The invention relates to a remote wireless charging receiving device, which comprises an array receiving antenna and a rectifier charging circuit, wherein the array receiving antenna is used to receive electromagnetic wave signals transmitted by the wireless charging transmitting device, and the rectifier charging circuit is connected with the array receiving antenna for converting the electromagnetic wave signals into direct current signals and for converting the direct current signals. The number is converted to electricity for storage. The remote wireless charging can be realized by applying the embodiment of the present invention.
【技术实现步骤摘要】
一种远程无线充电接收装置
本专利技术属于无线充电
,具体涉及一种远程无线充电接收装置。
技术介绍
目前,随着无线能量传输技术的逐步发展,可以依靠多种无线能量传输方式,实现电子设备的无线充电,支持无线充电的电子设备可以包括手机、手表、手环及耳机等。在现有的无线充电技术中,Qi标准和A4WP标准是两种较为成熟的技术。Qi标准利用了电磁感应原理,在发射端利用变化的电场使得发射线圈产生变化的磁场,在接收端再利用变化的磁场在接收线圈中产生电场,从而产生电流为电子设备充电。而Qi标准的主要缺点为无线充电距离短,需要发射端和接收端距离在毫米量级,一般约为10mm以内,属于接触式无线充电,需要电子设备与无线充电发射端贴合才能进行无线充电。A4WP标准利用了磁共振技术,将两个线圈的频率调谐到共振状态,基于电磁耦合的原理,使用谐振技术的发射端将振荡电流注入到高谐振发射线圈中以产生振荡电磁场。具有相同谐振频率的接收线圈从电磁场中接收电力并将其转化为可为设备充电的电流。A4WP标准虽然具有一定空间自由的优点,可以实现在有限的距离范围内为电子设备进行无线充电,但该有效距离的范围一般不超过50mm。可见,上述无线充电方式均属于近距离无线充电,无法满足远程无线充电的需求。
技术实现思路
为了实现远程无线充电,本专利技术提供了一种远程无线充电接收装置。具体地,本专利技术一个实施例提出的一种远程无线充电接收装置,包括:阵列接收天线和整流充电电路;其中,所述阵列接收天线用于接收无线充电发送装置发送的电磁波信号;所述整流充电电路与所述阵列接收天线连接,用于将所述电磁波信号转换为直流信号,并将 ...
【技术保护点】
1.一种远程无线充电接收装置,其特征在于,包括:阵列接收天线和整流充电电路;其中,所述阵列接收天线用于接收无线充电发送装置发送的电磁波信号;所述整流充电电路与所述阵列接收天线连接,用于将所述电磁波信号转换为直流信号,并将所述直流信号转换为电能进行存储。
【技术特征摘要】
1.一种远程无线充电接收装置,其特征在于,包括:阵列接收天线和整流充电电路;其中,所述阵列接收天线用于接收无线充电发送装置发送的电磁波信号;所述整流充电电路与所述阵列接收天线连接,用于将所述电磁波信号转换为直流信号,并将所述直流信号转换为电能进行存储。2.根据权利要求1所述的远程无线充电接收装置,其特征在于,所述阵列接收天线为具有多个单元的微带阵列天线;其中,每一单元包括并联的微带线与电容。3.根据权利要求1所述的远程无线充电接收装置,其特征在于,所述整流充电电路包括依次串联的多个谐振整流单元组和一个充电电池;每一谐振整流单元组包括串联的一个RC谐振电路和一个整流二极管。4.根据权利要求3所述的远程无线充电接收装置,其特征在于,所述整流二极管为硅基改性Ge肖特基二极管。5.根据权利要求4所述的远程无线充电接收装置,其特征在于,所述硅基改性Ge肖特基二极管包括:Si衬底(001)、第一Ge层(002)、张应变Ge层(003)、第二N型Ge1-xSnx层(004)、第三N型Ge1-xSnx层(006)、Al金属层(007)、W金属层(009)、第一电极和第二电极,其中,所述第一Ge层(002)设置在所述Si衬底(001)的表面;所述张应变Ge层(003)设置在所述第一Ge层(002)的表面;所述第二N型Ge1-xSnx层(004)设置在所述张应变Ge层(003)的表面;所述第三N型Ge1-xSnx层(006)内嵌在所述第二N型Ge1-xSnx层(004)中;所述A...
【专利技术属性】
技术研发人员:薛磊,刘奕晨,
申请(专利权)人:西安科锐盛创新科技有限公司,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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