The invention provides a storage medium, an electronic terminal and a memory available delay parameter interval optimization device and method, which relates to the field of data storage. Firstly, the interval of available delay parameters to be confirmed is determined from the range of delay parameters to be adjusted according to the initial scan point, which is the configured delay parameters when the DDR controller first reads and writes successfully. Then, the binary iteration is performed according to the interval of available delay parameters to be confirmed until the first limit value point and the second pole are determined in the interval of available delay parameters to be confirmed. The first limit value point is the initial value when the last read-write scan is successful in the dichotomy iteration operation, and the second limit value point is the end value when the last read-write scan is successful in the dichotomy iteration operation. Finally, the interval constructed by the first limit value point and the second limit value point is used as the available delay parameter interval of the memory, which is time-consuming and efficient. Very high, and the memory generated has high reliability in available delay parameter intervals.
【技术实现步骤摘要】
电子终端及存储器可用延时参数区间寻优方法与装置
本专利技术涉及数据存储领域，具体而言，涉及一种存储介质、电子终端及存储器可用延时参数区间寻优装置与方法。
技术介绍
双倍动态随机存取存储器(DoubleDataRat，DDR)，为常见的系统内存。对于DDR内存数据的读写，需要利用DDR控制器实现，DDR控制器通过脉冲信号进行内存数据的读写，具体地，当脉冲信号为高电平时，对内存数据进行读写，然而不同的DDR控制器的型号和所处的温度环境，使得该电平信号是一个缓慢上升到峰值，并维持峰值一段时间后再缓慢下降到低电平的信号。通常地，DDR控制器会在脉冲信号进行缓慢上升的过程中，即对DDR数据进行采集，可能不能准确稳定的采集到内存数据，因此，为了使得DDR控制器恰好在脉冲信号的高电平时，对DDR的内存数据的成功扫描，因此，需要配置合适的延时参数至DDR控制器，以确保电子设备的程序可以正常运行。传统技术中，需要在从针对某一DDR型号预设定的延时参数范围中，遍历所有延时参数的方式，从而找出可用延时区间，在可用延时区间内选择一个延时参数进行DDR数据扫描，并且确认可用延时区间时，必须...
【技术保护点】
1.一种存储器可用延时参数区间寻优方法，其特征在于，所述存储器可用延时参数区间寻优方法包括：根据起始扫描点从待调节延时参数范围中确定待确认可用延时参数区间，所述起始扫描点为DDR控制器初次读写扫描成功时的被配置的延时参数；根据所述待确认可用延时参数区间进行二分法迭代运算，直到在所述待确认可用延时参数区间中确定第一极限数值点和第二极限数值点，其中，所述第一极限数值点为所述二分法迭代运算中最后一次读写扫描成功时的起始数值、所述第二极限数值点为所述二分法迭代运算中最后一个读写扫描成功时的结束数值；将所述第一极限数值点与所述第二极限数值点构造的区间作为存储器可用延时参数区间。
【技术特征摘要】
1.一种存储器可用延时参数区间寻优方法，其特征在于，所述存储器可用延时参数区间寻优方法包括：根据起始扫描点从待调节延时参数范围中确定待确认可用延时参数区间，所述起始扫描点为DDR控制器初次读写扫描成功时的被配置的延时参数；根据所述待确认可用延时参数区间进行二分法迭代运算，直到在所述待确认可用延时参数区间中确定第一极限数值点和第二极限数值点，其中，所述第一极限数值点为所述二分法迭代运算中最后一次读写扫描成功时的起始数值、所述第二极限数值点为所述二分法迭代运算中最后一个读写扫描成功时的结束数值；将所述第一极限数值点与所述第二极限数值点构造的区间作为存储器可用延时参数区间。2.根据权利要求1所述的存储器可用延时参数区间寻优方法，其特征在于，所述根据所述待确认可用延时参数区间进行二分法迭代运算，直到在所述待确认可用延时参数区间中确定第一极限数值点和第二极限数值点，包括：根据起始扫描点从待调节延时参数范围中确定待确认可用延时参数区间，所述起始扫描点为DDR控制器初次读写扫描成功时的被配置的延时参数；分别将第一待确认延时点和第二待确认延时点配置至所述DDR控制器对预设定的自检数据进行读写扫描；其中，第一待确认延时点为待确认可用延时参数区间的起始数值和第二待确认延时点为待确认可用延时参数区间的结束数值；根据所述读写扫描的结果，确认第一划分方向和第二划分方向；其中，所述确认第一划分方向包括：当所述第一待确认延时点对应的读写扫描成功时，获得一个更新后的第一待确认延时点；所述更新后的第一待确认延时点为更新前的第一待确认延时点远离所述起始数值的方向上的点；当所述第一待确认延时点对应的读写扫描失败时，所述第一划分方向包括：获得一个更新后的第一待确认延时点；所述更新后的第一待确认延时点为更新前的第一待确认延时点靠近所述起始数值的方向上的点；所述确认第二划分方向包括：当所述第二待确认延时点对应的读写扫描成功时，获得一个更新后的第二待确认延时点；所述更新后的第二待确认延时点为更新前的第二待确认延时点靠近所述结束数值的方向上的点；当所述第一待确认延时点对应的读写扫描失败时，所述第一划分方向包括：获得一个更新后的第二待确认延时点；所述更新后的第二待确认延时点为更新前的第二待确认延时点远离所述结束数值的方向上的点；以所述第一划分方向为所述第一待确认延时点的迭代方向，以所述第二划分方向为所述第二待确认延时点的迭代方向；将更新后的第一待确认延时点作为所述起始数值、将更新后的第二待确认延时点作为所述结束数值，重复所述分别将第一待确认延时点和第二待确认延时点配置至所述DDR控制器对预设定的自检数据进行读写扫描，直到获得第一极限数值点和第二极限数值点；其中，所述第一极限数值点为最后一个扫描成功的起始数值、所述第二极限数值点为最后一个扫描成功的结束数值。3.根据权利要求1所述的存储器可用延时参数区间寻优方法，其特征在于，所述延时参数包括有多种，在所述根据起始扫描点从待调节延时参数范围中确定待确认可用延时参数区间的步骤之前，所述可用延时参数区间寻优方法还包括：轮流将多种延时参数中的其中一种延时参数对应的初步延时参数区间作为待调节延时参数范围，且其余参数种类的对应的预设的初步可用延时区间不变；设定所述起始扫描点的方式为：实时将一个或多个已经生成存储器可用延时参数区间的中间值更新为该参数种类的起始扫描点，直到所述每个参数种类的存储器可用延时参数区间的起始数值、结束数值的波动在预设定的阈值范围内。4.根据权利要求3所述的存储器可用延时参数区间寻优方法，其特征在于，所述存储器可用延时参数区间寻优方法的步骤还包括：将多个参数种类对应的存储器可用延时参数区间中，逻辑顺序对应的延时参数构建一个延时运行数组，从而生成多个延时运行数组；在DD...
【专利技术属性】
技术研发人员：万磊，王斌，
申请(专利权)人：湖南国科微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43
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