一种可控硅触发导通检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种可控硅触发导通检测装置。所述可控硅触发导通检测装置包括：检测信号发射电路、第一耦合电路、可控硅主电路、第二耦合电路、检测信号接收电路、检测信号处理电路、本地控制器、通信模块以及主控制器；检测信号处理电路将40kHz的超声波信号处理为40kHz的光信号，本地控制器根据光信号确定第一触发结果，并将第一触发结果通过通信模块发送至主控器得到第二触发结果，主控制器用于根据所述第二触发结果确定可控硅主电路是否触发成功。采用本发明专利技术所提供的可控硅触发导通检测装置能够解决可控硅触发导通检测过程复杂，电磁干扰严重，电流或电压信号不规范造成无法测量的的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种可控硅触发导通检测装置
本专利技术涉及可控硅触发导通检测领域，特别是涉及一种可控硅触发导通检测装置。
技术介绍
在大功率整流电源中，可控硅的可靠触发是保证整流电源稳定工作的关键。目前检测可控硅工作是否稳定的方法是通过检测可控硅输出电压或电流端波形的正确性，来确定可控硅是否被触发导通，由于可控硅使用环境常会出现低频强磁干扰，因此，上述检测方法需要配合复杂的滤波及分析电路或算法，可控硅触发导通检测过程复杂，此外，传统的可控硅触发导通检测方法还存在严重的电磁干扰，容易出现不电流或电压信号不规范造成无法测量的情况。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可控硅触发导通检测装置，以解决可控硅触发导通检测过程复杂，电磁干扰严重，电流或电压信号不规范造成无法测量的的问题。为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：一种可控硅触发导通检测装置，包括：检测信号发射电路、第一耦合电路、可控硅主电路、第二耦合电路、检测信号接收电路、检测信号处理电路、本地控制器、通信模块以及主控制器；所述检测信号发射电路的输入端接收40kHz的超声波信号，所述检测信号发射电路的输出端与所述第一耦合电路的J1端相连接，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控硅触发导通检测装置，其特征在于，包括：检测信号发射电路、第一耦合电路、可控硅主电路、第二耦合电路、检测信号接收电路、检测信号处理电路、本地控制器、通信模块以及主控制器；所述检测信号发射电路的输入端接收40kHz的超声波信号，所述检测信号发射电路的输出端与所述第一耦合电路的J1端相连接，所述第一耦合电路的P1端与所述可控硅主电路的输入端相连接，所述可控硅主电路的输出端与所述第二耦合电路的P1’端相连接，所述第二耦合电路的J1’端与所述检测信号接收电路的输入端相连接，所述检测信号接收电路的输出端与所述检测信号处理电路的输入端相连接，所述检测信号处理电路的输出端与所述本地控制器的输入端相...

【技术特征摘要】
1.一种可控硅触发导通检测装置，其特征在于，包括：检测信号发射电路、第一耦合电路、可控硅主电路、第二耦合电路、检测信号接收电路、检测信号处理电路、本地控制器、通信模块以及主控制器；所述检测信号发射电路的输入端接收40kHz的超声波信号，所述检测信号发射电路的输出端与所述第一耦合电路的J1端相连接，所述第一耦合电路的P1端与所述可控硅主电路的输入端相连接，所述可控硅主电路的输出端与所述第二耦合电路的P1’端相连接，所述第二耦合电路的J1’端与所述检测信号接收电路的输入端相连接，所述检测信号接收电路的输出端与所述检测信号处理电路的输入端相连接，所述检测信号处理电路的输出端与所述本地控制器的输入端相连接，所述本地控制器的输出端与所述通信模块的输入端相连接，所述通信模块的输出端与所述主控器相连接；所述检测信号处理电路用于将所述40kHz的超声波信号处理为40kHz的光信号，所述本地控制器根据所述光信号确定第一触发结果，并将所述第一触发结果通过所述通信模块发送至所述主控器得到第二触发结果，所述主控制器用于根据所述第二触发结果确定所述可控硅主电路是否触发成功；所述第一触发结果包括正常触发以及未触发；所述第二触发结果包括触发成功以及触发失败。2.根据权利要求1所述的可控硅触发导通检测装置，其特征在于，所述通信模块具体包括：第一光发射接收模块、第二光发射接收模块以及第三光发射接收模块；所述本地控制器的输出端分别与所述第一光发射接收模块的一端以及所述第二光发射接收模块的一端相连接，所述第三光发射接收模块的一端分别与所述第一光发射接收模块的另一端以及所述第二光发射接收模块的另一端相连接，所述第三光发射接收模块的另一端与所述主控制器相连接；所述第一光发射接收模块与所述第三光发射接收模块之间的距离小于所述第二光发射接收模块与所述第三光发射接收模块之间的距离。3.据权利要求1所述的可控硅触发导通检测装置，其特征在于，所述检测信号发射电路具体包括：电路电源、P端、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、稳压管D1、稳压管D2、二极管D3、二极管D4、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4以及电感L1；所述P端为所述检测信号发射电路的输入端，所述电容C1的一端与所述电容C2的一端相连接；所述P端设于所述电容C1与所述电容C2之间；所述电容C1的另一端与所述电阻R1的一端相连接，所述电阻R1的另一端分别与所述稳压管D1的正极以及三极管Q1的基极相连接，所述稳压管D1的负极分别与所述三极管Q1的发射极以及所述二极管D3的负极相连接；所述三极管Q1的集电极分别与所述三极管Q3的基极、所述三极管Q2的集电极以及所述三极管Q4的基极相连接；所述三极管Q3的集电极与所述电路电源相连接；所述三极管Q3的发射极与所述三极管Q4的发射极相连接；所述二极管D3的正极分别与所述电容C3的一端、所述二极管D4的负极以及所述三极管Q4的发射极相连接；所述电容C3的另一端与所述电感L1的一端相连接，所述电感L1的另一端与所述第一耦合电路的J1端相连接；所述电容C2的另一端与所述电阻R2的一端相连接，所述电阻R2的另一端分别与所述稳压管D2的负极以及所述三极管Q2的基极相连接，所述稳压管D2的正极分别所述三极管Q2的发射极、所述三极管Q4的集电极以及所述二...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳成，孙继元，崔杨，程艳明，苑广军，
申请(专利权)人：北华大学，柳成，
类型：发明
国别省市：吉林,22