【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低功率光纤光收发器
本申请涉及低功率光纤光发射器、接收器和收发器。附图简述描述了本公开的非限制性和非穷举性实施例，包括详细描述中所包括的参照附图的本公开的各种实施例。图1示出了根据本公开的实施例的低功率光纤光收发器的功能框图。图2A示出了根据本公开的实施例的低功率光纤光发射器的简化电路图。图2B示出了根据本公开的实施例的低功率光纤光接收器的简化电路图。详细描述工业环境中的通信设备可以被配置成实现几个关键目标。具体来说，这样的设备应该在设备之间以高速率传输数据，并且误差可能性最小。随着在设备之间传输的数据量的增加，高速通信设备变得越来越重要。此外，这种设备应在宽的环境温度范围内稳定可靠地运行。在某些实施例中，温度范围可以在-40℃到+85℃之间。更进一步，这种设备应该能够抵抗外部电干扰，对数据完整性的影响最小。最后，这样的设备应该消耗最少的电力。减少加热可以避免对其他部件产生过多的热。本公开的各种实施例涉及降低在高数据速率下的功耗。随着数据速率的提高和诸如以太网交换机的设备中的许多数据通道，设计一个不违反最高工作温度的系统是一项重大挑战。出于这个原因，在本公开中...
【技术保护点】
1.一种低功率光学收发器，包括:微控制器；光学接收器，所述光学接收器与所述微控制器通信并由所述微控制器控制，并且所述光学接收器还包括:光电检测器，所述光电检测器被配置为接收待接收的第一信号的第一光学表示，并生成所述第一信号的电学表示；放大器，所述放大器被配置为放大所述第一信号的所述电学表示；输出端，所述输出端与所述放大器电通信，并被配置为生成电输出；以及光学发射器，所述光学发射器与所述微控制器通信并由所述微控制器控制，并且所述光学发射器还包括:激光二极管，被配置为生成待发射的第二信号的第二光学表示；其中，所述微控制器被配置为控制所述激光二极管的输出功率。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.23 US 62/378,521;2017.08.22 US 15/683,4381.一种低功率光学收发器，包括:微控制器；光学接收器，所述光学接收器与所述微控制器通信并由所述微控制器控制，并且所述光学接收器还包括:光电检测器，所述光电检测器被配置为接收待接收的第一信号的第一光学表示，并生成所述第一信号的电学表示；放大器，所述放大器被配置为放大所述第一信号的所述电学表示；输出端，所述输出端与所述放大器电通信，并被配置为生成电输出；以及光学发射器，所述光学发射器与所述微控制器通信并由所述微控制器控制，并且所述光学发射器还包括:激光二极管，被配置为生成待发射的第二信号的第二光学表示；其中，所述微控制器被配置为控制所述激光二极管的输出功率。2.根据权利要求1所述的低功率光学收发器，其中，所述光学收发器还包括电压调节器，所述电压调节器被配置为能够在1.2V和3.3V之间的范围工作。3.根据权利要求1所述的低功率光学收发器，还包括单端放大器链。4.根据权利要求3所述的低功率光学收发器，其中，所述单端放大器链包括差分输出端的末级。5.根据权利要求1所述的低功率光学收发器，其中，待发射的所述信号被配置为控制通过激光调制场效应晶体管(FET)的电流。6.根据权利要求5所述的低功率光学收发器，其中，所述微控制器还被配置为监测所述激光调制FET的温度，并基于所述温度调节通过所述激光调制FET的电流。7.根据权利要求5所述的低功率光学收发器，其中，所述FET包括伪晶高电子迁移率晶体管和SeGe晶体管中的一种。8.根据权利要求1所述的低功率光学收发器，其中，所述微控制器被配置为接收所述激光二极管的特征数据，并且被配置为基于所述特征数据调节所述激光二极管的至少一个工作参数。9.根据权利要求1所述的低功率光学收发器，其中，所述接收器的输出端包括差分输出级，所述差分输出级包括第一输出和第二输出，所述第一输出连接到输出晶体管的第一端子，所述第二输出连接到所述输出晶体管的第二端子。10.根据权利要求1所述的低功率光学收发器，其中，所述微控制器被配置为监测与所述光学接收器的光电检测器相关联的电流，并且当所述电流低于阈值时选择性地生成静噪功能，所述静噪功能能够操作以选择性地禁用所述光学接收器。11.根据权利要求10所述的低功率光学收发器，其中，所述接收器还包括与所述光电检测器相关联的电流监测器；并且其中，所述微控制器还被配置为生成所述电流监测器的多个样本，并且当所述多个样本指示所述电流低于所述阈值时，选择性地生成所述静噪功能。12.根据权利要求1所述的低功...
【专利技术属性】
技术研发人员：大卫·M·雷克托，雷蒙德·W·赖斯，史蒂文·沃茨，文斯·B·哈德利，
申请(专利权)人：施瓦哲工程实验有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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