一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路制造技术

本发明专利技术公开了一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路，其利用TFET相比于MOSFET具有更小的亚阈值摆幅和更高的开关比等特性，不仅解决了传统MOSFET SRAM单元结构的静态功耗大的问题，在相同的工作电压下如0.3V到0.6V时，其静态功耗与其他的TFET SRAM单元结构相比，其静态功耗至少降低了4个数量级，而且提高了TFET SRAM单元的写裕度和稳定性；即消除了TFET做SRAM传输管时出现的正偏漏电流问题，降低了单元的静态功耗，提高了单元的稳定性和写能力。

A 12T TFET SRAM Cell Circuit with Ultra-Low Power Consumption and High Writing Margin

The invention discloses a 12T TFET SRAM unit circuit with ultra-low power consumption and high write margin, which utilizes the characteristics of smaller sub-threshold swing and higher switching ratio of TFET compared with MOSFET, and not only solves the problem of high static power consumption of traditional MOSFET SRAM unit structure, but also solves the static power consumption of traditional MOSFET SRAM unit structure when the same working voltage is between 0.3V and 0.6V. Compared with the structure, the static power consumption is reduced by at least four orders of magnitude, and the writing margin and stability of the TFET SRAM unit are improved. That is to say, the problem of positive leakage current when TFET is used as SRAM transmission tube is eliminated, the static power consumption of the unit is reduced, and the stability and writing ability of the unit are improved.

【技术实现步骤摘要】
一种具有超低功耗和高写裕度的12TTFETSRAM单元电路
本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种超低功耗、高写裕度的12TTFETSRAM单元电路。
技术介绍
随着移动电子产品的发展，人们对集成电路低功耗的需求变得越来越迫切。近年来，MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体)已成为数字集成电路和模拟集成电路的重要组成部分。然而，随着集成电路技术节点的发展，MOSFET在超低功耗电路中的一些缺点使其难以获得满意的结果。因为随着MOSFET尺寸的减小，由于MOSFET的短沟道效应导致其在亚阈值电压下的关闭能力减弱，使得电路的静态漏电流和静态功耗增加。此外，MOSFET在室温下的亚阈值摆幅理论上难以小于60mv/decade。在微处理器中，静态随机存取存储器(SRAM)占用芯片面积的50％以上，并消耗了处理器的大部分静态功耗。虽然目前已经广泛提出了许多用于在亚阈值电压下降低SRAM的静态功耗的方法。然而，由于MOSFET的上述缺点，在亚阈值工作电压下进一步降低SRAM静态功耗仍然是十分有限的。相比于MOSFET，TFET(TunnelingField-EffectTransist本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路，其特征在于，包括：八个NTFET晶体管和四个PTFET晶体管；八个NTFET晶体管依次记为N1～N8，四个PTFET晶体管依次记为P1～P4；其中：VDD和NTFET晶体管N1的漏极电连接，同时VDD也与PTFET晶体管P1及PTFET晶体管P2的源极电连接；PTFET晶体管P1的漏极，与NTFET晶体管N3的漏极、PTFET晶体管P2的栅极、NTFET晶体管N4及NTFET晶体管N8的栅极电连接；PTFET晶体管P2的漏极，与PTFET晶体管P3及PTFET晶体管P4的漏极、以及NTFET晶体管N4及NTFET晶体管N5的漏...

【技术特征摘要】
1.一种具有超低功耗和高写裕度的12TTFETSRAM单元电路，其特征在于，包括：八个NTFET晶体管和四个PTFET晶体管；八个NTFET晶体管依次记为N1～N8，四个PTFET晶体管依次记为P1～P4；其中：VDD和NTFET晶体管N1的漏极电连接，同时VDD也与PTFET晶体管P1及PTFET晶体管P2的源极电连接；PTFET晶体管P1的漏极，与NTFET晶体管N3的漏极、PTFET晶体管P2的栅极、NTFET晶体管N4及NTFET晶体管N8的栅极电连接；PTFET晶体管P2的漏极，与PTFET晶体管P3及PTFET晶体管P4的漏极、以及NTFET晶体管N4及NTFET晶体管N5的漏极电连接；PTFET晶体管P3的源极，与PTFET晶体管P4的源极、PTFET晶体管P1的栅极、NTFET晶体管N2的源极、以...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢文娟，董兰志，彭春雨，吴秀龙，蔺智挺，陈军宁，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34