A method for preparing flexible vanadium oxide composite films by low temperature buffer layer technology is described. The preparation method of a vanadium oxide composite film includes: step 1, forming a high temperature resistant flexible material film on the substrate to form a substrate; step 2, forming a vanadium oxide buffer layer on the flexible material film on the substrate; step 3, annealing the substrate forming the vanadium oxide buffer layer; step 4, forming oxygen again on the vanadium oxide buffer layer. Vanadium oxide film. The preparation process is simple and easy to control. The composite flexible films obtained by this method have uniform surface, compact structure, good film quality, good crystallization, close bonding with polyimide and are not easy to fall off, which lays a foundation for the preparation of flexible vanadium oxide devices, such as vanadium oxide terahertz detector.
【技术实现步骤摘要】
一种低温缓冲层技术制备柔性氧化钒复合薄膜的方法
本专利技术涉及一种微电子半导体技术薄膜的制备方法，特别是一种使用了低温缓冲层技术的制备柔性氧化钒太赫兹探测器热敏薄膜材料的制备方法。
技术介绍
太赫兹波是指频率在0.1～10THz(1THz＝1012Hz)范围内的电磁波，对应波长范围为3mm～30μm，位于毫米波与红外波之间。太赫兹波探测技术在爆炸物及生化探测、军用通信、战略导弹、航空航天飞行器等无损探测、隐藏武器检查、战地医疗等军用技术方面，以及在机场或重要场合的安全检查、医学人体成像、环境监测、植物结构研究、地质勘查、考古及文物鉴定等民用技术方面都具有重大的科学价值。在太赫兹波的开发和利用当中，太赫兹信号的检测至关重要。由于太赫兹辐射光子能量只有毫电子伏特(0.414～41.4meV)，与分子的低频振动和转动能量相当，所以，环境或器件的微小噪音往往就会掩盖住太赫兹微弱的检测信号。为此，传统的太赫兹探测器需要深低温工作环境(液氦温度以下)、高度灵敏的超导检测材料(如NbN类材料、钇钡铜氧(YBaCuO)以及它们的衍生物等)等特殊条件，以提高探测器的信噪比。然而，这...
【技术保护点】
1.一种氧化钒复合薄膜的制备方法，包括，步骤一，在衬底上形成耐高温柔性材料薄膜，以形成基片；步骤二，在所述基片上的所述柔性材料薄膜上形成氧化钒缓冲层；步骤三，对形成有所述氧化钒缓冲层的基片进行退火；步骤四，在所述氧化钒缓冲层上再次形成氧化钒薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种氧化钒复合薄膜的制备方法，包括，步骤一，在衬底上形成耐高温柔性材料薄膜，以形成基片；步骤二，在所述基片上的所述柔性材料薄膜上形成氧化钒缓冲层；步骤三，对形成有所述氧化钒缓冲层的基片进行退火；步骤四，在所述氧化钒缓冲层上再次形成氧化钒薄膜。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤一之前，还包括衬底准备步骤；其中，所述衬底为硅衬底。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬底准备步骤进一步包括，在所述硅衬底上形成氮化硅层，以形成具有氮化硅层的硅衬底；步骤一中所述柔性材料薄膜形成于所述氮化硅层上。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤四之后，还包括剥离步骤；其中，所述剥离步骤包括，将形成有氧化钒缓冲层和氧化钒薄膜的所述柔性材料薄膜与所述衬底剥离，获得在所述柔性材料薄膜上形成有氧化钒缓冲层及氧化钒薄膜的复合薄膜。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述耐高温柔性材料的热分解温度高于步骤三中退火的温度。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述耐高温柔性材料为耐高温树脂材料。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述耐高温树脂材料为聚酰亚胺。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述聚酰亚胺的热分解温度大于400℃。9.如权利要求1-8中任一项所述的方法，其特征在于，步骤二中，通过磁控溅射方法在所述柔性材料薄膜上形成所述氧化钒缓冲层。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述氧化钒缓冲层的磁控溅射的条件为：基片温度为80-150℃，真空度为2.5～4.0×10-4Pa，靶材与基片距离为60-110mm，氩气流量为15-30sccm，氧气流量为0.3-2.0sccm，氩氧比为7.5:1-39:1，溅射工作气压为0.2-0.45Pa，溅射功率为150-300W，沉积时间为0.5-4min。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述靶材为金属钒靶。12.如权利要求1-11中任一项所述的方法，其特征在于，所述退火的温度为420-550℃。13.如权利要求1-12中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤四中，通过磁控溅射方法在所述氧化钒缓冲层上再次形成氧化钒薄膜。14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，再次形...
【专利技术属性】
技术研发人员：鲁远甫，李锐，李光元，杨春雷，魏广路，佘荣斌，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44
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