一种双巨压阻传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双巨压阻传感器，包括高压量程和低压量程的巨压阻压力传感器；所述的高压量程巨压阻压力传感器为硅钛异质结压力传感器；所述的硅钛异质结压力传感器自下而上依次是蓝宝石基底层、真空腔体、敏感器件层A、绝缘二氧化硅层和弯曲拉伸的硅应力薄膜顶层；低压量程巨压阻压力传感器为硅镓异质结压力传感器；所述的硅镓异质结压力传感器自下而上依次是蓝宝石基底层、真空腔体、敏感器件层B、绝缘二氧化硅层和无弯曲拉伸的硅应力薄膜顶层。本实用新型专利技术显著的提高了井下压力测量的灵敏度和分辨率，同时削弱了非线性误差，能够在整个井下探测范围内（0‑8km）实现统一的高精度压力测量。

【技术实现步骤摘要】
一种双巨压阻传感器
本技术属于微纳机电系统传感器
，特别涉及一种双巨压阻传感器。
技术介绍
石油开采过程中井下环境复杂多变，需要对井下的温度、压力等物理参数进行实时的监测，以确定井下油层的分布状况和保护潜油电泵正常稳定地持续运行。井下压力是反映采油井实时状况的一个极为重要参数，它通常是通过井下压力传感器实时获取的。考虑到潜油电泵、油藏监测、智能井等系统需要对井下压力进行长期在线监测，这就需要长期稳定性好、灵敏度高、测量精度高的井下压力传感器。但是井下压力随着深度增加变化比较大，选用传统的压阻式压力传感器存在温度漂移和非线性误差，因此需要对压力传感器进行温度补偿和线性化校正。即便如此，由于受到传感器结构和工作原理的限制，传统压阻式压力传感器也很难在整个井深范围内（0-8km）兼容高的灵敏度和测量精度。同时，井下压力传感器是随着钻井的过程中一起带到井下，很难随意取出进行重新标定处理，因此采用新的传感器装置及其测量方法，实现整个井深范围内统一的高精度压力测量是一个刻不容缓的问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种双巨压阻传感器，有效提高了测量的精确度。为解决上述技术问题，本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双巨压阻传感器，其特征在于：包括高压量程巨压阻压力传感器和低压量程巨压阻压力传感器；所述的高压量程巨压阻压力传感器为硅钛异质结压力传感器；所述的硅钛异质结压力传感器自下而上依次是蓝宝石基底层、真空腔体、敏感器件层A、绝缘二氧化硅层和弯曲拉伸的硅应力薄膜顶层；所述的绝缘二氧化硅层设置有四个六棱柱型截面的硅钛异质结传感单元、金属边A、引线A、金属片A、电极A和铝端子A；每个所述的硅钛异质结传感单元包括自内而外依次嵌套的内层硅A、中间层钛和外层硅A，外层硅A和中间层钛的交界处设置外硅钛异质结，中间层钛和内层硅A的交界处设置内硅钛异质结；硅钛异质结传感单元的两端均设置有金属边A，每个金属边A各...

【技术特征摘要】
1.一种双巨压阻传感器，其特征在于：包括高压量程巨压阻压力传感器和低压量程巨压阻压力传感器；所述的高压量程巨压阻压力传感器为硅钛异质结压力传感器；所述的硅钛异质结压力传感器自下而上依次是蓝宝石基底层、真空腔体、敏感器件层A、绝缘二氧化硅层和弯曲拉伸的硅应力薄膜顶层；所述的绝缘二氧化硅层设置有四个六棱柱型截面的硅钛异质结传感单元、金属边A、引线A、金属片A、电极A和铝端子A；每个所述的硅钛异质结传感单元包括自内而外依次嵌套的内层硅A、中间层钛和外层硅A，外层硅A和中间层钛的交界处设置外硅钛异质结，中间层钛和内层硅A的交界处设置内硅钛异质结；硅钛异质结传感单元的两端均设置有金属边A，每个金属边A各自通过引线A连接金属片A，金属片A通过其上引出的电极A连接有铝端子A，绝缘二氧化硅层下表面设置的所有结构组成了敏感器件层A；所述的低压量程巨压阻压力传感器为硅镓异质结压力传感器；所述的硅镓异质结压力传感器自下而上依次是蓝宝石基底层、真空腔体、敏感器件层B、绝缘二氧化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：张加宏，钱志雅，杨天民，张燕，顾颖，周莹，徐沪童，
申请(专利权)人：南京信息工程大学，
类型：新型
国别省市：江苏,32