The invention discloses a MAX phase conductive ceramic material and a preparation method thereof. Unlike traditional MAX (M)
【技术实现步骤摘要】
一种MAX相导电陶瓷材料及其制备方法
本专利技术涉及无机非金属材料，高温导电陶瓷，结构功能陶瓷等应用领域，具体涉及一种高温固相合成新M3A2X相的方法。技术背景MAX相是一系列层状结构的导电陶瓷材料，因为它兼具金属与陶瓷材料的优势，而被人们称为导电陶瓷。MAX通常具有良好的导电性、导热性、低热膨胀系数、高的体积模量和弹性模量，以及好的抗氧化抗腐蚀性等，在很多领域都具有着不错的应用前景，尤其是在高温结构部件和高温导电部件等领域。MAX相的分子式通常可以表示为Mn+1AXn的材料，根据n的不同，可以存在211相、312相、413相等，其晶体结构中，一个X原子与六个M原子成八面体配位，一个A原子与六个M原子组成三棱柱配位，因而其晶体结构可以看做是共边连接的M6X八面体组成的MX层与共边连接的M6A三棱柱组成的MA层交替排列而成，而在层与层之间同样为共边连接。在312与413相中，其MX层可以扩展为两层或三层。而对于MA层可拓展为多层的MAX相目前尚没有报道。而新MAX材料体系的发现具有着很高的学术价值以及应用前景。在本专利技术申请前并没有相关M3A2X相的成功制备的...
【技术保护点】
1.一种MAX相导电陶瓷材料，其特征在于，所述导电陶瓷材料的分子式表达为M3A2X，其中M为VB族过渡族金属V，Nb或Ta，A为VA族主族元素As或P，X为C或N；所述M导电陶瓷材料具有六方晶系结构，晶胞由单层MX八面体层与双层MA三棱柱层交替堆叠而成。
【技术特征摘要】
1.一种MAX相导电陶瓷材料，其特征在于，所述导电陶瓷材料的分子式表达为M3A2X，其中M为VB族过渡族金属V，Nb或Ta，A为VA族主族元素As或P，X为C或N；所述M导电陶瓷材料具有六方晶系结构，晶胞由单层MX八面体层与双层MA三棱柱层交替堆叠而成。2.如权利要求1所述的一种MAX相导电陶瓷材料，其特征在于，所述导电陶瓷材料的分子式表达为Nb3As2C，V3As2C，Nb3P2C或Ta3P2C。3.如权利要求1所述的一种MAX相导电陶瓷材料，其特征在于，所述导电陶瓷材料的分子式表达为Nb3As2C。4.一种MAX相导电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一）将M元素粉、A元素粉和石墨粉，按照3:2:1的比例称量，在惰性气氛下研磨；步骤二）将混合均匀的粉末压片成型，在高温真空炉设备中进行初次煅烧，烧结温度不高于850℃，保温一段时间后自然冷却至室温；步骤三）将经过...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈洪祥，陈小龙，郭丽伟，金士锋，
申请(专利权)人：福建工程学院，
类型：发明
国别省市：福建,35
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