光刻设备和支撑结构背景制造技术

技术编号:20986081 阅读:43 留言:0更新日期:2019-04-29 20:00
一种光刻设备可以包括具有第一电导体的固定框架和被配置为支撑物体的支撑结构。支撑结构可移动地耦合到框架并且具有第二电导体。光刻设备还可以包括将第一电导体电耦合到第二电导体的导电流体。

Lithography equipment and support structure background

A lithography device may include a fixed frame having a first electrical conductor and a support structure configured to support an object. The support structure is movably coupled to the frame and has a second electrical conductor. The lithographic device may also include a conductive current body that electrically couples the first conductor to the second conductor.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻设备和支撑结构背景相关申请的交叉引用本申请要求于2016年9月9日提交的美国临时专利申请No.62/385,623的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
本公开涉及光刻设备和支撑例如衬底或图案化装置的物体的支撑结构。
技术介绍
光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。例如,可以使用光刻设备来制造集成电路(IC)。在这种情况下,图案化装置(例如,掩模或掩模版)可以生成要在IC的单个层上形成的电路图案。该图案可以转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一个或几个管芯的部分)上。图案的转移通常经由到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上的成像来进行。通常,单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括所谓的步进器(其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分)以及所谓的扫描仪(其中通过辐射束在给定方向(“扫描”方向)上扫描图案同时平行或反平行于该方向来扫描衬底来照射每个目标部分)。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转移到衬底。光刻设备典型地包括支撑物体的至少一个可移动支撑结构,例如,支撑衬底的衬底台或支撑图案化装置的掩模台。用于功率或信号的电流使用一个或多个导线从固定源(例如,框架)被提供到可移动支撑结构。通常,这些导线(和诸如压缩空气管线等其他部件)被容纳在导管载体(例如,电缆板或脐带式线)中,该导管载体针对导线提供导管以从固定部件传递到可移动支撑结构。通常,导管载体被配置为在可移动支撑结构在光刻设备内移动时弯曲(例如,折叠和展开),并且当导管载体弯曲时,包含在其中的导线也弯曲。光刻设备内的系统故障和污染的一个来源是导管载体和包含在导管载体内的导线。当导管载体和导线由于可移动支撑结构的移动而弯曲时,形成导管载体的材料和导线(例如,形成导管载体的材料或导线的聚合物绝缘层)开始磨损。并且最终,导管载体和导线磨损到系统故障点,以及/或者由于这种磨损而生成污染颗粒。
技术实现思路
因此,在一些实施例中,减少或消除了使用导管载体和导线而在光刻设备内将电流从固定部件传输到可移动支撑结构,从而减少或消除了系统故障和污染的来源。在一些实施例中,一种光刻设备包括具有第一电导体的固定框架和被配置为支撑物体的支撑结构。支撑结构可移动地耦合到框架并且具有第二电导体。光刻设备还包括将第一电导体电耦合到第二电导体的导电流体(例如,包括诸如汞等导电金属的流体、包括水和盐的流体、包括等离子体的流体、或包括电离气体的流体)。在一些实施例中,框架限定容纳导电流体的腔体。支撑件可以被配置为沿着第一方向移动第一距离,并且腔体在第一方向上具有的尺寸可以等于或大于第一距离。支撑件还可以被配置为沿着不同于第一方向的第二方向移动第二距离,并且腔体在第二方向上具有的尺寸可以等于或大于第二距离。腔体可以在垂直方向上与支撑件重叠。光刻设备可以被配置为生成将导电流体保持在腔体内的气流,或者被配置为生成将导电流体保持在腔体内的磁场。在一些实施例中,第二电导体包括浸没在导电流体中的第一部分。在一些实施例中,光刻设备包括电部件,该电部件电耦合到第二电导体并且耦合到支撑结构,使得电部件与支撑结构一起移动。电部件可以包括被配置为发射或接收经由导电流体传输的信号的传感器。电部件可以包括被配置为移动支撑结构的定位器。在一些实施例中,光刻设备包括电耦合到第一电导体的电部件。电部件可以包括被配置为控制光刻设备的过程的数据处理装置。在一些实施例中,导电流体包括汞或镓。在一些实施例中,导电流体包括溶剂和电解质溶质。溶剂可以包括水,并且电解质溶质可以包括盐,例如氯化钠。在一些实施例中,导电流体包括等离子体或电离气体。在一些实施例中,支撑结构包括被配置为支撑衬底的衬底台。在一些实施例中,支撑结构包括被配置为支撑图案化装置的掩模台。下面参考附图详细描述实施例的其他特征和优点以及各种实施例的结构和操作。应当注意,本专利技术不限于本文中描述的具体实施例。这些实施例仅出于说明性目的而在本文中被呈现。基于本文中包含的教导,其他实施例将对于相关领域的技术人员是很清楚的。附图说明并入本文中并且形成说明书一部分的附图示出了本专利技术,并且与说明书一起进一步用于解释本专利技术的原理并且使得相关领域的技术人员能够制造和使用本专利技术。图1A是根据一个实施例的反射式光刻设备的示意图。图1B是根据一个实施例的透射式光刻设备的示意图。图2是根据一个实施例的衬底台和衬底的示意性平面图。图3是根据一个实施例的具有固定框架和可移动支撑结构的光刻设备的示意性侧视图。图4是根据一个实施例的图3的光刻设备的示意性平面图。图5是根据一个实施例的具有固定框架和可移动支撑结构的光刻设备的框图。图6是根据一个实施例的被配置为生成空气吹淋的光刻设备的示意性侧视图。图7是根据一个实施例的被配置为生成磁场的光刻设备的示意性侧视图。通过下面结合附图给出的详细描述,所公开的实施例的特征和优点将变得更加明显,附图中的相同的附图标记始终表示相应的元件。在附图中,相同的附图标记通常表示相同的、功能相似的和/或结构相似的元件。元件首次在其中出现的附图由相应附图标记中的最左边的数字表示。除非另外指出,否则贯穿本公开而提供的附图不应当被解释为按比例绘制。具体实施方式所公开的实施例仅例示本专利技术。本专利技术的范围不限于所公开的实施例。本专利技术由所附权利要求限定。所描述的实施例以及说明书中对“示例”、“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”、“一些实施例”等的引用指示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性,但是每个实施例可能不一定包括该特定的特征、结构或特性。而且,这样的短语不一定是指同一实施例。此外,当结合实施例描述特定特征、结构或特性时,应当理解,结合其他实施例来影响这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的知识的范围内,而无论这些其他实施例是否明确被描述。然而,在更详细地描述这样的实施例之前,呈现可以在其中实现本公开的实施例的示例环境是有益的。示例反射式和透射式光刻系统图1A和图1B分别是其中可以实现本公开的实施例的光刻设备100和光刻设备100'的示意图。光刻设备100和光刻设备100'每个包括以下各项:被配置为调节辐射束B(例如,DUV或EUV辐射)的照射系统(照射器)IL;被配置为支撑图案化装置(例如,掩模、掩模版或动态图案化装置)MA并且连接到第一定位器PM的支撑结构(例如,掩模台)MT,第一定位器PM被配置为准确地定位图案化装置MA;以及被配置为保持衬底(例如,抗蚀剂涂覆的晶片)W并且连接到第二定位器PW的衬底支撑结构(例如,衬底台)WT,第二定位器PW被配置为准确地定位衬底W。光刻设备100和100'还具有被配置为将通过图案化装置MA被赋予辐射束B的图案投射到衬底W的目标部分(例如,包括一个或多个管芯的部分)C上的投射系统PS。在光刻设备100中,图案化装置MA和投射系统PS是反射式的。在光刻设备100'中,图案化装置MA和投射系统PS是透射式的。在一些实施例中,投射系统PS是反射折射式的。照射系统IL可以包括用于引导、成形或控制辐射B的诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学部件等各种类型的光学部件或其任何组合。支撑结构MT以取决于图案化装置M本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种光刻设备,包括:固定框架,具有第一电导体;支撑结构,被配置为支撑物体,可移动地耦合到所述框架,并且具有第二电导体;以及导电流体,被配置为将所述第一电导体电耦合到所述第二电导体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.09 US 62/385,6231.一种光刻设备,包括:固定框架,具有第一电导体;支撑结构,被配置为支撑物体,可移动地耦合到所述框架,并且具有第二电导体;以及导电流体,被配置为将所述第一电导体电耦合到所述第二电导体。2.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述框架限定容纳所述导电流体的腔体。3.根据权利要求2所述的光刻设备,其中:所述支撑结构被配置为沿着第一方向移动第一距离;以及所述腔体在所述第一方向上具有的尺寸等于或大于所述第一距离。4.根据权利要求2所述的光刻设备,其中:所述支撑结构被配置为沿着不同于所述第一方向的第二方向移动第二距离;以及所述腔体在所述第二方向上具有的尺寸等于或大于所述第二距离。5.根据权利要求2所述的光刻设备,其中所述腔体在垂直方向上与所述支撑结构重叠。6.根据权利要求2所述的光刻设备,其中所述光刻设备被配置为生成将所述导电流体保持在所述腔体内的气流。7.根据权利要求2所述的光刻设备,其中所述光刻设备被配置为生成将所述导电流体保持在所述腔体内的磁场。8.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述第二电导体包括浸没在所述导电流体中的第一部分...

【专利技术属性】
技术研发人员:A·贾奇
申请(专利权)人:ASML控股股份有限公司
类型:发明
国别省市:荷兰,NL

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