与薄膜、印章与薄膜、目标基底与薄膜之间的粘附力的差异来实现整个转印过程。由于转印法所使用的通常都是粘弹性体印章，其粘性性质与负载力、剥离速度有关。目前普遍使用的印章材料是聚二甲基硅氧烷（PDMS），在转印过程中通常是先加载很大的压力，然后以很快的剥离速度将薄膜从供体基底转印到PDMS印章上。然而这种依靠动力学控制来增加印章粘附力的方法一方面对转印设备提出了很高的要求，另一方面，由于剥离速度太快，在转印后的图案边缘经常会存在缺陷。因此，需要一种更方便、更高效的方式来实现印章粘附力的调控。在转印的过程中，牵涉到的三层结构是“印章-量子点薄膜-基底”，由两个界面“印章-量子点薄膜”和“量子点薄膜-基底”组成。转印过程中实际发生的就是裂纹在两个界面间的扩展。在外界载荷（剥离力）的作用下，使界面上裂纹尖端能量释放率大于界面韧性时，界面分层，量子点薄膜就会实现转印。而分层的顺序由界面的裂纹尖端能量释放率及界面韧性决定。普通的印章（凸型结构）中，剥离力施加在印章背表面或是基底背表面时，“凸起部分”的边缘会发生应力集中，极大的增加了边缘的裂纹尖端能量释放率，致使裂纹从边缘向中间扩散，最终贯穿整个界面，导致量子点薄膜与印章的分离。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法，旨在提供一种方便、高效的方式来实现量子点的转印。本专利技术的技术方案如下：一种复合印章的制备方法，其中，包括步骤：制备印章基架，所述印章基架的材料为形状记忆聚合物；将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱；将印章基架的第一变形态支柱与印章底板共中心轴贴合，得到复合印章。所述的复合印章的制备方法，其中，所述形状记忆聚合物为环氧树脂基形状记忆聚合物。所述的复合印章的制备方法，其中，所述制备印章基架的步骤，具体包括：将双酚环氧树脂、聚氧化丙烯双胺环氧固化剂与癸胺混合均匀，得到印章基架前体溶液；将所述印章基架前体溶液加入到制备印章基架的模具中，加热使所述印章基架前体溶液固化，固化后与所述制备印章基架的模具分离，得到印章基架。所述的复合印章的制备方法，其中，将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱的步骤，具体包括：将所述印章基架放入挤压模具中，在加热条件下对所述印章基架的支柱进行挤压，然后保持压力，冷却到室温，得到第一变形态支柱。所述的复合印章的制备方法，其中，所述第一变形态支柱的横截面积小于或等于所述印章底板面积的1/2。所述的复合印章的制备方法，其中，将印章基架的第一变形态支柱与印章底板共中心轴贴合，并在温度为60~80℃下胶结1~3小时，得到复合印章。所述的复合印章的制备方法，其中，所述印章底板的厚度为所述第一变形态支柱直径的1/10~1/20。一种复合印章，其中，采用如上所述的复合印章的制备方法制备而成。一种利用如上所述复合印章转印量子点的方法，其中，包括步骤：当所述印章基架的支柱处于第一变形态时，将所述复合印章与供体基底上的量子点薄膜接触，使量子点薄膜转印到所述复合印章上；当所述印章基架的支柱处于初始态时，将具有量子点薄膜的复合印章与目标基底接触，使量子点薄膜转印到目标基底上。所述的复合印章转印量子点的方法，其中，当所述印章基架的支柱处于第一变形态时，对所述印章基架进行加热处理，使所述第一变形态支柱回到初始态。有益效果：本专利技术设计了一种复合基架式结构的复合印章，这种结构能够有效利用应力集中来调控复合印章与量子点薄膜之间的粘附力大小，从而实现更高效率、更完整地图案转印。附图说明图1为本专利技术实施例1制备初始态SMP印章基架的示意图。图2为本专利技术实施例1制备第一变形态SMP印章基架的示意图。图3为本专利技术实施例1第一变形态SMP印章基架与PDMS印章平板贴合，制备复合印章的示意图。图4为本专利技术实施例1量子点转印过程的示意图。具体实施方式本专利技术提供一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术提供一种复合印章的制备方法较佳实施例，其中，包括步骤：制备印章基架，所述印章基架的材料为形状记忆聚合物；将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱；将压制后的印章基架的支柱与印章底板共中心轴贴合，得到复合印章。本专利技术使用形状记忆聚合物(SMP)制备印章基架，所述形状记忆聚合物优选为环氧树脂基形状记忆聚合物，其制备印章基架的步骤具体包括：将双酚环氧树脂（EPON826）、聚氧化丙烯双胺环氧固化剂（JEFFAMINED-230）与癸胺混合均匀，得到印章基架前体溶液；将所述印章基架前体溶液加入到制备印章基架的模具中，加热使所述印章基架前体溶液固化，固化后与所述制备印章基架的模具分离，得到印章基架。更优选地，本专利技术将双酚环氧树脂加热至完全熔融后、加入聚氧化丙烯双胺环氧固化剂与癸胺，然后搅拌至混合均匀，得到所述印章基架前体溶液；其中双酚环氧树脂、聚氧化丙烯双胺环氧固化剂、癸胺的摩尔比为8:4:1。更优选地，将所述印章基架前体溶液加入到制备印章基架的模具中，在90~110摄氏度加热1.0~2.0小时固化，再在120~140摄氏度加热0.5~1.5小时使其后固化，固化后与所述制备印章基架的模具分离，得到支柱玻璃转化温度为80~90摄氏度的印章基架。更优选地，本专利技术所述制备印章基架的模具的形状可以为但不限于四棱柱、圆柱、梯形柱中的一种。本专利技术将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱的步骤，具体包括：将所述印章基架放入挤压模具中，在加热（80~100摄氏度）条件下对所述印章基架的支柱进行挤压，然后保持压力，冷却到室温，得到第一变形态支柱。本专利技术所述第一变形态支柱是指在外界条件作用下，形状记忆聚合物改变其初始状态，且在外界条件刺激下又能恢复其初始形状的情况下，所能达到的形变状态。本专利技术将印章基架的第一变形态支柱与印章底板共中心轴贴合，得到复合印章的步骤中，所述印章底板通过以下方法制备得到：将印章底板预聚体与固化剂加入到制备印章底板的模具中，加热使所述印章底板预聚体固化，固化后与所述制备印章底板的模具分离，得到所述印章底板。其中，所述印章底板预聚体和固化剂的质量比为（5~20）:1。优选地，所述印章底板的材料为PDMS。优选地，所述第一变形态的支柱的横截面积小于或等于所述印章底板面积的1/2。需说明的是，本专利技术印章基架的支柱的横截面积是变动的，上述优选支柱的横截面积小于或等于所述印章底板面积的1/2，其中支柱的横本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合印章的制备方法，其特征在于，包括步骤：制备印章基架，所述印章基架的材料为形状记忆聚合物；将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱；将印章基架的第一变形态支柱与印章底板共中心轴贴合，得到复合印章。

【技术特征摘要】
1.一种复合印章的制备方法，其特征在于，包括步骤：制备印章基架，所述印章基架的材料为形状记忆聚合物；将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱；将印章基架的第一变形态支柱与印章底板共中心轴贴合，得到复合印章。2.根据权利要求1所述的复合印章的制备方法，其特征在于，所述形状记忆聚合物为环氧树脂基形状记忆聚合物。3.根据权利要求1所述的复合印章的制备方法，其特征在于，所述制备印章基架的步骤，具体包括：将双酚环氧树脂、聚氧化丙烯双胺环氧固化剂与癸胺混合均匀，得到印章基架前体溶液；将所述印章基架前体溶液加入到制备印章基架的模具中，加热使所述印章基架前体溶液固化，固化后与所述制备印章基架的模具分离，得到印章基架。4.根据权利要求1所述的复合印章的制备方法，其特征在于，将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱的步骤，具体包括：将所述印章基架放入挤压模具中，在加热条件下对所述印章基架的支柱进行挤压，然后保持压力，冷却到室温，得到第一变形态支柱。5.根据权利要求1所述的复合印章的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张滔，向超宇，李乐，辛征航，张东华，邓天旸，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44