有机EL显示装置及其制造方法制造方法及图纸

有机EL显示装置(50a)包括：基底基板(10)；设置在基底基板(10)上的有机EL元件(8)，其具有呈矩阵状排列的多个有机EL层(20)；和设置在有机EL元件(8)上的密封膜(22a)，与多个有机EL层(20)对应地规定有多个子像素，其中，在密封膜(22a)上，以穿过多个子像素之间的方式形成有沟槽(C)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机EL显示装置及其制造方法
本专利技术涉及有机EL显示装置及其制造方法。
技术介绍
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机EL(electroluminescence：电致发光)元件的自发光型有机EL显示装置受到关注。在此，在通常的有机EL显示装置中，为了抑制由水分、氧气等的混入引起的有机EL元件的劣化，以覆盖有机EL元件的方式设置有密封膜。例如，专利文献1公开了一种有机EL元件的制造方法，通过使用金属掩模进行干式蚀刻，除去密封膜的一部分，使密封膜图案化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-73353号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题可是，构成密封膜的至少一部分的无机膜是脆弱的，因此，容易由于被施加的应力而产生裂纹。因此，当使具有密封膜的有机EL显示装置弯曲时，有可能由于此时产生的弯曲应力而导致密封膜上产生裂纹。那样的话，密封膜的密封性能会下降，因此，会导致有机EL显示装置的可靠性下降。本专利技术是鉴于上述问题而做出的，其目的在于：在使有机EL显示装置弯曲时，抑制密封膜上产生裂纹。用于解决技术问题的手段为了实现上述目的，本专利技术的有机EL显示装置包括：基底基板；设置在所述基底基板上的有机EL元件，该有机EL元件具有呈矩阵状排列的多个有机EL层；和设置在所述有机EL元件上的密封膜，与所述多个有机EL层对应地规定有多个子像素，所述有机EL显示装置的特征在于：在所述密封膜上，以穿过所述多个子像素之间的方式形成有沟槽。专利技术效果在设置在有机EL元件上的密封膜上，以穿过多个子像素之间的方式形成有沟槽，因此，能够在使有机EL显示装置弯曲时，抑制密封膜上产生裂纹。附图说明图1是表示本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的像素结构的平面图。图2是本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的各子像素的等效电路图。图3是表示本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的各子像素的内部结构的平面图。图4是沿着图3中的IV-IV线的有机EL显示装置的截面图。图5是构成本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL层的截面图。图6是表示本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置中的第二电极的排列结构的平面图。图7是表示本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置中的密封膜的排列结构的平面图。图8是本专利技术第二实施方式的有机EL显示装置的截面图，是与图4对应的图。图9是表示本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置中的密封膜的排列结构的平面图。图10是表示本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置中的第二电极的排列结构的平面图。图11是表示本专利技术第四实施方式的有机EL显示装置中的密封膜的排列结构的平面图。图12是表示本专利技术第四实施方式的有机EL显示装置中的第二电极的连接结构的平面图。图13是表示本专利技术第四实施方式的有机EL显示装置的变形例的第二电极的连接结构的平面图。图14是表示本专利技术第五实施方式的有机EL显示装置中的密封膜的排列结构的平面图。图15是本专利技术第五实施方式的有机EL显示装置的截面图，是与图4对应的图。图16是本专利技术第五实施方式的有机EL显示装置的变形例的截面图，是与图4对应的图。具体实施方式下面，基于附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。本专利技术并不限定于下面的各实施方式。《第一实施方式》图1～图7表示本专利技术的有机EL显示装置的第一实施方式。在此，图1是表示本实施方式的有机EL显示装置50a的像素结构的平面图。图2是有机EL显示装置50a的各子像素P的等效电路图。图3是表示有机EL显示装置50a的各子像素P的内部结构的平面图。图4是沿着图3中的IV-IV线的有机EL显示装置50a的截面图。图5是构成有机EL显示装置50a的有机EL层20的截面图。图6和图7是表示有机EL显示装置50a中的第二电极21a和密封膜22a的排列结构的平面图。有机EL显示装置50a在俯视时具有矩形状的显示区域，在其显示区域内呈矩阵状排列有多个子像素P(参照图1)。在此，在有机EL显示装置50a的显示区域中，如图1所示，以彼此相邻的方式设置有：具有用于进行红色的灰度等级显示的红色发光区域Lr的子像素P；具有用于进行绿色的灰度等级显示的绿色发光区域Lg的子像素P；和具有用于进行蓝色的灰度等级显示的蓝色发光区域Lb的像素P。在有机EL显示装置50a的显示区域中，由具有红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg和蓝色发光区域Lb的相邻的3个子像素P构成1个像素。如图4所示，有机EL显示装置50a包括：基底基板10；隔着后述的防湿膜11～层间绝缘膜17设置在基底基板10上的有机EL元件8；设置在有机EL元件8上的多个密封膜22a；和经由粘接层30设置在多个密封膜22a上的功能层40。基底基板10例如是聚酰亚胺树脂制的塑料基板。防湿膜11设置在基底基板10上，例如由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜等构成。在此，在防湿膜11上，如图2和图3所示，以在图中的横向上彼此平行地延伸的方式设置有多个栅极线12a。在防湿膜11上，如图3和图4所示，在各子像素P中，以在图3中的纵向上延伸的方式呈岛状设置有后述的驱动用TFT(thinfilmtransistor：薄膜晶体管)6b的栅极电极12b。而且，在防湿膜11上，如图4所示，以覆盖栅极线12a和栅极电极12b的方式设置有栅极绝缘膜13。栅极线12a和栅极电极12b例如由铝、钛、钨、钽、铜、它们的合金等金属膜构成。栅极绝缘膜13例如由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜等构成。在栅极绝缘膜13上，如图3和图4所示，在各子像素P中，以与栅极线12a和栅极电极12b重叠的方式分别设置有第一半导体层14a和第二半导体层14b。在栅极绝缘膜13上，如图3和图4所示，以在图3中的纵向上彼此平行地延伸的方式设置有多个数据线15a。而且，在栅极绝缘膜13上，如图3和图4所示，以与对应的数据线15a相邻且彼此平行地延伸的方式设置有多个电源线15b。第一半导体层14a和第二半导体层14b例如由非晶硅、低温多晶硅、In-Ga-Zn-O类的氧化物半导体等构成。在栅极绝缘膜13和第一半导体层14a上，如图3所示，在各子像素P中，以从对应的数据线15a向图中的横向突出的方式设置有源极电极15aa。而且，在栅极绝缘膜13和第一半导体层14a上，如图3所示，在各子像素P中，以在图中的纵向上延伸的方式设置有岛状的漏极电极15c。如图3所示，由上述的栅极线12a的一部分、栅极绝缘膜13、第一半导体层14a、源极电极15aa和漏极电极15c构成开关TFT6a。在栅极绝缘膜13和第二半导体层14b上，如图3和图4所示，在各子像素P中，以在图3中的纵向上延伸的方式设置有岛状的漏极电极15d。而且，在栅极绝缘膜13和第二半导体层14b上，如图3和图4所示，以从对应的电源线15b向图3中的横向突出的方式设置有源极电极15ba。如图3和图4所示，由上述的栅极电极12b、栅极绝缘膜13、第二半导体层14b、源极电极15ba和漏极电极15d构成驱动用TFT6b。数据线15a、源极电极15aa、电源线15b、源极电极15ba、漏极电极15c和漏极电极15d例如由铝、钛、钨、钽、铜、它们的合金等金属膜构成。在栅极绝缘膜13上，如图4所示，以覆盖驱动用TFT6b的漏极电极15d的连接部分以外和开关TF本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机EL显示装置，其包括：基底基板；设置在所述基底基板上的有机EL元件，该有机EL元件具有呈矩阵状排列的多个有机EL层；和设置在所述有机EL元件上的密封膜，与所述多个有机EL层对应地规定有多个子像素，所述有机EL显示装置的特征在于：在所述密封膜上，以穿过所述多个子像素之间的方式形成有沟槽。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机EL显示装置，其包括：基底基板；设置在所述基底基板上的有机EL元件，该有机EL元件具有呈矩阵状排列的多个有机EL层；和设置在所述有机EL元件上的密封膜，与所述多个有机EL层对应地规定有多个子像素，所述有机EL显示装置的特征在于：在所述密封膜上，以穿过所述多个子像素之间的方式形成有沟槽。2.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：所述密封膜由无机膜构成。3.根据权利要求1或2所述的有机EL显示装置，其特征在于：所述密封膜由所述沟槽分隔为多个。4.根据权利要求1～3中任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于：所述沟槽设置成格子状。5.根据权利要求1～3中任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于：所述沟槽以彼此平行地延伸的方式设置有多个。6.根据权利要求3所述的有机EL显示装置，其特征在于：所述有机EL元件具有设置在各所述有机EL层上的阴极，所述阴极与分隔为多个的所述密封膜对应地分隔为多个，分隔为多个的所述阴极与共用配线连接。7.根据权利要求6所述的有机EL显示装置，其特征在于：包括以彼此平行地延伸的方式设置的多个栅极线，所述阴极以与所述多个子像素中的在各所述栅极线延伸的方向上排列成1排的全部子像素对应的所述有机EL层重叠的方式设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：园田通，越智贵志，越智久雄，妹尾亨，平瀬刚，松井章宏，高桥纯平，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP