有机硅化合物、其制造方法和固化性组合物技术

本发明专利技术涉及有机硅化合物、其制造方法和固化性组合物。提供作为高频基板材料的树脂改性剂等有效的有机硅化合物。由平均结构式(1)表示的有机硅化合物，X表示具有聚苯醚结构的n价有机基，R

Silicone compounds, their manufacturing methods and solidifying compositions

【技术实现步骤摘要】
有机硅化合物、其制造方法和固化性组合物
本专利技术涉及有机硅化合物、其制造方法和固化性组合物，更详细地说，涉及在分子中具有聚苯醚结构以及水解性基团和聚合性反应基团的有机硅化合物及其制造方法、以及包含该有机硅化合物的固化性组合物。
技术介绍
硅烷偶联剂是在1分子内同时具有对于无机物具有反应性的部分(与Si原子键合的水解性基团)和对于有机物富于反应性、溶解性的部分的化合物，作为无机物与有机物的界面的粘接助剂发挥作用，因此已作为复合树脂改性剂广泛地利用。另外，已知聚苯醚化合物的高耐热性并且介电常数、介电损耗角正切这样的介电特性优异，特别是MHz频带至GHz频带的高频带(高频区域)中的介电特性、即高频特性优异。因此，作为聚苯醚化合物的应用例，近年来，认为作为高频用成型材料的利用适合。作为具体的用途，可列举出在利用高频区域的电信号的电子设备中具备的印刷配线板的基材(覆铜层叠板)，研究了作为用于构成基板材料的一个成分的使用。作为可应对高频区域的印刷配线板的基材(覆铜层叠板)的代表性的组成，可列举出在包含环氧树脂和氰酸酯化合物的组成中混合聚苯醚化合物的组成。但是，近年来，要求高频特性的进一步的提高，研究了使用具有(甲基)丙烯酰基、烯基等聚合性反应基团的聚苯醚化合物作为主剂，使用异氰脲酸三烯丙酯这样的具有多个聚合性反应基团的化合物作为交联剂，进行采用过氧化物等的热固化。在这样的用途中，由于存在高频区域的电信号在配线电路中容易被衰减的倾向，因此认为传输特性良好的电子电路基板是必需的。为了得到传输特性良好的电子电路基板，在使用如聚苯醚化合物那样介电损耗角正切小的绝缘树脂材料的同时使导体(铜箔等的金属配线)的表面平滑、通过低粗糙度化、低厚度化来减小表皮电阻是有效的。但是，对于现有的覆铜层叠板而言，通过在铜箔表面设置凹凸，使锚定效应显现，从而确保了树脂材料与铜箔的密合性，因此为了如上述的高频基板材料那样获得传输特性而使铜箔表面变得平滑，则存在着锚定效应变弱、树脂材料与铜箔的密合性变差的问题。因此，为了密合性提高，也研究了使用一般的硅烷偶联剂，但现状是未能充分地满足其密合性。另外，在专利文献1中，公开了使2官能性苯醚树脂与烷氧基硅烷部分缩合物进行脱醇缩合反应而得到的含有烷氧基甲硅烷基的硅烷改性苯醚树脂。但是，对于专利文献1的化合物而言，在其制法上，反应性最高、有助于密合性提高的烷氧基甲硅烷基被脱醇缩合反应消耗，因此树脂材料与铜箔的密合性不充分。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-330324号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供作为高频基板材料的树脂改性剂等有效的有机硅化合物及其制造方法以及包含该有机硅化合物的固化性组合物。用于解决课题的手段本专利技术人为了解决上述课题，进行了认真研究，结果发现在分子中具有聚苯醚结构以及水解性基团和聚合性反应基团的、规定的有机硅化合物及其制造方法，并且发现包含该有机硅化合物的组合物给予可发挥良好的铜箔密合性和介电常数、介电损耗角正切这样的介电特性的固化物，因此适合作为形成高频基板材料的固化性组合物，完成了本专利技术。即，本专利技术提供：1.由平均结构式(1)表示的有机硅化合物：【化1】(式中，X表示具有聚苯醚结构的n价的有机基团，R1相互独立地表示未取代或取代的碳原子数1～10的烷基、或者未取代或取代的碳原子数6～10的芳基，R2相互独立地表示未取代或取代的碳原子数1～10的烷基、或者未取代或取代的碳原子数6～10的芳基，R7相互独立地表示含有聚合性反应基团的一价烃基，A1相互独立地表示单键、或者含有杂原子的二价的连接基，A2相互独立地表示单键、或者不含杂原子的、未取代或取代的碳原子数1～20的二价烃基，m为1～3的数，p为1～10的数，q为1～10的数，n＝p+q，n为2～20的数。)2.1的有机硅化合物，其由平均结构式(2)表示：【化2】{式中，R1、R2、R7、A1、A2和m表示与上述相同的含义，R3相互独立地表示卤素原子、未取代或取代的碳原子数1～12的烷基、未取代或取代的碳原子数1～12的烷氧基、未取代或取代的碳原子数1～12的烷硫基、或者未取代或取代的碳原子数1～12的卤代烷氧基，R4相互独立地表示氢原子、卤素原子、未取代或取代的碳原子数1～12的烷基、未取代或取代的碳原子数1～12的烷氧基、未取代或取代的碳原子数1～12的烷硫基、或者未取代或取代的碳原子数1～12的卤代烷氧基，b相互独立地为1～100的数，c为比0大且不到2的数，Z表示由下述式(3)表示的连接基。【化3】[(式中，R4表示与上述相同的含义，L表示单键、或者选自下述式(4)～(11)中的连接基。)【化4】(式中，R5相互独立地表示氢原子或碳原子数1～12的烷基，R6相互独立地表示碳原子数1～12的烷基，k表示1～12的整数，j表示1～1000的数。)]}3.1或2的有机硅化合物，其中，上述A1-A2为单键、由式(12)表示的连接基或由式(13)表示的连接基，【化5】(式中，a相互独立地为1～20的数，Y相互独立地为氧原子或硫原子，＊表示与X或亚苯基的结合部位。)4.1～3中任一项的有机硅化合物，其中，上述R7的聚合性反应基团为丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、苯乙烯基、乙烯基或环氧基，5.1～4中任一项的有机硅化合物，其中，上述R7的聚合性反应基团为丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基，6.1～5中任一项的有机硅化合物的制造方法，其特征在于，使由平均结构式(14)【化6】(式中，R3、R4、b和Z表示与上述相同的含义。)表示的、具有羟基的聚苯醚化合物、具有可与上述羟基反应的官能团和聚合性反应基团的化合物、和由式(15)【化7】(式中，R1、R2、A2和m表示与上述相同的含义。)表示的、具有异氰酸酯基和烷氧基甲硅烷基的化合物反应，7.6的有机硅化合物的制造方法，其中，具有可与上述羟基反应的官能团和聚合性反应基团的化合物是由式(16)【化8】OCN-A2-R7(16)(式中，R7和A2表示与上述相同的含义。)表示的、具有异氰酸酯基和聚合性反应基团的化合物，8.固化性组合物，其含有1～5中任一项的有机硅化合物，9.8的固化性组合物固化而成的物品。专利技术的效果本专利技术的有机硅化合物在分子中具有聚苯醚结构以及高反应性的水解性基团和聚合性反应基团，与现有的硅烷偶联剂相比，具有铜箔密合性以及介电常数、介电损耗角正切这样的介电特性优异的特性。包含具有这样的特性的本专利技术的有机硅化合物的组合物能够适合用作固化性组合物，特别是形成高频基板材料的固化性组合物。具体实施方式以下对本专利技术具体地说明。本专利技术涉及的有机硅化合物由平均结构式(1)表示。【化9】其中，X表示含有聚苯醚结构的n价的有机基团，R1相互独立地表示未取代或取代的碳原子数1～10的烷基、或者未取代或取代的碳原子数6～10的芳基，R2相互独立地表示未取代或取代的碳原子数1～10的烷基、或者未取代或取代的碳原子数6～10的芳基，R7相互独立地表示含有聚合性反应基团的一价烃基，A1相互独立地表示单键、或者含有杂原子的二价的连接基，A2相互独立地表示单键、或者不含杂原子的、未取代或取代的碳原子数1～20的二价烃基，m为1～3的数，p为1～10的数，q为1～本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.由平均结构式(1)表示的有机硅化合物：

【技术特征摘要】
2017.10.24 JP 2017-2049461.由平均结构式(1)表示的有机硅化合物：式中，X表示具有聚苯醚结构的n价的有机基团，R1相互独立地表示未取代或取代的碳原子数1～10的烷基、或者未取代或取代的碳原子数6～10的芳基，R2相互独立地表示未取代或取代的碳原子数1～10的烷基、或者未取代或取代的碳原子数6～10的芳基，R7相互独立地表示含有聚合性反应基团的一价烃基，A1相互独立地表示单键、或者含有杂原子的二价的连接基，A2相互独立地表示单键、或者不含杂原子的、未取代或取代的碳原子数1～20的二价烃基，m为1～3的数，p为1～10的数，q为1～10的数，n＝p+q，n为2～20的数。2.根据权利要求1所述的有机硅化合物，其由平均结构式(2)表示：式中，R1、R2、R7、A1、A2和m表示与上述相同的含义，R3相互独立地表示卤素原子、未取代或取代的碳原子数1～12的烷基、未取代或取代的碳原子数1～12的烷氧基、未取代或取代的碳原子数1～12的烷硫基、或者未取代或取代的碳原子数1～12的卤代烷氧基，R4相互独立地表示氢原子、卤素原子、未取代或取代的碳原子数1～12的烷基、未取代或取代的碳原子数1～12的烷氧基、未取代或取代的碳原子数1～12的烷硫基、或者未取代或取代的碳原子数1～12的卤代烷氧基，b相互独立地为1～100的数，c为比0大且不到2的数，Z表示由下述式(3)表示的连接基，式中，R4表示与上述相同的含义，L表示单键或者选自下述式...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田哲郎，广神宗直，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP