数据储存装置的非挥发式存储器的命名空间规划制造方法及图纸

技术编号:20915872 阅读:46 留言:0更新日期:2019-04-20 09:33
本发明专利技术涉及数据储存装置的非挥发式存储器的命名空间规划,尤其涉及善用多通道优势并考量多通道使用特性的非挥发式存储器的命名空间规划。数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制器。该控制器以多个通道存取该非挥发式存储器。在该非挥发式存储器上规划命名空间时,该控制器令这些通道都有配对命名空间。该控制器可更令各通道对应单一命名空间。

Namespace planning of non-volatile memory for data storage devices

The invention relates to the namespace planning of non-volatile memory of data storage device, in particular to the namespace planning of non-volatile memory, which makes good use of the advantages of multi-channel and considers the characteristics of multi-channel usage. The data storage device includes a non-volatile memory and a controller. The controller accesses the non-volatile memory in multiple channels. When planning namespaces on the non-volatile memory, the controller makes these channels have paired namespaces. The controller can make each channel correspond to a single namespace.

【技术实现步骤摘要】
数据储存装置的非挥发式存储器的命名空间规划
本专利技术有关于数据储存装置,特别有关于非挥发式存储器的命名空间(namespace)配置。
技术介绍
非挥发式存储器有多种形式─例如,快闪存储器(flashmemory)、磁阻式随机存取存储器(MagnetoresistiveRAM)、铁电随机存取存储器(FerroelectricRAM)、电阻式随机存取存储器(ResistiveRAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(SpinTransferTorque-RAM,STT-RAM)…等,用于长时间数据保存。非挥发式存储器是先进行命名空间(namespace)规划再使用。主机下达的指令会指示系操作哪个命名空间;例如,对某命名空间的写入(write)、读取(read)、数据抹除(erase)操作。如何适当规划命名空间为本
一项重要课题。
技术实现思路
本专利技术提出非挥发式存储器的一种命名空间(namespace)规划─特别将非挥发式存储器的操作效能纳入考量。根据本专利技术一种实施方式所实现的数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制器。该控制器以多个通道存取该非挥发式存储器。在该非挥发式存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种数据储存装置,包括:一非挥发式存储器;以及一控制器,以多个通道存取该非挥发式存储器,其中,在该非挥发式存储器上规划命名空间时,该控制器令不同命名空间规划到的通道不重复。

【技术特征摘要】
2018.09.06 TW 107131283;2017.10.12 US 62/571,339;21.一种数据储存装置,包括:一非挥发式存储器;以及一控制器,以多个通道存取该非挥发式存储器,其中,在该非挥发式存储器上规划命名空间时,该控制器令不同命名空间规划到的通道不重复。2.如权利要求1所述的数据储存装置,其特征在于:原先就存在于该非挥发式存储器的命名空间经解依附后交由该控制器重新规划,并由该控制器将其中数据搬移至新规划的空间。3.如权利要求2所述的数据储存装置,其特征在于:该控制器令这些通道都有配对命名空间。4.如权利要求3所述的数据储存装置,其特征在于:这些通道的总数为X;上述命名空间的总数为...

【专利技术属性】
技术研发人员:林圣嵂
申请(专利权)人:慧荣科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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