延长固态硬盘寿命的方法技术

本发明专利技术提供一种延长固态硬盘寿命的方法，其包含下列步骤：设定固态硬盘的逻辑存储区块的个数为闪速存储器的实体存储区块的个数的二分之一。由闪速存储器的控制单元读取闪速存储器的各实体存储区块的写入/抹除次数。当写入/抹除次数超过写入/抹除上限值时，将实体存储区块由多层式存储格式转换为单层式存储格式。其中，逻辑存储区块的个数为不变的固定值。

【技术实现步骤摘要】
延长固态硬盘寿命的方法
本案涉及一种延长固态硬盘寿命的方法，实质上是涉及一种藉由对达到一定写入/抹除次数的实体存储区块进行降阶以达到延长使用寿命的延长固态硬盘寿命的方法。
技术介绍
NAND闪速存储器(Flash)是固态硬盘(SSD)用来承载、存储数据的存储器，固态硬盘可透过控制器(Controller)进行各种运算处理，而这些过程中的任何一个细节，都有可能影响到固态硬盘的产品效能表现、可靠度、稳定度等等。闪速存储器在格式上可分为单层式存储(Single-LevelCell,SLC)、多层式存储(Multiple-LevelCell,MLC)或是三层式存储(Triple-LevelCell,TLC)，其是以内存单元阵列的方式来存储数据，而内存单元是由一浮动闸极晶体管(floating-gatetransistor)来进行实作，透过控制浮动栅极晶体管上的电荷个数来设定导通此内存单元的所需临界电压，进而存储至少一位元以上的信息，而当一特定电压施加于浮动栅极晶体管的控制栅极上时，浮动栅极晶体管的导通状态便会指示出浮动栅极晶体管中所存储的一或多个二进位数字。然而，当内存单元无法完全支援所写入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种延长固态硬盘寿命的方法，所述固态硬盘承载闪速存储器，所述闪速存储器属于多层式存储闪速存储器，其特征在于，所述延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：设定所述固态硬盘的逻辑存储区块的个数为所述闪速存储器的实体存储区块的个数的二分之一；由所述闪速存储器的控制单元读取所述闪速存储器的各所述实体存储区块的写入/抹除次数；以及当所述写入/抹除次数超过写入/抹除上限值时，将所述实体存储区块由多层式存储格式转换为单层式存储格式；其中，所述逻辑存储区块的个数为不变的固定值。

【技术特征摘要】
1.一种延长固态硬盘寿命的方法，所述固态硬盘承载闪速存储器，所述闪速存储器属于多层式存储闪速存储器，其特征在于，所述延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：设定所述固态硬盘的逻辑存储区块的个数为所述闪速存储器的实体存储区块的个数的二分之一；由所述闪速存储器的控制单元读取所述闪速存储器的各所述实体存储区块的写入/抹除次数；以及当所述写入/抹除次数超过写入/抹除上限值时，将所述实体存储区块由多层式存储格式转换为单层式存储格式；其中，所述逻辑存储区块的个数为不变的固定值。2.根据权利要求1所述的延长固态硬盘寿命的方法，其特征在于，当所述若干个实体存储区块皆转换为所述单层式存储格式，且转换后为所述单层式存储格式的所述若干个实体存储区块的故障区块比例大于预设比例时，所述固态硬盘进入唯读状态。3.根据权利要求1所述的延长固态硬盘寿命的方法，其特征在于，各所述实体存储区块的容量于所述多层式存储格式转换为所述单层式存储格式后，所述单层式存储格式的各所述实体存储区块的容量为所述多层式存储格式的各所述实体存储区块的容量的二分之一，当所述若干个实体存储区块皆转换为所述单层式存储格式时，所述闪速存储器的容量等于所述固态硬盘的逻辑存取容量。4.一种延长固态硬盘寿命的方法，所述固态硬盘承载闪速存储器，所述闪速存储器属于三层式存储闪速存储器，其特征在于，所述延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：设定所述固态硬盘的逻辑存储区块的个数为所述闪速存储器的实体存储区块的个数的三分之一；由所述闪速存储器的控制单元读取所述闪速存储器的各所述实体存储区块的第一写入/抹除次数；当所述第一写入/抹除次数超过第一写入/抹除上限值时，将所述实体存储区块由三层式存储格式转换为多层式存储格式；由所述控制单元读取转换为所述多层式存储格式的各所述实体存储区块的第二写入/抹除次数；以及当所述第二写入/抹除次数超过第二写入/抹除上限值时，将转换为所述多层式存储格式的所述实体存储区块由所述多层式存储格式转换为单层式存储格式；其中，所述逻辑存储区块的个数为不变的固定值。5.根据权利要求4所述的延长固态硬盘寿命的方法，其特征在于，当所述若干个实体存储区块...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊昌，廖崟權，
申请(专利权)人：宇瞻科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71