The invention discloses a CTS planar array antenna based on SIW technology, which comprises a feed layer, a mode conversion layer and a radiation layer arranged sequentially from bottom to top. The feed layer is used to access electromagnetic waves and couple the electromagnetic waves connected therein to the mode conversion layer, the mode conversion layer is used to couple the electromagnetic waves input therein to the radiation layer, and the radiation layer is used to radiate the electromagnetic waves input therein to the radiation layer. In free space, the feed layer, mode conversion layer and radiation layer are realized by substrate integrated waveguide respectively. The feed layer adopts input-output co-directional structure. The mode conversion layer includes multiple mode converters, each mode converter has a shape consistent with its internal electromagnetic field distribution. The advantages of the mode converter are high input efficiency, small size, high integration and low profile characteristics.
【技术实现步骤摘要】
一种基于SIW技术的CTS平板阵列天线
本专利技术涉及一种CTS平板阵列天线，尤其是涉及一种基于SIW技术的CTS平板阵列天线。
技术介绍
连续切向结(CTS)平板阵列天线由于具有低驻波、高增益、低成本和对制作精度不敏感等特性受到越来越多的关注。CTS平板阵列天线通过在平行板波导上开设切向缝隙形成，切向缝隙和平行板波导的交界处会产生纵向位移电流，此时平行板波导里面传递的电磁波就能通过切向节耦合并且向外辐射。传统的CTS平板阵列天线基于角锥喇叭辐射单元设计而成，主要包括从下往上依次排列的馈电层、模式转换层和辐射层，馈电层与模式转换层之间以及模式转换层与辐射层之间分别通过矩形波导连接。馈电层包括多个辐射单元，每个辐射单元分别由角锥喇叭构成，模式转换层包括多个1/2矩形波导功分器，馈电层使用体积较大的盒状耦合器实现。盒状耦合器通常包括扇形喇叭、偏置抛物反射面和平板波导，扇形喇叭和偏置抛物反射面设置在平板波导内部，扇形喇叭的相位中心设置在偏置抛物反射面的焦点处，多个1/2矩形波导功分器连接在偏置抛物反射面的一端，每一个1/2矩形波导功分器中心面与对应的辐射单元中心面处于同...
【技术保护点】
1.一种基于SIW技术的CTS平板阵列天线，包括从下往上依次排列的馈电层、模式转换层、辐射层，所述的馈电层用于接入电磁波并将其内接入的电磁波耦合至所述的模式转换层，所述的模式转换层用于将输入其内的电磁波耦合至所述的辐射层，所述的辐射层用于将输入其内的电磁波辐射到自由空间，其特征在于所述的馈电层、所述的模式转换层和所述的辐射层分别采用基片集成波导实现，所述的馈电层采用输入输出同向结构，所述的模式转换层包括多个模式转换器，每个所述的模式转换器的形状与其内部的电磁场分布形状相吻合。
【技术特征摘要】
1.一种基于SIW技术的CTS平板阵列天线，包括从下往上依次排列的馈电层、模式转换层、辐射层，所述的馈电层用于接入电磁波并将其内接入的电磁波耦合至所述的模式转换层，所述的模式转换层用于将输入其内的电磁波耦合至所述的辐射层，所述的辐射层用于将输入其内的电磁波辐射到自由空间，其特征在于所述的馈电层、所述的模式转换层和所述的辐射层分别采用基片集成波导实现，所述的馈电层采用输入输出同向结构，所述的模式转换层包括多个模式转换器，每个所述的模式转换器的形状与其内部的电磁场分布形状相吻合。2.根据权利要求1所述的一种基于SIW技术的CTS平板阵列天线，其特征在于所述的馈电层包括第一基板和馈电单元阵列，所述的第一基板为矩形，所述的第一基板包括第一介质平板、第一金属层和第二金属层，所述的第一金属层附着在所述的第一介质平板的上表面且将所述的第一介质平板的上表面完全覆盖住，所述的第二金属层附着在所述的第一介质平板的下表面且将所述的第一介质平板的下表面完全覆盖住，所述的第二金属层上开设有圆环形的馈电端口，所述的馈电端口用于接入电磁波，所述的馈电单元阵列由22n个馈电单元按照2n行2n列的方式分布形成，n为大于等于0的整数；每个所述的馈电单元分别包括4个H型波导功分器、第一波导功分结、第二波导功分结、第三波导功分结和I型波导，4个所述的H型波导功分器、所述的第一波导功分结、所述的第二波导功分结、所述的第三波导功分结和所述的I型波导分别采用基片集成波导实现，4个所述的H型波导功分器按照2行x2列的方式分布，位于第1行第1列的H型波导功分器与位于第2行第1列的H型波导功分器通过所述的第一波导功分结连接，位于第1行第2列的H型波导功分器与位于第2行第2列的H型波导功分器通过所述的第二波导功分结连接，位于第1行第1列的H型波导功分器与位于第1行第2列的H型波导功分器通过所述的第三波导功分结连接，位于第2行第1列的H型波导功分器与位于第2行第2列的H型波导功分器通过所述的I型波导连接。3.根据权利要求2所述的一种基于SIW技术的CTS平板阵列天线，其特征在于每个所述的H型波导功分器分别包括四个结构尺寸相同的输出端口和孔径相同且分别沿竖直方向上下贯穿所述的第一基板的多个金属通孔，将这些金属通孔分为十七组，分别称为第一组金属通孔、第二组金属通孔、第三组金属通孔、第四组金属通孔、第五组金属通孔、第六组金属通孔、第七组金属通孔、第八组金属通孔、第九组金属通孔、第十组金属通孔、第十一组金属通孔、第十二组金属通孔、第十三组金属通孔、第十四组金属通孔、第十五组金属通孔、第十六组金属通孔和第十七组金属通孔；将所述的第一基板的左右方向定义为横向，将将述的第一基板的前后方向定义为纵向；所述的第一组金属通孔由纵向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第二组金属通孔位于所述的第一组金属通孔的右侧，所述的第二组金属通孔由纵向间隔排布的两个金属通孔组成，且该两个金属通孔的中心间距为1.83倍介质波长，所述的第三组金属通孔位于所述的第二组金属通孔的右侧，所述的第三组金属通孔由纵向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第四组金属通孔位于所述的第三组金属通孔的后侧，所述的第四组金属通孔由纵向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第四组金属通孔中的所有金属通孔的中心连线所在直线与所述的第三组金属通孔中的所有金属通孔的中心连线所在直线重合，所述的第五组金属通孔位于所述的第三组金属通孔中的所有金属通孔的中心连线所在直线的右侧，所述的第五组金属通孔由纵向间隔排布的两个金属通孔组成，且该两个金属通孔的中心间距为0.125倍介质波长，所述的第六组金属通孔位于所述的第五组金属通孔中的所有金属通孔的中心连线所在直线的右侧，所述的第六组金属通孔由纵向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第七组金属通孔位于所述的第六组金属通孔的后侧，所述的第七组金属通孔由纵向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第七组金属通孔中的所有金属通孔的中心连线所在直线与所述的第六组金属通孔中的所有金属通孔的中心连线所在直线重合，所述的第八组金属通孔位于所述的第七组金属通孔的右侧，所述的第八组金属通孔由纵向间隔排布的两个金属通孔组成，且该两个金属通孔的中心间距为1.83倍介质波长，所述的第九组金属通孔位于所述的第八组金属通孔的右侧，所述的第八组金属通孔由纵向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长；所述的第十组金属通孔位于所述的第一组金属通孔的前侧，所述的第十组金属通孔由横向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第十一组金属通孔位于所述的第十组金属通孔的右侧，所述的第十一组金属通孔由横向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第十一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线所在直线与所述的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线所在直线重合，所述的第十二组金属通孔位于所述的第十一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线所在直线的后侧，所述的第十二组金属通孔由横向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第十三组金属通孔位于所述的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线所在直线的后侧，所述的第十三组金属通孔由横向间隔排布的两个金属通孔组成，且该两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第十四组金属通孔位于所述的第十一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线所在直线的后侧，所述的第十四组金属通孔由横向间隔排布的两个金属通孔组成，且该两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第十四组金属通孔中的两个金属通孔的中心连线所在直线与所述的第十三组金属通孔中的两个金属通孔的中心连线所在直线重合，所述的第十五组金属通孔位于所述的第十二组金属通孔的后侧，所述的第十五组金属通孔由横向间隔排布的两个金属通孔组成，且该两个金属通孔的中心间距为0.62倍介质波长，所述的第十六组金属通孔位于所述的第十三组金属通孔的后侧，所述的第十六组金属通孔由横向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第十七组金属通孔位于所述的第十六组金属通孔的右侧，所述的第十七组金属通孔由横向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第十七组金属通孔中所有金属通孔的中心连线所在直线与所述的第十六组金属通孔中所有金属通孔的中心连线所在直线重合；所述的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第二组金属通孔中所有金属通孔的中心连线之间的横向间距为0.52倍介质波长，所述的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第三组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距为0.7倍介质波长，所述的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第四组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距为0.7倍介质波长，所述的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第五组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距为1.1倍介质波长，所述的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第六组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距为1.4倍介质波长，所述的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第七组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距为1.4倍介质波长，所述的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第八组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距为1.96倍介质波长，所述的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第九组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距为2.1倍介质波长，所述的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第十二组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为0.75倍介质波长，所述的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第十三组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为1.1倍介质波长，所述的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第十四组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为1.1倍介质波长，所述的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第十五组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为1.5倍介质波长，所述的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第十六组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为2.25倍介质波长，所述的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第十七组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为2.25倍介质波长，所述的第一组金属通孔中位于最前端的金属通孔的中心与所述的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为0.3倍介质波长，所述的第十组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心位于所述的第一组金属通孔中位于最前端的金属通孔中心的右前方，所述的第十组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心与所述的第一组金属通孔中位于最前端的金属通孔的中心间距在0.1倍介质波长到0.2倍介质波长之间，所述的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线位于所述的第十三组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心的左侧，所述的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第十三组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心的横向间距为0.3倍介质波长，所述的第一组金属通孔中位于最后端的金属通孔的中心与所述的第十六组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为0.3倍介质波长，所述的第十六组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心位于所述的第一组金属通孔中位于最后端的金属通孔中心的右后方，所述的第十六组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心与所述的第一组金属通孔中位于最后端的金属通孔的中心间距在0.1倍介质波长到0.2倍介质波长之间，所述的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线位于所述的第二组金属通孔中位于最前端的金属通孔的中心的上侧，所述的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第二组金属通孔中位于最前端的金属通孔的中心的纵向间距为0.4倍介质波长，所述的第十一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线位于所述的第八组金属通孔中位于最前端金属通孔的中心的上侧，所述的第十一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第八组金属通孔中位于最前端金属通孔的中心的纵向间距为0.4倍介质波长，所述的第三组金属通孔中位于最前端的金属通孔的中心与所述的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为0.3倍介质波长，所述的第十组金属通孔中位于最右端的金属通孔的中心位于所述的第三组金属通孔中位于最前端的金属通孔的中心的左前方，所述的第十组金属通孔中位于最右端的金属通孔的中心与所述的第三组金属通孔中位于最前端的金属通孔的中心的间距在0.1倍介质波长到0.2倍介质波长之间，所述的第三组金属通孔中位于最后端的金属通孔的中心与所述的第十二组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心的横向间距为0.2倍介质波长，所述的第三组金属通孔中位于最后端的金属通孔的中心位于所述的第十二组金属通孔中位于最左端的金属通孔中心的左前方，所述的第三组金属通孔中位于最后端的金属通孔的中心与所述的第十二组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心的间距在0.1倍介质波长到0.2倍介质波长之间，所述的第四组金属通孔中位于最后端的金属通孔的中心与所述的第十六组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为0.3倍介质波长，所述的第十六组金属通孔中位于最右端的金属通孔的中心位于所述的第四组金属通孔中位于最后端的金属通孔的中心的左后方，所述的第十六组金属通孔中位于最右端的金属通孔的中心与所述的第四组金属通孔的中位于最后端的金属通孔的中心的间距在0.1倍介质波长到0.2倍介质波长之间，所述的第五组金属通孔中位于最前端的金属通孔的中心位于所述的第十二组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的后方，所述的第五组金属通孔中位于最前端的金属通孔的中心与所述的第十二组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为0.4倍介质波长，所述的第十五组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心位于所述的第四组金属通孔中位于最前端的金属通孔的右前方，所述的第十五组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心与所述的第四组金属通孔中位于最前端的金属通孔的中心间距在0.1倍介质波长到0.2倍介质波长之间，所述的第一组金属通孔与所述的第九组金属通孔以垂直于所述的第一介质平板且经过所述的第五组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的平面呈镜像对称，所述的第三组金属通孔与所述的第六组金属通孔以垂直于所述的第一介质平板且经过所述的第五组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的平面呈镜像对称，所述的第四组金属通孔与所述的第七组金属通孔以垂直于第一介质平板且经过所述的第五组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的平面呈镜像对称，所述的第十组金属通孔与所述的第十一组金属通孔以垂直于所述的第一介质平板且经过所述的第五组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的平面呈镜像对称，所述的第十三组金属通孔与所述的第十四组金属通孔以垂直于所述的第一介质平板且经过所述的第五组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的平面呈镜像对称，所述的第十六组金属通孔与所述的第十七组金属通孔以垂直于所述的第一介质平板且经过所述的第五组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的平面呈镜像对称；四个所述的输出端口分别通过在所述的第一金属层上开设沿左右方向的长度为0.2倍介质波长，沿前后方向的长度为0.66倍介质波长的的矩形口实现，所述的第一介质平板的上表面分别暴露在四个所述的输出端口处，四个所述的输出端口的左侧边分别平行于所述的第一介质平板的左侧边，四个所述的输出端口沿左右方向的长度均为五分之一介质波长，沿前后方向的长度均为五分之四介质波长，将四个所述的输出端口分别称为第一输出端口、第二输出端口、第三输出端口和第四输出端口，所述的第一输出端口分别位于所述的第一组金属通孔的右侧和所述的第十组金属通孔的后侧，所述的第一输出端口的左侧边与所述的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距在0.05倍到0.1倍介质波长之间；所述的第一输出端口的前侧边与所述的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距在0.1倍到0.15倍介质波长之间，所述的第二输出端口分别位于所述的第六组金属通孔的右侧和所述的第十一组金属通孔的后侧，所述的第二输出端口的左侧边与所述的第六组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距在0.05倍到0.1倍介质波长之间，所述的第二输出端口的前侧边与所述的第十一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距在0.1倍到0.15倍介质波长之间，所述的第三输出端口分别位于所述的第一组金属通孔的右侧和所述的第十六组金属通孔的前侧，所述的第三输出端口的左侧边与所述的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距在0.05倍到0.1倍介质波长之间；所述的第三输出端口的后侧边与所述的第十六组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距在0.1倍到0.15倍介质波长之间，所述的第四输出端口分别位于所述的第七组金属通孔的右侧和所述的第十七组金属通孔的前侧，所述的第四输出端口的左侧边与所述的第七组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距在0.05倍到0.1倍介质波长之间；所述的第四输出端口的后侧边与所述的第十七组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距在0.1倍到0.15倍介质波长之间；所述的第一波导功分结包括孔径相同且分别沿竖直方向上下贯穿所述的第一基板的多个金属通孔，将这些金属通孔分为三组，分别称为第十八组金属通孔、第十九组金属通孔和第二十组金属通孔，所述的第十八组金属通孔由纵向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的十九组金属通孔由纵向均匀间隔排布的两个金属通孔组成，且该两个金属通孔的中心间距为1.4倍介质波长，所述的第二十组金属通孔由横向间隔排布的两个金属通孔组成，且该两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第十八组金属通孔位于所述的十九组金属通孔的左侧，所述的第十八组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的十九组金属通孔中两个金属通孔的中心连线的横向间距为0.76倍介质波长，所述的第二十组金属通孔中位于最左端的金属通孔位于所述的第十八组金属通孔的右侧，所述的第二十组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心与所述的第十八组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距为0.3倍介质波长，所述的第二十组金属通孔中两个金属通孔的中心连线所在直线经过所述的第十八组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的中点，所述的第二十组金属通孔中两个金属通孔的中心连线所在直线经过所述的十九组金属通孔中两个金属通孔的中心连线的中点；所述的第二波导功分结位于所述的第一波导功分结的右侧，所述的第二波导功分结和所述的第一波导功分结为左右对称结构，所述的第三波导功分结包括孔径相同且分别沿竖直方向上下贯穿所述的第一基板的多个金属通孔，将这些金属通孔分为三组，分别称为第二十一组金属通孔、第二十二组金属通孔和第二十三组金属通孔，所述的第二十一组金属通孔由横向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的二十二组金属通孔由横向间隔排布的两个金属通孔组成，且该两个金属通孔的中心间距为1.4倍介质波长，所述的第二十三组金属通孔由纵向间隔排布的两个金属通孔组成，且该两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第二十一组金属通孔位于所述的二十二组金属通孔的前侧，所述的第二十一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的二十二组金属通孔中两个金属通孔的中心连线的纵向间距为0.76倍介质波长，所述的第二十三组金属通孔位于所述的第二十一组金属通孔的后侧，所述的第二十三组金属通孔中位于最前端的金属通孔的中心与所述的第二十一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为0.3倍介质波长，所述的第二十三组金属通孔中两个金属通孔的中心连线所在直线经过所述的第二十一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的中点，所述的第二十三组金属通孔中两个金属通孔的中心连线所在直线经过所述的二十二组金属通孔中两个金属通孔的中心连线的中点；所述的I型波导包括孔径相同且分别沿竖直方向上下贯穿所述的第一基板的多个金属通孔，将这些金属通孔分为三组，分别称为第二十四组金属通孔、第二十五组金属通孔和第二十六组金属通孔，所述的第二十四组金属通孔由纵向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，每相邻两个金属通孔的中心间距均为0.1倍介质波长，所述的二十五组金属通孔由纵向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，且相邻两个金属通孔的中心间距为0.1倍介质波长，所述的第二十六组金属通孔由横向均匀间隔排布的至少两个金属通孔组成，且相邻两个金属通孔的中心间距均为0.1倍介质波长，所述的二十五组金属通孔位于所述的第二十四组金属通孔的右侧，所述的二十五组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第二十四组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距为1.6倍介质波长，所述的第二十六组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心位于所述的第二十四组金属通孔中位于最下端的金属通孔的中心的右后方，所述的第二十六组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心与所述的第二十四组金属通孔中位于最后端的金属通孔的中心间距在0.1倍介质波长到0.2倍介质波长之间，所述的第二十六组金属通孔中位于最右端的金属通孔的中心位于所述的二十五组金属通孔中位于最后端的金属通孔的中心的左后方，所述的第二十六组金属通孔中位于最右端的金属通孔的中心与所述的二十五组金属通孔中位于最后端的金属通孔的中心的间距在0.1倍介质波长到0.2倍介质波长之间；将位于第1行第1列的H型波导功分器称为第一H型波导功分器，将位于第1行第2列的H型波导功分器称为第二H型波导功分器，将位于第2行第1列的H型波导功分器称为第三H型波导功分器，将位于第2行第2列的H型波导功分器称为第四H型波导功分器，所述的第一H型波导功分器的第九组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第二H型波导功分器的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距为0.9倍介质波长，所述的第一H型波导功分器的第十六组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第三H型波导功分器的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为0.86倍介质波长，所述的第三H型波导功分器的第九组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第四H型波导功分器的第一组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的横向间距为0.9倍介质波长，所述的第二H型波导功分器的第十六组金属通孔中所有金属通孔的中心连线与所述的第四H型波导功分器的第十组金属通孔中所有金属通孔的中心连线的纵向间距为0.86倍介质波长，所述的第一波导功分结的第十八组金属通孔位于所述的第一H型波导功分器的第四组金属通孔的后侧，所述的第一波导功分结的第十八组金属通孔的中心连线所在直线与所述的第一H型波导功分器的第四组金属通孔的中心连线所在直线重合，所述的第一波导功分结的第十八组金属通孔中位于最前端的金属通孔中心与所述的第一H型波导功分器的第四组金属通孔中位于最后端金属通孔的中心的间距为0.2倍介质波长，所述的第三波导功分结的第二十一组金属通孔位于所述的第一H型波导功分器的第十七组金属通孔的右侧，所述的第三波导功分结的第二十一组金属通孔的中心连线所在直线与所述的第一H型波导功分器的第十七组金属通孔的中心连线所在直线重合，所述的第三波导功分结的第二十一组金属通孔中位于最左端的金属通孔的中心与所述的第一H型波导功分器中第十七组金属通孔中位于最右端的金属通孔的中心的间距为0.2倍介质波长，所述的第二波导功分结与所述的第一波导功分结以垂直于所述的第一介质平板且经过所述的第三波导功分结的第二十三组金属通孔的中心连线的平面呈镜像对称，所述的I型波导的第二十四组金属通孔位于所述的第三H型波导功分器的第九组金属通孔的后侧，所述的I型波导的第二十五组金属通孔位于所述的第四H型波导功分器的第一组金属通孔的后侧，所述的I型波导的第二十四组金属通孔的中心连线所在直线与所述的第三H型波导功分器的第九组金属通孔的中心连线所在直线重合，所述的I型波导的第二十四组金属通孔中位于最前端金属通孔的中心与所述的第三H型波导功分器的第九组金属通孔中位于的最后端金属通孔的中心的间距为0.2倍介质波长，所述的I型波导的第二十五组金属通孔中位于最前端金属通孔的中心与所述的第四H型波导功分器的第一组金属通孔中位于的最后端金属通孔的中心的间距为0.2倍介质波长；所述的馈电单元阵列中每个H型波导功分器的四个输出端口均为所述的馈电层的输出端口，所述的馈电层具有2n+2×2n+2个输出端口，且该2n+2×2n+2个输出端口也按照2n+2行2n+2列的方式分布；所述的馈电层的2n+2×2n+2个输出端口分别与所述的模数转换层连接。4.根据权利要求3所述的基于SIW技术的CTS平板阵列天线，其特征在于所述的模式转换层包括第二基板和模式转换阵列，所述的第二基板为矩形，所述的第二基板包括第二介质平板、第三金属层和第四金属层，所述的第三金属层附着在所述的第二介质平板的上表面且将所述的第二介质平板的上表面完全覆盖住，所述的第四金属层附着在所述的第二介质平板的下表面且将所述的第二介质平板的下表面完全覆盖住，将所述的第二基板的左右方向定义为横向，将将述的第二基板的前后方向定义为纵向；所述的模式转换阵列由2nx2n个结构相同的模式转换器按照2n行2n列的方式均匀分布形成，每个所述的模式转换器分别由4个模式转换单元按照4行1列的方式均匀分布形成，每个所述的模式转换单元分别具有四个输入端口、一个输出端口、从左向右排列左列金属通孔、第一模式转换组件、第二模式转换组件、第三模式转换组件、第四模式转换组件和右列金属通孔；所述的左列金属通孔由纵向均匀间隔排布且沿竖直方向上下贯穿所述的第二基板的至少两个金属通孔组成，且每相邻两个金属通孔的中心间距为0.07倍介质波长；所述的第一模式转换组件包括沿竖直方向上下贯穿所述的第二基板的第一行金属通孔、第二行金属通孔、第三行金属通孔、第四行金属通孔、第五行金属通孔、第六行金属通孔、第七行金属通孔、第八行金属通孔、第九行金属通孔、第十行金...
【专利技术属性】
技术研发人员：尤阳，黄季甫，方陈剑，张乘峰，周国良，尤清春，陆云龙，钟硕敏，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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